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公开(公告)号：CN101636248A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008905.6
申请日：2008-03-13
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C08G18/10 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/32 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/4833 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/0025 , C08G18/3802 , C08G18/792 , C08G18/3206
Abstract: 本发明的目的在于提供吸湿或者吸水时能够高水平维持尺寸稳定性并且研磨速度大的研磨垫及其制造方法。另外，本发明的目的在于提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有研磨层，所述研磨层包含具有微小气泡的聚氨酯发泡体，其特征在于，所述聚氨酯发泡体含有以下(1)、(2)和(3)的反应固化物：(1)包含异氰酸酯单体、高分子量多元醇α以及低分子量多元醇的异氰酸酯封端预聚物A；(2)包含多聚化二异氰酸酯及数均分子量200～1000的聚乙二醇的异氰酸酯封端预聚物B；和(3)增链剂。
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公开(公告)号：CN101636247A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008531.8
申请日：2008-03-12
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/205
Abstract: 本发明的目的在于提供从使用初期至末期不会随着透光率的下降而产生终点检测误差的研磨垫；以及提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有包含研磨区域及透光区域的研磨层，其特征在于，所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理，并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40～60％。
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公开(公告)号：CN100569448C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710148749.0
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN100461346C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200580012420.0
申请日：2005-02-22
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供了具有研磨层和垫层的用于研磨半导体晶圆的研磨垫，其特征在于所述研磨层由发泡聚氨酯构成，其弹性挠曲模数为250-350MPa，所述垫层由闭孔多孔状材料构成，其厚度为0.5-1.0mm，应变常数为0.01-0.08μm/(gf/cm2)。本发明提供了使用该研磨垫制造半导体器件的方法。上述研磨垫能使待研磨物品如半导体晶圆具有优异的平面性和均一性而不形成划痕。
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公开(公告)号：CN101143428A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710148747.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101130233A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148750.3
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN1926666A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200480042307.2
申请日：2004-10-20
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及使用了该研磨垫的半导体器件的制造方法。即使在使用碱性料浆或酸性料浆进行研磨的情况下，也可以在从使用开始直至使用结束的长时间内持续维持高精度的光学终点检测。本发明的研磨垫被用于化学机械抛光中，具有研磨区域及透光区域，所述透光区域的浸渍于pH11的KOH水溶液或pH4的H2O2水溶液中24小时后的测定波长λ下的透光率T1(％)与浸渍前的测定波长λ下的透光率T0(％)的差ΔT(ΔT＝T0－T1)(％)，在测定波长400～700nm的全部范围内在10(％)以内。
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公开(公告)号：CN103180100B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080069500.0
申请日：2010-10-26
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , B24B37/042 , B24D11/00
Abstract: 本发明的目的是提供在研磨对象物的表面难以产生刮痕、且修整性提高的研磨垫及其制造方法。本发明的研磨垫的特征在于具有无发泡聚氨酯形成的研磨层，所述无发泡聚氨酯是聚氨酯原料组合物的反应硬化物，所述聚氨酯原料组合物包含：将含有二异氰酸酯、高分子量多元醇、及低分子量多元醇的预聚物原料组合物反应而得的异氰酸酯封端的预聚物、通过3个以上的二异氰酸酯加成而多聚物化的异氰酸酯改性物、及链延长剂，所述异氰酸酯改性物的添加量相对于100重量份的异氰酸酯封端的预聚物为5重量份～30重量份。
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公开(公告)号：CN101636247B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200880008531.8
申请日：2008-03-12
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/20
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/205
Abstract: 本发明的目的在于提供从使用初期至末期不会随着透光率的下降而产生终点检测误差的研磨垫；以及提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有包含研磨区域及透光区域的研磨层，其特征在于，所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理，并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40～60％。
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公开(公告)号：CN102554766B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210004655.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/22
CPC classification number: B24B37/205 , Y10T428/24339 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种研磨垫，其在进行研磨的状态下进行高精度的光学终点检测，即使在长时间使用的情况下，也可以防止来自研磨区域与透光区域之间的漏浆。本发明的研磨垫将具有研磨区域及透光区域的研磨层和具有比透光区域小的开口部(B)的缓冲层层叠，使得透光区域与开口部(B)重合，并且在所述透光区域的背面与所述开口部(B)的断面的接触部分，设有将该接触部分覆盖的环状的不透水性弹性构件。
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