基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构

    公开(公告)号:CN104022046A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410264998.6

    申请日:2014-06-13

    Abstract: 本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构,包括步骤:a)提供一垫片、一衬底片及一盖片,于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔,并形成通气孔;b)键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体;c)提供一待封装芯片,将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片;d)提供吸气剂,并固定于所述吸气剂腔中;e)激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体,将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装,有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构,且具有了圆片级封装的效率;设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔,与吸气剂薄膜等相比较,成本较低;只对已通过测试的芯片进行真空封装,降低了封装成本。

    一种三维红外光源及其制作方法

    公开(公告)号:CN103922274A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410182370.1

    申请日:2014-04-30

    Abstract: 本发明提供一种三维红外光源及其制作方法,提供一硅片;在该硅片的正反面形成氧化硅薄膜;在正面定义阵列窗口并沿阵列窗口刻蚀氧化硅至暴露出硅表面为止;沿阵列窗口刻蚀硅表面形成硅凹槽阵列;去除硅片正面非刻蚀区域的氧化硅并形成复合膜;形成覆盖硅凹槽阵列的电阻丝,在电阻丝表面形成钝化层;在该硅片背面定义包围硅凹槽阵列的窗口;沿窗口刻蚀硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止;沿窗口继续腐蚀硅表面直到硅被完全腐蚀为止从而制备出三维红外光源结构。本发明采用电阻丝位于凹槽阵列中,减少了发热丝通过衬底的热传导,减少空气热对流引起的热耗散,实现了能量聚集的作用,降低功耗的同时,提高了能量转换效率。

    基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法

    公开(公告)号:CN103901085A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410165319.X

    申请日:2014-04-23

    Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法,包括制作具有三角形截面的硅纳米线沟道的硅纳米线隧穿场效应晶体管的步骤、于所述硅纳米线沟道表面进行试剂修饰形成活性薄膜以及于所述活性薄膜表面形成捕获探针的步骤。本发明工艺过程简单,可控性强,与现有半导体工艺完全兼容;成本较低,适于批量生产;器件具有双极特性,对双向检测结果进行对照,保证检测的准确性,特别适合生化分子检测的应用。另外,本发明的硅纳米线传感器中纳米线为三角形截面,该结构与其他纳米线结构(如圆柱,梯形截面)相比,比表面积更大,调制效率更高,且硅纳米线暴露的两(111)面更易形成致密的定向单分子生物敏感膜,对于生化传感有利。

    微透镜模具结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN102662305B

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201210169407.8

    申请日:2012-05-28

    Abstract: 本发明涉及微透镜模具结构及制作方法,包括以下步骤:在抛光的硅衬底正面和背面沉积氧化硅作为腐蚀掩膜材料,在硅衬底背面制作出腐蚀窗口图形;从所述硅衬底背面腐蚀硅衬底,形成腐蚀腔体,同时形成悬浮硅薄膜;将具有悬浮硅薄膜结构的结构衬底和支撑衬底键合形成密封腔体;将步骤(3)中获得的结构送入800°C~1200°C的高温环境中,悬浮硅薄膜发生塑性形变形成微透镜形貌腔体结构。由于直接选取抛光材料,微透镜形貌腔体具有较好的表面平整度,从而保证了微透镜腔的光学特性。本发明可以通过调节温度、压力、力载荷、薄膜厚度等方式对悬浮薄膜的塑性形变量和形貌进行控制,从而调节微透镜的形貌,增加微透镜设计的自由度。

    一种在(111)型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法

    公开(公告)号:CN103086321A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201310028123.1

    申请日:2013-01-25

    Abstract: 本发明提供一种在(111)型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法,包括:于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形;将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度;各向异性湿法腐蚀,使两两相邻的3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、下锥部及连接部组成的沙漏结构;采用自限制氧化工艺,形成氧化硅及藉由硅纳米线结构连接的上硅锥体结构及下硅锥体结构;去除氧化硅及上硅锥体结构,形成单晶硅纳米长针尖。本发明可用于制作纳米探针阵列,只需要常规的MEMS工艺,通过ICP干法刻蚀、各向异性湿法腐蚀和氧化工艺即可制作出针尖直径在10~100nm,长度在0.1~100μm,集成度高,可规模化生产的纳米探针,其成本低廉,制作方便,可应用于纳米探针领域。

    石墨烯的图形化方法
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102263013B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201110218695.7

    申请日:2011-08-01

    Abstract: 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽,再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤:利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构;将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上;烘干衬底与石墨烯,利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂,得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置,并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理,避免了对石墨烯晶格质量造成损害,解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。

    一种体硅微机械谐振器及制作方法

    公开(公告)号:CN101867080B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201010181105.3

    申请日:2010-05-21

    Abstract: 本发明涉及一种体硅微机械谐振器及制作方法,其特征在于所述的谐振器是由衬底硅片、结构硅片及盖板硅片三层键合在一起形成的,衬底硅片的正面与结构硅片的背面,结构硅片的正面与盖板硅片的背面分别通过键合黏合在一起;制作时先将悬浮结构——谐振振子正下方的空腔制作好,再将器件结构层通过键合的方法制作在空腔上方,然后通过干法刻蚀在制作谐振器器件结构的同时,也将谐振器器件结构进行释放,最后利用真空圆片对准键合把盖板硅片固定在结构硅片上方。由于谐振器下方的空腔在器件结构制作之前用湿法腐蚀制成,并且采用圆片级封装对器件进行真空密封。

    对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器

    公开(公告)号:CN102128953B

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201010583972.X

    申请日:2010-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成,每根倾斜折叠梁的内脚连接在中心质量块侧面的顶端或底端,外脚连接在外部支撑框架内侧面,整个结构上下对称。本加速度传感器的特点是弹性梁采用对称倾斜折叠梁结构,同时具有一定的对称性,有效的抑制了传感器的交叉轴灵敏度。微加速度传感器采用微电子机械系统技术制作,使器件能够形成更大尺寸的敏感质量块,使器件具有高的分辨率和灵敏度。

    微透镜模具结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN102662305A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210169407.8

    申请日:2012-05-28

    Abstract: 本发明涉及微透镜模具结构及制作方法,包括以下步骤:在抛光的硅衬底正面和背面沉积氧化硅作为腐蚀掩膜材料,在硅衬底背面制作出腐蚀窗口图形;从所述硅衬底背面腐蚀硅衬底,形成腐蚀腔体,同时形成悬浮硅薄膜;将具有悬浮硅薄膜结构的结构衬底和支撑衬底键合形成密封腔体;将步骤(3)中获得的结构送入800°C~1200°C的高温环境中,悬浮硅薄膜发生塑性形变形成微透镜形貌腔体结构。由于直接选取抛光材料,微透镜形貌腔体具有较好的表面平整度,从而保证了微透镜腔的光学特性。本发明可以通过调节温度、压力、力载荷、薄膜厚度等方式对悬浮薄膜的塑性形变量和形貌进行控制,从而调节微透镜的形貌,增加微透镜设计的自由度。

Patent Agency Ranking