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公开(公告)号：CN102104049A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010570119.4
申请日：2010-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋溱镐 , 崔新逸 , 洪瑄英 , 金时烈 , 李基晔 , 尹在亨 , 金成烈 , 徐五成 , 裴良浩 , 郑钟铉 , 杨东周 , 金俸均 , 吴和烈 , 洪泌荀 , 金柄范 , 朴帝亨 , 丁有光 , 金钟仁 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L23/52 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/42368 , H01L29/458 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN1828914B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200610057753.1
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN1897285B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610098474.X
申请日：2006-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/133
CPC classification number: H01L27/124 , G02F2001/13629 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN100533710C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510099624.4
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100437307C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410004600.1
申请日：2004-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F2001/136222
Abstract: 本发明涉及一种用于形成液晶显示器的方法，该方法包括形成第一面板和第二面板。形成第一面板的步骤包括：在第一基片部分之上形成黑阵、在黑阵之上形成共同电极、以及在共同电极和黑阵上形成间隔物。形成第二面板的步骤包括：在第二基片之上形成像素电极。第一面板和第二面板设置在彼此之上，以便像素电极面对其间具有液晶层的共同电极和黑阵。第一面板和第二面板之间的垂直距离由间隔物和黑阵的厚度确定。
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公开(公告)号：CN101211044A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710306095.X
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种显示基板，包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并包含与数据线相同的材料。因此，可减小孔径比。
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公开(公告)号：CN101106142A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710146458.8
申请日：2007-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362 , G02F1/133
Abstract: 一种显示基板，包括TFT层、钝化层、有机层、无机绝缘层和像素电极。该TFT层包括栅极线和数据线、薄膜晶体管和存储电极。该数据线与该栅极线相交叉，并通过栅绝缘层与该栅极线电绝缘。该TFT电连接至该栅极线和数据线。该钝化层覆盖住该TFT层。该有机层在该钝化层上。该低温沉积的无机绝缘层在该有机层上，并且该低温为约100℃至约250℃。该像素电极在该无机绝缘层上，以通过穿过该无机绝缘层、有机层和钝化层形成的接触孔电连接至该TFT。该无机绝缘层有助于阻挡来自该有机层的杂质泄漏到该无机绝缘层上方的层中。本发明还涉及一种显示基板的制造方法和一种具有该显示基板的显示装置。
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公开(公告)号：CN1916111A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610110743.X
申请日：2006-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133711 , G02F1/133788 , Y10T428/1005
Abstract: 一种具有液晶取向特性的有机组合物，其包含光敏化合物和式1表示的粘合剂树脂，其中每个R1独立地为氢或甲基；R2是4－16个碳原子的烷基；R3是1－7个碳原子的烷基、1－7个碳原子的环氧烷基、苄基或苯基；l、m和n表示聚合单元的摩尔比，并且分别为约0.01至约0.50、约0.10至约0.60和约0.03至约0.50。
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公开(公告)号：CN1744300A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099624.4
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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