一种矿用隔离式本安LED驱动电源

    公开(公告)号:CN103427621B

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201310392070.1

    申请日:2013-09-02

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H02M1/4266 Y02B70/123

    Abstract: 一种矿用隔离式本安LED驱动电源,包括输入整流滤波电路、隔离变压器、输出滤波电路、反馈采样和开关管控制电路、开关管峰值电压抑制电路;输入整流滤波电路输出连接隔离变压器,隔离变压器输出分别连接输出滤波电路及反馈采样和开关管控制电路,反馈采样和开关管控制电路输出连接开关管峰值电压抑制电路,开关管峰值电压抑制电路输出连接到隔离变压器的输入,输出滤波电路输出连接LED负载;其特征在于:在输入整流滤波电路与隔离变压器之间增设无源PFC电路,在输出滤波电路与LED负载之间增设双重输出过压过流保护电路。

    一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器

    公开(公告)号:CN103078488B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201210590904.5

    申请日:2012-12-29

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: Y02B70/126 Y02P80/112

    Abstract: 一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器,包括Boost型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换器、PID控制器、限流单元,数字脉冲宽度调制器和驱动单元,其特征是增设快速响应回路,其输入端连接关变换器的输出电压,输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端;快速响应回路包括选频网络、误差放大器和输出级,选频网络的输入端连接关变换器的输出电压,选频网络的输出端连接误差放大器,误差放大器的输出端连接输出级的输入端,输出级的输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端。

    一种矿用隔离式本安LED驱动电源

    公开(公告)号:CN103427621A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310392070.1

    申请日:2013-09-02

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H02M1/4266 Y02B70/123

    Abstract: 一种矿用隔离式本安LED驱动电源,包括输入整流滤波电路、隔离变压器、输出滤波电路、反馈采样和开关管控制电路、开关管峰值电压抑制电路;输入整流滤波电路输出连接隔离变压器,隔离变压器输出分别连接输出滤波电路及反馈采样和开关管控制电路,反馈采样和开关管控制电路输出连接开关管峰值电压抑制电路,开关管峰值电压抑制电路输出连接到隔离变压器的输入,输出滤波电路输出连接LED负载;其特征在于:在输入整流滤波电路与隔离变压器之间增设无源PFC电路,在输出滤波电路与LED负载之间增设双重输出过压过流保护电路。

    一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法

    公开(公告)号:CN103367453A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310301709.0

    申请日:2013-07-18

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括P型衬底,在P型衬底上设有埋氧层,在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区,在N型阱区内设有N型缓冲区,在N型阱区上设有场氧化层,在N型缓冲区内设有N型漏区,在P型阱区内设有P型接触区和N型源区,在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列,所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间,P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大,本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力,可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。

    一种两段式时间数字转换电路

    公开(公告)号:CN103208994A

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201310076113.5

    申请日:2013-03-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种两段式时间数字转换(TDC)电路,包括第一计数器部分和第二计数器部分,其中第一计数器部分包括延迟单元、译码电路、锁存器,采用闭环延迟线式结构,第二计数器部分采用伪随机序列计数器,所述两段式时间数字转换电路采用门控信号控制,可重复开关,初态确定且启动迅速;该电路用于阵列型红外三维成像读出电路,根据需要将电路配置于象素外、象素内或部分置于象素外;相比于普通TDC电路,本发明电路结构简单,可工作于较高频率,提高时间分辨率的同时产生稳定的振荡频率;满足阵列型红外传感读出电路中象素电路面积小、功耗低、时间分辨率高的应用需求。

    一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器

    公开(公告)号:CN103078488A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201210590904.5

    申请日:2012-12-29

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: Y02B70/126 Y02P80/112

    Abstract: 一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器,包括Boost型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换器、PID控制器、限流单元,数字脉冲宽度调制器和驱动单元,其特征是增设快速响应回路,其输入端连接关变换器的输出电压,输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端;快速响应回路包括选频网络、误差放大器和输出级,选频网络的输入端连接关变换器的输出电压,选频网络的输出端连接误差放大器,误差放大器的输出端连接输出级的输入端,输出级的输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端。

    耗尽型NMOS管稳定电压源电路

    公开(公告)号:CN101334681B

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN200810124373.4

    申请日:2008-06-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种耗尽型NMOS管稳定电压源电路,电路中含有增强型NMOS管及耗尽型NMOS管,其特征是电路中还设有用来产生与增强型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第一负温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第二负温度系数电压产生电路以及将第一、第二负温度系数电压产生电路产生的两个具有负温度系数的电压值相减,获得低温漂稳定电压源。

    一种耗尽型MOS管稳定电压源

    公开(公告)号:CN101308393A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200810124372.X

    申请日:2008-06-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种耗尽型MOS管稳定电压源,其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减,通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。

    一种开关电源输出电压的采样反馈电路

    公开(公告)号:CN101162869A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200710133994.4

    申请日:2007-10-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提出了应用于开关电源电路中的一种开关电源输出电压的采样反馈电路,其采用分离元件构成,结构简单,系统稳定性强,成本低。本发明包括电压采样电路、误差放大电路、隔离转换电路,开关电源的输出电压Vo通过电压采样电路的电压信号输入端输入,进行分压得到采样信号,且电压输入信号Vo同时作为误差放大电路的供电,采样信号通过误差放大电路的采样信号输入端输入,转换为电流型误差信号输出到隔离转换电路的误差电流信号输入端,进行电气隔离得到反馈输出信号Vfb。

    一种基于对数扩展偏正态分布的标准单元延时模型构建方法

    公开(公告)号:CN112906331B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202110311635.3

    申请日:2021-03-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开并保护了一种基于对数扩展偏正态分布的标准单元延时模型构建方法,对于每一个标准单元,首先设置多个工作条件场景,在不同的工作条件下,将通过SPICE仿真得到的关于工艺波动的单元延时分布数据作为训练数据,并利用最大似然估计法拟合对数扩展偏正态分布模型,得到模型系数;将对数扩展偏正态分布模型系数视为与工作条件相关的参数,并建立二次模型,通过非线性回归的方法拟合对数扩展偏正态分布模型系数关于工作条件的多元函数,最终实现基于对数扩展偏正态分布的标准单元延时模型。

Patent Agency Ranking