公开(公告)号：CN1323059A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN00135979.7

申请日：2000-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4966

Abstract: 关于具备多晶硅金属栅的半导体装置,可得到即使在导入到半导体膜内的杂质扩散到阻挡膜内的情况下也能抑制栅电阻的上升的半导体装置的制造方法。首先,在硅衬底1上按顺序形成氧化硅膜2和掺杂多晶硅膜3b。其次,在掺杂多晶硅膜3b上形成掺杂多晶硅－锗膜6b,作为其杂质的激活率比多晶硅的杂质的激活率高的膜。其次,在掺杂多晶硅－锗膜6b上按顺序形成阻挡膜7、金属膜8和阻挡膜9。

公开(公告)号：CN1304172A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00131478.5

申请日：2000-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 降低相邻布线间产生的布线电容,获得半导体器件的制造方法。在形成TEOS膜1后,通过CVD法或PVD法,在TEOS膜1上形成FSG膜2。而且,为了稀有气体原子可进入膜中,继续FSG膜的CVD或PVD,形成稀有气体原子含有层3。接着,以稀有气体原子含有层3上形成的抗蚀剂4用作掩模,顺序地腐蚀稀有气体原子含有层3和FSG膜2。然后,在除去抗蚀剂4后,在整个表面上形成阻挡金属6和铜膜7。接着,通过CMP法,顺序地研磨除去铜膜和阻挡金属6,直至稀有气体原子含有层3的上表面露出。由此,作为未被研磨的残留铜膜7,形成填充沟5内的铜布线9。

公开(公告)号：CN1222986C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01142901.1

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明的课题在于得到能适当地抑制因掺杂剂的穿透引起的阈值电压的变动的半导体装置的制造方法。在非晶硅膜21内注入高浓度的氢离子40。利用氢离子40的离子注入，在非晶硅膜21内形成氢离子注入层41。其次，通过进行热处理，在形成了氢离子注入层41部分以外的非晶硅膜21内形成柱状晶粒。另一方面，在氢离子注入层41内形成粒状晶粒。粒状晶粒层42具有沿多晶硅膜44a的膜厚方向延伸的晶粒边界及沿多晶硅膜44a的膜厚方向以外的方向延伸的晶粒边界等在多个方向上延伸的多个晶粒边界。

公开(公告)号：CN1215426C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02157005.1

申请日：2002-12-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: G06G7/12

CPC classification number: H03H11/1291 ,  H03H11/1204

Abstract: 在包括滤波器和放大器等的模拟电路中，提供一种能修正制造工序中的加工离散引起的各元件的值的离散的模拟电路。滤波器FT1是将磁隧道电阻MR和电容器C连接成L型的低通滤波器。另外，在滤波器FT1中，端子T1及T2是输入端子，端子T3及T4是输出端子。另外，通过电流源IP供给改变磁隧道电阻MR的磁化方向的电流。

公开(公告)号：CN1577617A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410064298.9

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克已 ,  前田茂伸

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，配备存储器单元阵列和电感，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述至少一个磁隧道结具有可变更磁化方向的软铁磁层，所述电感在沿着作为所述软铁磁层的易磁化方向的易磁化轴的方向上产生磁场。

公开(公告)号：CN1175492C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN98119287.4

申请日：1998-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  园田贤一郎

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/04 ,  H01L27/0251

Abstract: 本发明的目的在于得到容易制造抗软错误、锁定、ESD的性能强的集成电路的半导体集成电路的衬底。在形成存储单元部(5)、逻辑部(6)和输入输出部(8)的各部分的区域中，与各部分必须具有的抗软错误、锁定、ESD的性能相一致，使杂质浓度比衬底单晶(51、55)低的半导体表面层的膜厚变化。

公开(公告)号：CN1134059C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN98118562.2

申请日：1998-09-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76235 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，具备：在设置多个元件的半导体衬底的主面上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成回流玻璃的工序；为了分离所述多个元件，在所述主面上贯通所述回流玻璃和所述绝缘膜，在半导体衬底内部形成具有底面的隔离槽的工序；以及使所述回流玻璃回流，在所述底面的上方封住所述隔离槽的工序。

公开(公告)号：CN1452114A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02157005.1

申请日：2002-12-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: G06G7/12

CPC classification number: H03H11/1291 ,  H03H11/1204

Abstract: 在包括滤波器和放大器等的模拟电路中，提供一种能修正制造工序中的加工离散引起的各元件的值的离散的模拟电路。滤波器FT1是将磁隧道电阻MR和电容器C连接成L型的低通滤波器。另外，在滤波器FT1中，端子T1及T2是输入端子，端子T3及T4是输出端子。另外，通过电流源IP供给改变磁隧道电阻MR的磁化方向的电流。

公开(公告)号：CN1380697A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01143671.9

申请日：2001-12-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/112

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0475 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明的课题的目的在于得到能抑制擦除时的干扰不良现象发生的非易失性半导体存储器。位线BL在矩阵的列方向上延伸而被形成。在沟道区CH上形成了栅电极9。非易失性半导体存储器具备互相连接栅电极9与字线用的栓10。各行的字线分别具有2条子字线WL。子字线WL1a、WL1b和子字线WL2a、2b分别是属于同一行的子字线。子字线WL1a与栓1012、1014接触,子字线WL1b与栓1011、1013接触,子字线WL2a与栓1022、1024接触,子字线WL2b与栓1021、1023接触。

公开(公告)号：CN1371068A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01142585.7

申请日：2001-10-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: G06F17/30 ,  G06F17/60

CPC classification number: G06Q30/02 ,  G06Q50/184

Abstract: 本发明的目的是实现容易具体把握IP和半导体制造装置适用于实际半导体装置制造时的图象的半导体装置的构造信息和有关设计信息的信息提供装置及信息提供系统,而且,提供广告效果较高的广告方法。在服务器和独立操作计算机中存储有关半导体装置CP1构造的图形信息和有关各功能块IP和半导体制造装置的信息IF2,并相关地输出两者。并且,通过网络,信息终端可以在上述服务器中存取,通过电子商务交易,可以购入IP和半导体制造装置的制法、其他软件等。另外,广告代理店经营服务器,在半导体装置的制造者、IP厂商、半导体制造装置的销售者等各公司间,收取广告费用、IP使用费。