公开(公告)号：CN106688183A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201480081850.7

申请日：2014-09-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中喜隆 ,  中山靖 ,  玉田美子 ,  高木宏之 ,  石川纯一郎 ,  大津一宏 ,  三富直彦

IPC: H03K17/08 ,  H02M1/08 ,  H03K17/687

Abstract: 自灭弧式半导体元件(302)的短路保护电路包括第1保护电路(304)和第2保护电路(101)。第1保护电路(304)构成为在检测到在自灭弧式半导体元件(302)的第1以及第2主电极之间(802、803)流过过电流这一情况的场合下，使控制电极(801)与第1主电极(802)之间的电压减少。第2保护电路(101)构成为检测在用于供给驱动电压的布线(411)中流过的电流，基于检测到的电流判断第1保护电路(304)是否处于动作状态，在第1保护电路(304)为动作状态的情况下以使自灭弧式半导体元件(302)截止的方式使驱动电压变化。

公开(公告)号：CN103190048B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180052094.1

申请日：2011-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中山靖 ,  东圣

IPC: H02H7/122 ,  H02H7/125

CPC classification number: H02H7/1227 ,  H02H7/1213 ,  H02M1/32 ,  H02M3/1588 ,  H02M7/217 ,  H02M7/487 ,  H02M7/537 ,  H02M7/797

Abstract: 控制电路（6）在过电流探测部探测到过电流时，针对能够以正向以及逆向进行开关的开关元件的接通截止控制，在作为使此前流着的电流降低的模式的、该模式是使二极管中的某一个通电的模式的情况下，控制为使与该通电二极管并联地连接的开关元件接通。具体而言，使电流从上下支路的串联连接点向马达（2）流出的相的上支路的开关元件（4a）截止，使下支路的开关元件（4d）接通，使从马达（2）通过串联连接点流入的相的下支路的开关元件（4e）、（4f）截止，使上支路的开关元件（4b）、（4c）接通。由此，即使在发生了过电流的情况下，也抑制与开关元件并联地连接的二极管中流过的电流，以避免过电流所致的劣化、破坏的方式进行保护。

公开(公告)号：CN102187557B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN200980140608.1

申请日：2009-07-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中山靖 ,  中川良介

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H02M1/08 ,  H03K17/08128 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0081

Abstract: 为了得到可以通过简单的电路结构抑制功耗，同时可以实现针对电压变动dV/dt的高速响应，可以防止功率用半导体元件的误动作的功率用半导体元件的驱动电路，具备：控制电路，对功率用半导体元件的导通截止进行控制；直流电源，对功率用半导体元件的控制端子之间供给电压；以及开关元件，连接在功率用半导体元件的控制端子之间，开关元件在直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在直流电源的电源电压降低了的状态下功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使功率用半导体元件的控制端子之间短路。

公开(公告)号：CN102687270A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005358.8

申请日：2011-01-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中山靖 ,  三木隆义 ,  大井健史 ,  多田和弘 ,  井高志织 ,  长谷川滋 ,  田中毅

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。

公开(公告)号：CN101411050B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780011440.5

申请日：2007-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中山靖 ,  大井健史 ,  东矢和义 ,  村端章浩

IPC: H02M7/48 ,  H02M1/32 ,  H02M5/45 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/487 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种电力变换装置，其降低主电路电感，抑制浪涌电压，并且构成为元件被恰当地冷却，同时使装置整体小型、轻量化，进而使制造时、维修时的操作性好。由IGBT模块(1)、(2)以及耦合二极管模块(5)、安装这些模块的冷却板(9)、连接到各模块上的层叠母线(11)构成正侧臂单元(100)，由IGBT模块(3)、(4)以及耦合二极管模块(6)、安装这些模块的冷却板(10)、连接到各模块上的层叠母线(12)构成负侧臂单元(101)，利用层叠母线(13)将两层叠母线(11)、(12)和电容器(7)、(8)进行连接。两冷却板(9)、(10)配置成平行地、使安装面方向相同。

公开(公告)号：CN101411050A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011440.5

申请日：2007-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中山靖 ,  大井健史 ,  东矢和义 ,  村端章浩

IPC: H02M7/48 ,  H02M1/00

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/487 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种电力变换装置，其降低主电路电感，抑制浪涌电压，并且构成为元件被恰当地冷却，同时使装置整体小型、轻量化，进而使制造时、维修时的操作性好。由IGBT模块(1)、(2)以及耦合二极管模块(5)、安装这些模块的冷却板(9)、连接到各模块上的层叠母线(11)构成正侧臂单元(100)，由IGBT模块(3)、(4)以及耦合二极管模块(6)、安装这些模块的冷却板(10)、连接到各模块上的层叠母线(12)构成负侧臂单元(101)，利用层叠母线(13)将两层叠母线(11)、(12)和电容器(7)、(8)进行连接。两冷却板(9)、(10)配置成平行地、使安装面方向相同。

公开(公告)号：CN110622307B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880029986.1

申请日：2018-01-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野新也 ,  中山靖

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 提供能够更加提高由电流所导致的寄生电感的抵消效果的半导体模块及包括该半导体模块的电力变换装置。半导体模块具备第1引线框架(14)、第2引线框架(13)、第3引线框架(16)、绝缘材料(31)、第1半导体元件(C1)及第2半导体元件(C2)。第1引线框架(14)为被施加第1电位的平板状的布线路径。第2引线框架(13)为包括输出端子的平板状的布线路径。第3引线框架(16)为被施加第2电位的平板状的布线路径。绝缘材料(31)以使第1及第2引线框架(14、13)一体化的方式进行密封。第1半导体元件(C1)经由接合材料(G1)而与第1引线框架(14)直接接合，第2半导体元件(C2)经由接合材料(G2)而与第2引线框架(13)直接接合。第1引线框架(14)与第2引线框架(13)隔着绝缘材料(31)对置。

公开(公告)号：CN110612600B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201880030191.2

申请日：2018-01-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河原知洋 ,  堀口刚司 ,  玉田美子 ,  中山靖

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提高半导体装置的劣化的检测精度。第1金属图案(51)、第2金属图案(52)与控制部(100)连接。键合线(41)连接第1金属图案(51)和发射极电极(31)。线状导体(1a)连接于第1电极焊盘(311)与第2电极焊盘(312)之间。第1键合线(411～414)连接第1电极焊盘(311)和第2金属图案(52)。第2键合线(415～418)连接第2电极焊盘(312)和第2金属图案(52)。控制部(100)在第1金属图案(51)和第2金属图案(52)之间的电位差超过阈值的情况下检测出半导体装置(1)的劣化。

公开(公告)号：CN111033735A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880052280.7

申请日：2018-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中岛纯一 ,  森崎翔太 ,  玉田美子 ,  中山靖 ,  根岸哲 ,  津田亮 ,  林田幸昌 ,  伊达龙太郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 多个半导体开关元件(12)的栅极通过导线(15)与共同的栅极控制图案(10)电连接。多个半导体开关元件(12)的源极通过导线(16)与共同的源极控制图案(11)电连接。栅极控制图案(10)针对并联连接而并行动作的多个半导体开关元件(12)隔着源极控制图案(11)配置，所以导线(15)比导线(16)长，具有比导线(16)大的电感。由此，减轻或者抑制并联连接而并行动作的多个半导体开关元件(12)中的栅极振荡。

公开(公告)号：CN107852102B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201680042550.7

申请日：2016-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 椋木康滋 ,  中山靖 ,  岩蕗宽康 ,  石井佑季 ,  岩泽佳祐

IPC: H02M5/458 ,  H02M7/217 ,  G05F1/10 ,  H02M1/42 ,  H02M7/48 ,  H02M1/44 ,  H02M7/5387 ,  H03K7/08

Abstract: 二极管整流器(110)将从中性点接地的三相交流电源(100)输出的交流电压整流为直流电压。平滑电容器(120)将通过二极管整流器(110)整流出的直流电压平滑化。逆变器(130)将已通过平滑电容器(120)平滑化的直流电压变换为希望的交流电压。双向开关(160)及Y电容器(170)串联连接于平滑电容器(120)的一端与接地之间。检测器(180)对平滑电容器(120)两端的电压进行检测。控制部(190)与检测器(180)的输出相对应地对双向开关(160)进行驱动。