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公开(公告)号：CN118786400A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024208.4
申请日：2023-03-15
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明提供一种流量控制装置(10)的排气结构，其具备：流量控制装置(10)，其具备：形成有连通流体入口(13i)和流体出口(13o)的主体流路(13)的主体(11)；设置在主体流路上的控制阀(12)；设置在控制阀的下游的节流部(14)；以及测定控制阀与节流部之间的压力的压力传感器(16)；向流量控制装置供给气体的气体源(2)；在气体源与流量控制装置之间的气体供给路径上的分支点(A)分支的排气路径(4)，在比分支点靠上游的气体供给路径(3)配设第一阀(V1)，并且在排气路径配设第二阀(V2)，在从控制第一流量的状态变更为第二流量的控制时，在控制阀(12)打开的状态下，关闭第一阀(V1)并且打开第二阀(V2)，由此将积存在从控制阀到节流部之间的气体从排气路径(4)排出。
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公开(公告)号：CN112286238B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202011142969.4
申请日：2017-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06 , F16K1/32 , F16K1/36 , F16K1/42 , F16K31/02 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法，为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统，具备：第1流路，连接第1气体的第1气源与腔室；第2流路，连接第2气体的第2气源与第1流路；控制阀，设置于第2流路，并将第2气体的流量控制为规定量；节流孔，设置于控制阀的下游且为第2流路的末端；开闭阀，设置于第1流路与第2流路的末端的连接部位，并控制从节流孔的出口向第1流路供给的第2气体的供给定时；排气机构，连接于第2流路中控制阀与节流孔之间的流路，并排出第2气体；及控制器，使控制阀、开闭阀及排气机构动作。
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公开(公告)号：CN112786424A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011144922.1
申请日：2020-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、基板处理装置和气体供给系统的控制方法，抑制吹扫气体向配管的上游侧的逆流。气体供给系统具有：配管，其供基板处理所使用的处理气体流通；吹扫气体导入管，其与配管连接并且向配管导入吹扫气体；第1阀，其设于配管的比与吹扫气体导入管连接的连接点靠上游侧的位置；第2阀，其设于配管的比第1阀靠上游侧的位置；以及控制部，其在使处理气体向配管流通的情况下，将第1阀以及第2阀维持为开状态，并且在将在配管内流通的气体自处理气体向吹扫气体切换的情况下，将第1阀以及第2阀自开状态向闭状态切换。
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公开(公告)号：CN112286238A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011142969.4
申请日：2017-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06 , F16K1/32 , F16K1/36 , F16K1/42 , F16K31/02 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法，为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统，具备：第1流路，连接第1气体的第1气源与腔室；第2流路，连接第2气体的第2气源与第1流路；控制阀，设置于第2流路，并将第2气体的流量控制为规定量；节流孔，设置于控制阀的下游且为第2流路的末端；开闭阀，设置于第1流路与第2流路的末端的连接部位，并控制从节流孔的出口向第1流路供给的第2气体的供给定时；排气机构，连接于第2流路中控制阀与节流孔之间的流路，并排出第2气体；及控制器，使控制阀、开闭阀及排气机构动作。
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公开(公告)号：CN112216587A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010636740.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够计算处理装置的与流量控制器有关的性能的性能计算方法和处理装置。性能计算方法获取多个流量控制器的出厂检查数据。性能计算方法基于获取到的出厂检查数据和表示流量控制器的性能的每个项目的第一系数，来计算通过偏差值表示每个流量控制器的性能的第一性能值。性能计算方法基于计算出的第一性能值和表示使用流量控制器的处理装置的性能的每个项目的第二系数，来计算通过偏差值表示处理装置的性能的第二性能值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111758153A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980015362.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 泽地淳
IPC: H01L21/3065 , G05D7/06
Abstract: 流量控制器具有：阀，其能够控制向处理装置供给的气体的流量；以及阀控制部，其在从处理装置发出指示开始进行气体的供给的指令的时间点，打开阀来开始控制气体的流量，从发出指令的时间点起以规定的周期将气体的流量进行累计来计算累计流量，并且在计算出的累计流量达到规定的目标累计流量的时间点，关闭阀来停止控制气体的流量。
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公开(公告)号：CN107709953B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201680037263.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01M3/28 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种检查气体供给系统的阀泄漏的方法。本发明的阀设置于与多个气体源连接的多个配管上。在本发明的一实施方式的方法中，设置于与气体源连接的第1配管上的第1阀被关闭，在该第1阀的下游设置于第1配管上的第2阀被打开。然后，在第1配管的下游利用压力计检测压力上升。另外，第1阀被打开，第2阀被关闭。然后，在第1配管的下游利用压力计检测压力上升。
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公开(公告)号：CN107709953A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680037263.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01M3/28 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种检查气体供给系统的阀泄漏的方法。本发明的阀设置于与多个气体源连接的多个配管上。在本发明的一实施方式的方法中，设置于与气体源连接的第1配管上的第1阀被关闭，在该第1阀的下游设置于第1配管上的第2阀被打开。然后，在第1配管的下游利用压力计检测压力上升。另外，第1阀被打开，第2阀被关闭。然后，在第1配管的下游利用压力计检测压力上升。
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公开(公告)号：CN106257623A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610437677.0
申请日：2016-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/455 , C23C16/45561 , G01F1/684 , G05D7/0635 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67017 , H01L21/67253 , H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32366
Abstract: 本发明的课题在于提高工艺的生产量。一个实施例中的气体供给系统具有构成气体供给系统的多个构成部件和用于配置多个构成部件的基座(212)。在多个构成部件中，一部分构成部件配置于基座(212)的一个面(212a)，另一部分构成部件配置于作为基座(212)的一个面(212a)的背面的另一个面(212b)。在一个实施例中，多个构成部件例如是流量控制器(FD)和二次侧阀(FV2)，二次侧阀(FV2)配置于配置有流量控制器(FD)的基座(212)的面(212a)的背侧的面(212b)。
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公开(公告)号：CN103334091A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201210457238.8
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供真空处理装置。成膜装置通过在真空容器内多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环而在基板的表面将薄膜成膜，其具有：设置在真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与多个下部件分别对置地设置，在与载置区域之间形成处理空间的多个上部件；向处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将处理空间经由排气用开口部以及真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。
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