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公开(公告)号：CN110379700A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910293114.2
申请日：2019-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种生成等离子体的方法，能够快速抑制高频电力的反射。在一个实施方式的方法中，从高频电源经由匹配器向电极供给高频电力，以在腔室中生成等离子体。在供给高频电力的期间，根据反映腔室内的等离子体的产生的一个以上的参数来判定在腔室内是否生成了等离子体。在判定为没有生成等离子体的情况下，调整由高频电源输出的高频电力的频率，以将高频电源的负载侧电的抗设定为零或者使该负载侧的电抗接近零。
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公开(公告)号：CN107221493A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710172873.4
申请日：2017-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永海幸一
IPC: H01L21/263 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种依次执行多个循环的等离子体处理方法，该多个循环各自包括依次执行的多个阶段，该多个阶段是在处理容器内生成相互不同的处理气体的等离子体的多个阶段，在从先实施的阶段转移至后续阶段后的适当的时刻改变高频的设定和/或直流电压的电平的设定。在一个实施方式所涉及的等离子体处理方法中，向等离子体处理装置的第一电极和第二电极中的一个电极供给高频。从先实施的阶段转移至后续阶段时切换气体供给系统所输出的处理气体。在切换处理气体后，在反映等离子体的阻抗的参数超出了阈值的时刻，改变高频的设定和/或负极性的直流电压的电平的设定。
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公开(公告)号：CN119153303A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411261834.8
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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公开(公告)号：CN118098921A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410266702.8
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内的载置台，其用于支承基片，包括静电吸盘和下部电极；高频电源，其供给用于激发供给到腔室的气体的高频；一个以上的直流电源，其产生施加到载置台的具有负极性的偏置用的直流电压；切换单元，其能够停止对载置台施加直流电压；和控制切换单元的控制器，控制器控制切换单元，以使得作为偏置用，仅将来自一个以上的直流电源的负极性的直流电压周期性地施加到载置台，在将规定施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到载置台的时间所占的比例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110416116B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910332773.2
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置台的被处理体进行蚀刻处理时，其从直流电源对载置台周期性地施加负直流电压，随着蚀刻处理的处理时间的经过，降低施加到载置台的负直流电压的频率。
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公开(公告)号：CN113948364A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110773998.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供能够在等离子体处理中恰当地控制基片的边缘区域的倾斜角度、并抑制基片与边缘环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内部的载置台，其具有电极、设置在电极上的静电卡盘、和以包围被载置在静电卡盘上的基片的方式配置在该静电卡盘上的边缘环；高频电源，其用于供给用于从腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；直流电源，其用于对边缘环施加负极性的直流电压；和控制部，其用于控制高频电功率和直流电压。执行包括下述步骤的处理：步骤(a)，停止供给高频电功率，并且停止施加直流电压；和步骤(b)，开始供给高频电功率，经过预先设定的延迟时间后，开始施加直流电压。
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公开(公告)号：CN109411322B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810939779.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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公开(公告)号：CN107221493B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710172873.4
申请日：2017-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永海幸一
IPC: H01L21/263 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种依次执行多个循环的等离子体处理方法，该多个循环各自包括依次执行的多个阶段，该多个阶段是在处理容器内生成相互不同的处理气体的等离子体的多个阶段，在从先实施的阶段转移至后续阶段后的适当的时刻改变高频的设定和/或直流电压的电平的设定。在一个实施方式所涉及的等离子体处理方法中，向等离子体处理装置的第一电极和第二电极中的一个电极供给高频。从先实施的阶段转移至后续阶段时切换气体供给系统所输出的处理气体。在切换处理气体后，在反映等离子体的阻抗的参数超出了阈值的时刻，改变高频的设定和/或负极性的直流电压的电平的设定。
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公开(公告)号：CN111146061A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911058656.8
申请日：2019-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。
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