公开(公告)号：CN112820730A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011210730.6

申请日：2020-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  吴承河 ,  金洛焕 ,  朴珉正 ,  李东洙

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路(IC)装置包括位于衬底上的第一鳍型有源区域和第二鳍型有源区域。设置了多个第一半导体图案，其堆叠在所述第一鳍型有源区域上作为第一FINFET的多个间隔开的第一沟道区域。设置了多个第二半导体图案，其堆叠在所述第二鳍型有源区域上作为第二FINFET的多个间隔开的第二沟道区域。第一栅极结构设置在所述多个第一半导体图案上。该第一栅极结构包括第一材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第一沟道区域之间的空间。此外，第二栅极结构设置在所述多个第二半导体图案上。所述第二栅极结构包括第二材料区域和第三材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第二沟道区域之间的空间。