公开(公告)号：CN1996153B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200710001560.9

申请日：2007-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饱本正巳 ,  林伸一 ,  饭田成昭 ,  稻富弘朗

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/00

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27B5/04 ,  F27D5/0037 ,  F27D15/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67784 ,  Y10S414/139

Abstract: 具有冷却板和热板的加热装置中，利用气体使基板从冷却板和热板上浮起，通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动，实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中，在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a)，其朝向晶片W的移动通路的冷却板(3)侧斜向上方喷出使基板浮起的气体，利用推压部件(51)推压晶片W移动时的后方侧，抵抗从喷出孔(3a、6a)喷出的气体产生的试图使晶片W移动的推压力，使晶片W向与气体喷出方向相反侧的热板(6)侧移动，或在利用喷出孔(3a、6a)喷出的气体使晶片W移动时的前方侧推压推压部件(51)的状态下，使该推压部件(51)向与气体的喷出方向相同的方向的冷却板(3)侧移动。

公开(公告)号：CN102029273A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502243.7

申请日：2010-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上川裕二 ,  稻富弘朗 ,  山本秀幸 ,  小宫洋司 ,  江头浩司

IPC: B08B3/12

CPC classification number: B08B3/12 ,  B08B3/048 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明提供一种超声波清洗装置、超声波清洗方法以及记录有用于执行该超声波清洗方法的计算机程序的记录介质。该超声波清洗装置包括：清洗槽，其用于积存清洗液；被处理体保持装置，其被设置成能够插入到清洗槽内，保持被处理体而将被处理体浸渍于清洗液中；振子，其设置在清洗槽的底部；超声波振荡装置，其使振子产生超声波振动。在清洗槽内设有保持被处理体的侧部保持构件。另外，被处理体保持装置利用驱动装置向侧方移动。控制装置以下述方式控制驱动装置：在将被处理体保持于侧部保持构件之后，使被处理体保持装置向侧方移动，并使振子产生超声波振动，使来自振子的超声波振动传播到被处理体。

公开(公告)号：CN1862390A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080314.2

申请日：2006-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林伸一 ,  稻富弘朗

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67109

Abstract: 披露一种衬底加热设备，该设备包括加热衬底的热板以及支承衬底并且在第一位置和热板之上的第二位置之间运动以便在两个位置之间传递晶片的冷却板。热辐射翅片结构连接到冷却板上以便和冷却板一起运动。翅片结构经由热管热连接到冷却板上。抽吸口布置成在冷却板在初始位置时靠近翅片结构定位。翅片结构通过流过其中并且在抽吸到抽吸口之前的气体冷却，由此冷却板通过经由热管从冷却板传递到翅片结构的热量来冷却。

公开(公告)号：CN211182165U

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201922038291.4

申请日：2019-11-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻富弘朗 ,  枇杷聪 ,  冈村聪

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置谋求超临界干燥处理的効率化。本实用新型的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部，处理容器为进行干燥处理的容器，多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208970482U

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201821591124.1

申请日：2018-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻富弘朗 ,  中村彻 ,  木本晃司 ,  青山义尚

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜的液膜形成处理。干燥组件进行超临界干燥处理，超临界干燥处理通过使液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触，使液膜形成处理后的基片干燥。而且，同一个处理区块包含的液处理组件和干燥组件相对于运送区块的运送装置的移动方向配置在相同侧。本实用新型能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利