准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法

    公开(公告)号:CN111953211A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201910485826.4

    申请日:2019-06-05

    Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法,所述控制系统包括:开关管电压采样电路,用于对所述开关管的输出端电压进行采样,得到开关管采样电压;采样计算模块,用于根据所述开关管采样电压和预设关系,得到死区时间;所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内,所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系,所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间;控制模块,接收所述死区时间,并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。

    基于复矢量比例复数积分控制器cPCI的电流控制方法

    公开(公告)号:CN109412438B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201811202276.2

    申请日:2018-10-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于复矢量比例复数积分控制器cPCI(Complex Vector Proportional Complex Integral)的三相并网变流器电流控制方法,根据被控对象的数学模型和静止αβ坐标系下电流控制器无误差跟踪给定值的约束关系,得到cPCI电流控制器模型。将α轴和β轴的实际电流与参考电流的差值,作为cPCI电流控制器的输入,在静止αβ坐标系下实现并网电流的控制。本发明可以方便的应用于电机和电力电子领域的电流环设计中,无需复杂的旋转坐标变换,直接在静止αβ坐标系下实现,cPCI控制器参数的最优增益值设计,提高了电流环的稳定性并改善了系统动态响应性能。

    一种应用于柔性接地系统的单相接地故障选线方法

    公开(公告)号:CN110488155A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910812433.X

    申请日:2019-08-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种应用于柔性接地系统的单相接地故障选线方法,该方法包括故障时间定位、暂态特征信号提取和故障馈线判别三个步骤,具体为:1)对中性点零序电压信号进行小波包分解,将模极大值点对应的时间点作为实际故障时间;2)选取实际故障时间前后各1/4和3/4个周期的馈线零序电流信号进行小波包分解、重构,提取暂态特征波形;3)计算各馈线暂态特征波形的综合灰色T型关联系数,将其与阈值比较,确定故障馈线。本发明有效地反映架空线和电缆动态变化趋势的关联性,减小了因为电缆和架空线路对地容值差异而导致的误判,满足了柔性接地系统对于选线快速性和准确性的要求,具有可行性和实用价值。

    p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法

    公开(公告)号:CN118798104B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202310701433.9

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法,所述模型包括:基础模型,包括GaN HEMT器件模型,所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻;子模型,包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路,第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2,第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1,第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3;子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题,预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险,大大降低了集成电路设计的风险与成本。

    p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法

    公开(公告)号:CN118798104A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202310701433.9

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法,所述模型包括:基础模型,包括GaN HEMT器件模型,所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻;子模型,包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路,第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2,第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1,第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3;子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题,预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险,大大降低了集成电路设计的风险与成本。

    绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112825301B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN201911149088.2

    申请日:2019-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法,该方法包括:获取衬底,所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层;去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽,所述第一沟槽的一端与栅极区相邻;在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层,所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层,在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力,从而提高了器件内载流子的迁移率,在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。

    一种面向物联网绿色通信的单片集成自供电射频放大器

    公开(公告)号:CN113242025A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202110622889.7

    申请日:2021-06-04

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 张森

    Abstract: 本发明公开了一种面向物联网绿色通信的单片集成自供电射频放大器,在本发明中,输入端口或输出端口的PAD上出现静电时,静电电荷通过高频扼流圈传输到MEMS悬臂梁上,使悬臂梁与下方电荷存储器上极板出现电势差,悬臂梁被静电力拉下,静电电荷由此传输到电荷存储器上极板,电荷存储器将静电能转换为电能,完成静电能的收集;当ESD保护二极管接收光照时,光生载流子通过ESD保护二极管将光能转换为电能传输至能量收集及其电源管理电路,完成静电能和光能的集成收集;射频放大器工作时,的放置于MOS管源极和漏极周围的热电偶,用于收集射频放大器工作时产生的热能,并将热能转换为电能,输出至能量收集及其电源管理电路。

    一种基于离散FréchetDistance的接地故障选线方法

    公开(公告)号:CN113156331A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110018696.0

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本发明提供了一种基于离散FréchetDistance的接地故障选线方法,包括:采集故障信息,根据故障信息判断故障原因;若故障为单相接地故障,对各条馈线故障时间前后的零序电流信号进行提取,建立零序电流与时间的变化曲线;基于离散FréchetDistance算法,比较各条馈线在同一时间段的电流值,在同一时刻与其它馈线电流值差距最大的馈线既为故障线。本发明相对于现有技术,选线方法可有效解决高阻接地情况下选线率低的问题,满足对于准确性的要求;可以同时应用在电缆线路和架空线路,具有广泛的应用性。

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