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公开(公告)号：CN110211876A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910351680.4
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/304
Abstract: 本申请提供了一种芯片的加工方法，涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法，通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后，可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度，通过这样的物理减薄，避免先减薄后焊接的操作流程中，重新焊接芯片带来的芯片变形等情况，同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子，也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试，降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。
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