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公开(公告)号：CN111953211A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910485826.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111953211B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910485826.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。
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公开(公告)号：CN109979801B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201711460617.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件，在耗尽型器件的形成过程中，通过形成介质岛作为掩膜进行自对准离子注入来形成沟道，通过控制注入能量和剂量，可以精确控制沟道区的深度以及掺杂浓度，实现高稳定性的夹断电压，这样可以节省进行阈值电压调整离子注入中需要使用的光刻版和进行光刻工艺提供离子注入掩膜的步骤，减少了工艺流程，降低了工艺成本；在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得半导体器件在开态下的击穿可靠性大大提高。
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公开(公告)号：CN109979801A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711460617.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件，在耗尽型器件的形成过程中，通过形成介质岛作为掩膜进行自对准离子注入来形成沟道，通过控制注入能量和剂量，可以精确控制沟道区的深度以及掺杂浓度，实现高稳定性的夹断电压，这样可以节省进行阈值电压调整离子注入中需要使用的光刻版和进行光刻工艺提供离子注入掩膜的步骤，减少了工艺流程，降低了工艺成本；在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得半导体器件在开态下的击穿可靠性大大提高。
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公开(公告)号：CN109427771B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710779965.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成电路芯片及其制作方法、栅驱动电路，该集成电路芯片包括：半导体衬底，在半导体衬底中形成有用于制作高压栅驱动电路的高压岛；高压结终端，所述高压结终端包围所述高压岛，所述高压结终端包括形成在所述高压岛周围的耗尽型MOS器件，所述耗尽型MOS器件的栅极和漏极短接，所述耗尽型MOS器件的源极与高侧电源端连接；双极晶体管，所述双极晶体管的集电极和基极短接并与低侧电源端连接，所述双极晶体管的发射极与所述耗尽型MOS器件的栅极连接。该集成电路芯片可以使得形成自举电路时无需使用外接自举二极管，提高了芯片的集成度，简化了外围电路，从而降低了成本，提高了可靠性。该集成电路芯片的制作方法和栅驱动电路具有类似的优点。
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公开(公告)号：CN109427771A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710779965.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成电路芯片及其制作方法、栅驱动电路，该集成电路芯片包括：半导体衬底，在半导体衬底中形成有用于制作高压栅驱动电路的高压岛；高压结终端，所述高压结终端包围所述高压岛，所述高压结终端包括形成在所述高压岛周围的耗尽型MOS器件，所述耗尽型MOS器件的栅极和漏极短接，所述耗尽型MOS器件的源极与高侧电源端连接；双极晶体管，所述双极晶体管的集电极和基极短接并与低侧电源端连接，所述双极晶体管的发射极与所述耗尽型MOS器件的栅极连接。该集成电路芯片可以使得形成自举电路时无需使用外接自举二极管，提高了芯片的集成度，简化了外围电路，从而降低了成本，提高了可靠性。该集成电路芯片的制作方法和栅驱动电路具有类似的优点。
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