-
公开(公告)号：CN117935882A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311380034.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 描述了存储器装置和存储器控制器的操作方法，其中，所述操作方法包括：确定针对单元的数据的非运算将由存储器装置执行；在连接到所述单元的位线中形成第一电压与第二电压之间的参考电压，第一电压对应于所述数据，第二电压对应于所述数据的反相数据；通过连接所述位线和位线条，在所述位线中形成第二电压与参考电压之间的第三电压；在所述位线条中形成参考电压；以及基于形成在所述位线中的第三电压和形成在所述位线条中的参考电压来感测反相数据，其中，反相数据包括针对所述单元的所述数据的非运算的输出。
-
公开(公告)号：CN110491430A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910140654.7
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。
-
公开(公告)号：CN108121617A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711096816.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/2906 , G06F11/1048 , G06F11/1076 , H03M13/09 , H03M13/13 , G06F11/1012 , G11C29/04 , G11C29/42 , G11C2029/0411
Abstract: 存储器模块包括数据存储器和至少一个奇偶校验存储器。每个数据存储器包括具有第一存储区域和第二存储区域的第一存储单元阵列，其中，第一存储区域用于存储对应于多个突发长度的数据集，而第二存储区域用于存储用来执行与数据集相关联的错误检测/校正的第一奇偶校验位。至少一个奇偶校验存储器包括具有第一奇偶校验区域和第二奇偶校验区域的第二存储单元阵列，其中，第一奇偶校验区域用于存储与对应于存储在每个数据存储器中的所有数据集的用户数据集相关联的第三奇偶校验位，而第二奇偶校验区域用于存储用于与第三奇偶校验位相关联的错误检测/校正的第二奇偶校验位。
-
公开(公告)号：CN110556156B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910191825.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路、擦洗控制电路和控制逻辑电路。刷新控制电路响应于从存储控制器接收到的第一命令，生成用于刷新存储单元行上的存储区域的刷新行地址。擦洗控制电路对刷新行地址进行计数，并且每当擦洗控制电路计数了刷新行地址中的N个刷新行地址时，生成用于对存储单元行中的第一存储单元行执行擦洗操作的擦洗地址。ECC引擎从第一存储单元行中的至少一个子页面中读取对应于第一码字的第一数据，校正第一码字中的至少一个错误位，并将校正后的第一码字写回对应的存储位置中。
-
公开(公告)号：CN108121617B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201711096816.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器模块包括数据存储器和至少一个奇偶校验存储器。每个数据存储器包括具有第一存储区域和第二存储区域的第一存储单元阵列，其中，第一存储区域用于存储对应于多个突发长度的数据集，而第二存储区域用于存储用来执行与数据集相关联的错误检测/校正的第一奇偶校验位。至少一个奇偶校验存储器包括具有第一奇偶校验区域和第二奇偶校验区域的第二存储单元阵列，其中，第一奇偶校验区域用于存储与对应于存储在每个数据存储器中的所有数据集的用户数据集相关联的第三奇偶校验位，而第二奇偶校验区域用于存储用于与第三奇偶校验位相关联的错误检测/校正的第二奇偶校验位。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110400586A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201811124242.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供了一种半导体存储器器件和具有该半导体存储器器件的存储器系统。该半导体存储器器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元阵列块；以及刷新控制器，被配置为控制存储器单元阵列块来执行正常刷新操作和锤击刷新操作。刷新控制器控制除第一存储器单元阵列块和与第一存储器单元阵列块相邻的一个或多个第二存储器单元阵列块之外的一个或多个第三存储器单元阵列块来在对存储器单元阵列块当中的第一存储器单元阵列块执行正常刷新操作的同时执行锤击刷新操作。
-
公开(公告)号：CN110473577B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910184820.3
申请日：2019-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法。一种示例存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；行锤击处理器，被配置为确定是否执行用于刷新所述多个存储器单元行中的与被密集访问的第一行邻近的邻近存储器单元行的行锤击处理操作，产生确定结果；刷新管理器，被配置为基于行锤击处理器的确定结果执行用于顺序地刷新存储器单元行的正常刷新操作或行锤击处理操作。
-
公开(公告)号：CN110491430B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201910140654.7
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。
-
公开(公告)号：CN111796963A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010108158.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 提供了一种半导体存储器件和包括该半导体存储器件的存储系统。半导体存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括存储块、局部奇偶校验存储块和寄存器块。存储块响应于多个列选择信号分别存储多条部分局部数据，或者响应于全局奇偶校验列选择信号存储第一部分全局奇偶校验。局部奇偶校验存储块响应于多个列选择信号存储局部数据的局部奇偶校验，或者响应于全局奇偶校验列选择信号存储第二部分全局奇偶校验。寄存器块生成包括第一部分全局奇偶校验和第二部分全局奇偶校验的全局奇偶校验。每条局部数据包括部分局部数据，并且全局奇偶校验是多条局部数据和局部奇偶校验的奇偶校验。
-
公开(公告)号：CN108932959A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810131724.8
申请日：2018-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/24 , G11C11/4078
CPC classification number: G11C11/40615 , G11C11/40611 , G11C11/408 , G11C7/24 , G11C11/4078
Abstract: 提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.021 seconds)
