一种图形化衬底制作方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103337566A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310243141.1

    申请日:2013-06-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种图形化衬底制作方法。本方法在衬底的正面采用光刻工艺定义出部分图形化衬底的图案区域,然后在衬底的正面淀积阻挡层,采用lift-off工艺剥离光刻胶,留下衬底表面的阻挡层。再进行一次光刻工艺第一出剩余部分图形化衬底的图案区域,然后在衬底的正面淀积阻挡层,采用lift-off工艺剥离光刻胶,留下衬底表面的阻挡层。最后进行干法或湿法刻蚀工艺,形成图形化衬底。如此可以解决曝光视场之间产生拼接误差,图案拼接部分发生形变,影响HBLED的发光效率的问题。

    二氧化硅包覆掺银氧化锌纳米晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN101850980A

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN201010186258.7

    申请日:2010-05-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明是涉及一种二氧化硅包覆掺银氧化锌纳米晶体的制备方法,属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物其内核为掺银氧化锌纳米棒,在其表面包覆二氧化硅。本发明的制备方法是:首先采用利用环己烷/曲拉通X-100/正己醇/水溶液的反相微乳体系制备Zn2+:Ag+微乳液和NaOH微乳液,并将两者混合反应一段时间后生成Ag+掺杂的[Zn(OH)4]2-前驱体,然后利用异质絮凝法向前躯体中加入一定量的正硅酸四乙酯和氨水,搅拌一段时间后,经洗涤干燥,得到二氧化硅包覆掺银氧化锌纳米晶体。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少;它可应用于生物识别、药物分离和生物跟踪等领域。

    温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法

    公开(公告)号:CN113061971B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110214026.6

    申请日:2021-02-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法,基于溶液法,利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点,在析晶点附近,人为制造温差,可控诱导成核,达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢,金属传热快,在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差,且该范围区域的温度高于其他位置,使该区域溶解度降低,相对低于其他位置,以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核,可控生长;原料利用率高;生长出来的晶体质量高,形状规则,受到应力小,该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。

    纳米晶体及其制备方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109705862A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910080798.8

    申请日:2019-01-28

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及材料科学领域,公开了一种纳米晶体制备方法,包括如下步骤:a.将CsBr,PbBr2和MnCl2按照大体上为1:1:3的比例,加入到装有DMF的容器中,然后采用超声振荡使之完全溶解,获得第一前驱液;继续在溶液中加入酸和胺来稳定第一前驱液,获得第二前驱液;将所述第二前驱液加入到快速搅拌的甲苯溶液中,发生反应,获得掺杂了Mn2+的CsPb(Br/Cl)3纳米晶体。本发明所得产物结晶性好,光学性能优良。

    具有高荧光产率的ZnTe量子点的水相制备方法

    公开(公告)号:CN104610971B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201510029123.2

    申请日:2015-01-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种具有高荧光产率的ZnTe量子点的水相制备方法,属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为ZnTe量子点,其制备方法是:首先利用硼氢化钠(NaBH4)和碲粉(Te)反应制备碲氢化钠(NaHTe),然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的乙酸锌、3‑巯基丙酸、巯基乙酸溶液中,两者反应生成ZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、量子点荧光产率高、团聚少,它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。

    SOC芯片频率测试方法
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105182067A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510638196.1

    申请日:2015-09-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种SOC芯片频率测试方法,使用ATE测试芯片时钟系统,芯片通过测试端口传输信号到信号通道,然后再传输到ATE中进行测试。这样每个测试信号对应一个信号通道。对测试结果比特化,得到测试数据。启用ATE上HRAM的OneBitMode,将比特化数据放入HRAM中。对测试数据进行快速傅立叶变换FFT处理,并加上汉宁窗以减少误差并且更容易进行插值运算。本算法优势在于通过加汉宁窗,有利于插值运算并且筛选出FFT之后的多余信息,最后通过插值运算得到最终频率。并且FFT算明显耗时短,明显减少测试时间。而通过插值运算明显提升测试精度,最终提升测试效率。

    碲化锌包覆Cu掺杂ZnSe量子点的水相制备方法

    公开(公告)号:CN102703084B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201210184194.6

    申请日:2012-06-06

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明是涉及一种碲化锌包覆的铜掺杂硒化锌量子点的水相制备方法,属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物其内核为掺铜的硒化锌量子点,在其表面包覆碲化锌。本发明的制备方法是:首先利用硼氢化钠和硒粉反应制备硒氢化钠,然后将硒氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的硝酸锌/3-巯基丙酸溶液中,两者反应生成ZnSe:Cu量子点溶液,然后向ZnSe:Cu量子点溶液中加入一定量的碲氢化钠溶液(制备方法同硒氢化钠)即可形成碲化锌包覆的铜掺杂硒化锌量子点。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少;它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。

    酸性条件下CdZnTe量子点的水相制备方法

    公开(公告)号:CN103320135A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310244030.2

    申请日:2013-06-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明是涉及一种CdZnTe量子点酸性条件下的水相制备,属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为CdZnTe量子点,其制备方法是:首先利用硼氢化钠(NaBH4)和碲粉(Te)反应制备碲氢化钠(NaHTe),然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的硝酸锌/硝酸镉/3-巯基丙酸溶液中,两者反应生成CdZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、量子产率高、团聚少;它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。

    ZnSe:Ag量子点的水相制备方法

    公开(公告)号:CN103320133A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310242747.3

    申请日:2013-06-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明是涉及一种ZnSe:Ag量子点的水相制备方法,属复合纳米微晶材料技术领域。本发明的制备方法是:首先利用硼氢化钠(NaBH4)和硒粉反应制备硒氢化钠(NaHSe),然后将硒氢化钠注入到用氢氧化钠调节好pH的硝酸锌/3-巯基丙酸溶液中,两者反应生成淡黄棕色透明的ZnSe:Ag量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少;它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。

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