公开(公告)号：CN101659036A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910169165.0

申请日：2005-12-08

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 小川一幸 ,  下村哲生 ,  数野淳 ,  中井良之 ,  渡边公浩 ,  山田孝敏 ,  中森雅彦

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种研磨垫，其在进行研磨的状态下进行高精度的光学终点检测，即使在长时间使用的情况下，也可以防止来自研磨区域与透光区域之间的漏浆。本发明的研磨垫在研磨区域(8)及透光区域(9)的单面设有防透水层(10)，并且透光区域与防透水层由相同材料一体化形成。

公开(公告)号：CN100569448C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200710148749.0

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: B24B37/04 ,  B24D13/00 ,  B24D18/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN100461346C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200580012420.0

申请日：2005-02-22

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  数野淳 ,  小川一幸 ,  中井良之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: B24D3/24 ,  B24B37/22

Abstract: 本发明提供了具有研磨层和垫层的用于研磨半导体晶圆的研磨垫，其特征在于所述研磨层由发泡聚氨酯构成，其弹性挠曲模数为250-350MPa，所述垫层由闭孔多孔状材料构成，其厚度为0.5-1.0mm，应变常数为0.01-0.08μm/(gf/cm2)。本发明提供了使用该研磨垫制造半导体器件的方法。上述研磨垫能使待研磨物品如半导体晶圆具有优异的平面性和均一性而不形成划痕。

公开(公告)号：CN101143428A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710148747.1

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/20 ,  B24D13/00 ,  B24D18/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN101130233A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710148750.3

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/20 ,  B24D13/00 ,  B24D18/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN1926666A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042307.2

申请日：2004-10-20

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  渡边公浩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/205 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种研磨垫及使用了该研磨垫的半导体器件的制造方法。即使在使用碱性料浆或酸性料浆进行研磨的情况下，也可以在从使用开始直至使用结束的长时间内持续维持高精度的光学终点检测。本发明的研磨垫被用于化学机械抛光中，具有研磨区域及透光区域，所述透光区域的浸渍于pH11的KOH水溶液或pH4的H2O2水溶液中24小时后的测定波长λ下的透光率T1(％)与浸渍前的测定波长λ下的透光率T0(％)的差ΔT(ΔT＝T0－T1)(％)，在测定波长400～700nm的全部范围内在10(％)以内。