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公开(公告)号：CN102298970B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
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公开(公告)号：CN102832337A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210113464.4
申请日：2012-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。
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公开(公告)号：CN102568582A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110390449.X
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C2013/0073
Abstract: 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以使得将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值；感测流过施加了第一电压的可变电阻器件的第一电流；确定第一电流是否属于第一电流范围；以及如果第一电流不属于第一电流范围，则向可变电阻器件施加等于第一电压的附加第一电压。
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公开(公告)号：CN102298970A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
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公开(公告)号：CN110534570B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910143879.8
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 半导体器件可以包括：从衬底突出的多个第一有源鳍，每个第一有源鳍在第一方向上延伸；从衬底突出的第二有源鳍；以及第一有源鳍上的多个相应的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)。每个第一FinFET包括在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第一栅结构，并且第一栅结构包括第一栅绝缘层和第一栅电极。第一FinFET形成在衬底的第一区域上，并且具有第一金属氧化物层作为第一栅绝缘层，并且第二FinFET在衬底的第二区域上形成在第二有源鳍上，并且第二FinFET不包括金属氧化物层，而包括第二栅绝缘层，第二栅绝缘层的底表面与第一金属氧化物层的底表面位于同一平面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109935585B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201810833546.3
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。
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公开(公告)号：CN112820730A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011210730.6
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路(IC)装置包括位于衬底上的第一鳍型有源区域和第二鳍型有源区域。设置了多个第一半导体图案，其堆叠在所述第一鳍型有源区域上作为第一FINFET的多个间隔开的第一沟道区域。设置了多个第二半导体图案，其堆叠在所述第二鳍型有源区域上作为第二FINFET的多个间隔开的第二沟道区域。第一栅极结构设置在所述多个第一半导体图案上。该第一栅极结构包括第一材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第一沟道区域之间的空间。此外，第二栅极结构设置在所述多个第二半导体图案上。所述第二栅极结构包括第二材料区域和第三材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第二沟道区域之间的空间。
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公开(公告)号：CN106908558B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201610915550.5
申请日：2016-10-20
Abstract: 本发明提供电导率探测器和包括其的离子色谱系统。该电导率探测器包括流动通道、电极布置和探测器。流动通道具有管形状，该管形状具有包括离子组分的溶液流动通过其的通道直径。电极布置在流动通道上并且包括至少一阳极和至少一阴极。阳极和阴极间隔开小于或等于通道直径的电极间隙。探测器连接到电极布置以探测离子组分的电导率。
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公开(公告)号：CN110491430A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910140654.7
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。
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公开(公告)号：CN109119420A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810654945.3
申请日：2018-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在基板上的第一晶体管和在基板上的第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每个包括竖直地堆叠在基板上且彼此竖直地间隔开的多个半导体图案以及填充半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间的栅极电介质图案和功函数图案。第一晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层，第二晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层和第二功函数金属层，第一晶体管和第二晶体管中的每个的第一功函数金属层具有比第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且第一晶体管具有比第二晶体管的阈值电压小的阈值电压。
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