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公开(公告)号：CN101245123A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810002087.0
申请日：2008-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F222/40 , C08F212/04 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: C08F212/32 , C08F212/14 , H01L51/0036 , H01L51/052 , C08F222/36 , C08F2222/404
Abstract: 本发明公开了一种共聚物，其可包括能够降低绝缘层表面能从而改善半导体材料的校准的侧链、和包含具有提高的交联度的光反应性官能团从而改善使用其制得的有机薄膜晶体管的特性的侧链，还公开了包括该共聚物的有机绝缘层组合物、包括其的有机绝缘层、有机薄膜晶体管、电子器件及其制造方法。根据示例性实施方案的共聚物，可降低绝缘层的表面能，使得可改善半导体材料的校准，由此改善阈电压和电荷迁移率并减少在驱动该晶体管时滞后现象的产生。
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公开(公告)号：CN101200471A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710181168.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K19/3491 , C07D495/22 , C09K19/3494 , C09K19/40 , C09K2019/3408 , H01L51/0056 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供包括其中所有六个环可以稠合在一起的二－噻吩并－苯并－噻吩并－噻吩衍生物的杂并苯化合物、包括该杂并苯化合物的有机薄膜、以及包括作为载流子传输层的该有机薄膜的电子器件。本发明的化合物可以具有紧密平面结构从而实现溶剂溶解性和加工性能的改善。当该化合物用于电子器件时，可以应用沉积工艺或室温溶液工艺，并且也可以有效地实现分子间堆积和堆叠，导致电学性能提高，包括增加的电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN101192651A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710163090.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0021 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法。根据该方法，有机薄膜晶体管的半导体层和源/漏电极之间界面的稳定性可得到保证。因此，通过该方法制成的有机薄膜晶体管可具有改进的性能特性，如，最小化的或下降的接触电阻和增加的电荷载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN101157758A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710153177.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C08G65/007 , C08L29/04 , C08L71/02 , C08L2205/05 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/04 , G03F7/0757 , C08L2666/04
Abstract: 公开了一种全氟聚醚衍生物和光敏聚合物的共聚物，包含该共聚物的用于形成堤的组合物，和使用该组合物形成堤的方法。还公开了一种包含该组合物的有机薄膜晶体管，和包括该有机薄膜晶体管的电子器件。使用该共聚物可以使得能够通过溶液涂布方法形成堤。因为可以制造包括该方法形成的堤的有机薄膜晶体管，而有机薄膜晶体管的特性没有任何退化，可以表现出改善的电子性质。
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公开(公告)号：CN101154588A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153180.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种能够经受低温工艺的介电薄膜用组合物。具体地说，本发明涉及一种使用该组合物而形成的金属氧化物介电薄膜、其制备方法、包含该介电薄膜的晶体管器件、和包含该晶体管器件的电子器件。应用了该介电薄膜的电子器件具有优异的电性能，从而同时满足低操作电压和高电荷迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100365733C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410068469.5
申请日：2004-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B33/08
CPC classification number: G11B17/056 , G11B33/08 , G11B33/1486
Abstract: 一种光盘驱动器，包括：具有一转盘的一主架；可在其上放置光盘并可在所述主架中滑动的一托盘；覆盖所述主架顶面并且包括一用于固定转盘上的光盘的卡持器的一壳体；以及一个减噪器，其安装在所述壳体上，可使由于光盘的旋转产生的空气从光盘圆周内流通到圆周外并从圆周外流通到圆周内，从而减少了噪音。
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公开(公告)号：CN1607685A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410088162.1
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/04 , C08K5/057 , C08K5/56 , C08L83/04 , C09D183/06 , H01B3/18 , H01L21/02172 , H01L21/02186 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0052 , H01L51/0537 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , C08L2666/02
Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机－无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。
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公开(公告)号：CN1577603A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410068469.5
申请日：2004-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B33/08
CPC classification number: G11B17/056 , G11B33/08 , G11B33/1486
Abstract: 一种光盘驱动器，包括：具有一转盘的一主架；可在其上放置光盘并可在所述主架中滑动的一托盘；覆盖所述主架顶面并且包括一用于固定转盘上的光盘的卡持器的一壳体；以及一个减噪器，其安装在所述壳体上，可使由于光盘的旋转产生的空气从光盘圆周内流通到圆周外并从圆周外流通到圆周内，从而减少了噪音。
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公开(公告)号：CN1175294C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00101652.0
申请日：2000-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/14
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/136 , G02B6/138 , G02B6/305 , G02B2006/12069 , G02B2006/12097
Abstract: 公开了一种模式形状转换器及其制造方法和利用该部件的集成光学器件。模式形状转换器插入在包含于光学器件中的功能执行单元的输入端子或输出端子与光纤之间、并适合于把光纤模式与功能执行单元的输入或输出端子模式耦合，并且包括：基片、下包层、下肋形波导、纤芯、上肋形波导和上包层。纤芯用单一介质制成。由下肋形波导限定的阶梯式图案仅局部地存在于耦合和转换区域，因此简化了上肋形波导图案的形状。相应地简化了模式形状转换器的制造。
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公开(公告)号：CN1122187C
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN98124415.7
申请日：1998-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/10
CPC classification number: C03C17/02 , C03C17/3411 , C03C2218/33 , G02B6/136 , G02B2006/1215
Abstract: 一种在一个腔室里制作平面光波导的方法，包括的步骤是：在基片上沉积一包覆层和一核心层，在核心层上沉积一腐蚀掩膜层，并在腐蚀遮挡层上形成光刻胶图案，依照光刻胶图案，使用第一种气体，形成腐蚀掩膜图案，并除去第一种气体。根据腐蚀掩膜图案使用第二种气体，通过对核心层腐蚀形成光波导，使用第一种气体除去腐蚀掩膜图案然后在上述步骤的最终结构上沉积与核心层相同材料的顶层包覆层。
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