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公开(公告)号：CN102212794B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110092763.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。
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公开(公告)号：CN102263013B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110218695.7
申请日：2011-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽，再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤：利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构；将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上；烘干衬底与石墨烯，利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂，得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置，并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理，避免了对石墨烯晶格质量造成损害，解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。
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公开(公告)号：CN102212794A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110092763.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。
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公开(公告)号：CN103928296B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310015049.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , C01B32/184 , C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法。该方法包括以下步骤：将PDMS胶涂在附着有石墨烯的原衬底上；使所述PDMS胶固化成PDMS过渡层；对该PDMS过渡层与硬质衬底进行等离子处理，然后将该PDMS过渡层与硬质衬底进行轻压键合；将键合后的硬质衬底放入腐蚀液中腐蚀掉所述原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/PDMS过渡层/硬质衬底结合体并吹干，即得到转移到具有PDMS过渡层的硬质衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928296A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310015049.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02527 , H01L21/02422 , H01L21/02439
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法。该方法包括以下步骤：将PDMS胶涂在附着有石墨烯的原衬底上；使所述PDMS胶固化成PDMS过渡层；对该PDMS过渡层与硬质衬底进行等离子处理，然后将该PDMS过渡层与硬质衬底进行轻压键合；将键合后的硬质衬底放入腐蚀液中腐蚀掉所述原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/PDMS过渡层/硬质衬底结合体并吹干，即得到转移到具有PDMS过渡层的硬质衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯电子器件。
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公开(公告)号：CN102786029A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128172.3
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了提供一种用于制作纳米器件的自对准硅盖板，以及该硅盖板的制作方法和使用方法。该硅盖板的正面开设有用于制作电极的图形开口，该硅盖板的背面设有一梯台型凹槽，所述梯台型凹槽的底部与所述图形开口的底部相连通，所述梯台型凹槽的底部尺寸与所制作纳米器件的衬底尺寸相同。利用(100)单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过对双面抛光硅片的氧化，双面光刻，各向异性腐蚀和划片等步骤可制作出所述硅盖板。将所述硅盖板盖在尺寸一致的表面有纳米材料的衬底上，经过金属沉积之后直接拿掉盖板，完成器件的制作。这一方法减小了电极布置位置的误差，避免了在金属沉积过程中由于样品台转动而发生的盖板移动导致器件的失效。
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公开(公告)号：CN103928295B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310015048.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到柔性衬底上的方法。该方法包括如下步骤：在附着石墨烯的原衬底上涂胶并烘干使胶固化成为柔性衬底；将固化的柔性衬底与硬质衬底进行键合；采用化学腐蚀液腐蚀原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/柔性衬底/硬质衬底结合体并吹干；将柔性衬底与石墨烯直接从硬质衬底上剥离，得到所需的附着在柔性衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到柔性衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN103928295A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310015048.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0405 , H01L21/02527
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到柔性衬底上的方法。该方法包括如下步骤：在附着石墨烯的原衬底上涂胶并烘干使胶固化成为柔性衬底；将固化的柔性衬底与硬质衬底进行键合；采用化学腐蚀液腐蚀原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/柔性衬底/硬质衬底结合体并吹干；将柔性衬底与石墨烯直接从硬质衬底上剥离，得到所需的附着在柔性衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到柔性衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN102263013A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110218695.7
申请日：2011-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽，再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤：利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构；将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上；烘干衬底与石墨烯，利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂，得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置，并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理，避免了对石墨烯晶格质量造成损害，解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。
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