公开(公告)号：CN101552242B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910137759.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN102250439A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010596239.1

申请日：2010-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  寗洪龙 ,  郑敞午 ,  崔在荣 ,  崔元默 ,  申铉振

IPC: C08L33/02 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  B82Y30/00 ,  B32B9/00 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C08L33/02 ,  Y10T428/1064

Abstract: 本发明涉及CNT组合物、CNT层结构体及其制法、液晶显示装置及其制法。所述CNT组合物包含CNT、至少一种分散介质和含有反应性官能团的分散剂。所述CNT层结构体包括基底和设置于所述基底上的CNT层，该CNT层包括以网络形状排列的CNT和吸附到所述CNT并且与所述基底化学键合的有机材料。所述液晶显示装置包括所述CNT层结构体。所述制造CNT层结构体的方法使用所述CNT组合物。所述制造液晶显示装置的方法包括通过使用所述制造CNT层结构体的方法在钝化层上形成像素电极。

公开(公告)号：CN1664686B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200510067727.2

申请日：2005-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  李在敬 ,  郑敞午 ,  赵范锡

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 用于大的平板显示器的多层连线通过在存在前体气体的情况下在基板上淀积钼以形成钼层而形成，所述前体气体包含氧、氮和碳中的至少一种。在所述钼层上淀积铝层。可在所述铝层上形成另一金属层。所述钼层具有面心立方(FCC)晶格结构并具有(111)择优取向。

公开(公告)号：CN100550304C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200380103627.X

申请日：2003-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786 ,  H01L27/00 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345 ,  C22F1/08 ,  C22C9/10

CPC classification number: H01L29/4908 ,  C22C9/00 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 提供一种用于LCD装置的TFT基板及其制造方法。基板(10)、扩散阻挡层(11)和铜合金层(12)相继形成在TFT基板上。铜合金包括约0.5at%至约15at%的一种材料从而形成栅极布线层。该材料用于形成扩散阻挡层(11)。包括诸如Zr、Ti、Hf、V、Ta、Ni、Cr、Nb、Co、Mn、Mo、W、Rh、Pd、Pt等的材料的化合物沉积在扩散阻挡层(11)上至约50至约5,000的厚度。然后所沉积的化合物被热处理从而将所沉积的化合物转变为硅化物化合物(11b)。该晶体管基板具有低电阻和高电导。另外，利用薄扩散阻挡层，蚀刻工艺被简化并且相互扩散被防止。

公开(公告)号：CN101552242A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910137759.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN101487960A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910001897.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宁洪龙 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  朴弘植 ,  尹珠爱 ,  金炳范 ,  李炳珍

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  G03F1/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种显示基板，所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中，并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此，信号线可以固定连接到绝缘基板。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。

公开(公告)号：CN100446260C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510130269.2

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  李制勋 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN100371810C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN02826607.2

申请日：2002-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。栅极绝缘层覆盖该栅极布线。在该栅极绝缘层上形成半导体图案。在该栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在该数据布线上形成钝化层。在该钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线和数据布线包括三层，即粘合层、含银层、以及钝化层。粘合层由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的一种组成，含Ag层由Ag或Ag合金组成，而钝化层由IZO、Mo、Mo合金、Cr、及Cr合金中的一种组成。

公开(公告)号：CN1945813A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610152439.1

申请日：2006-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  赵范锡

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触件；在欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用第一光刻胶作为蚀刻掩膜对第二绝缘层和第一绝缘层进行蚀刻，以露出漏电极的一部分和基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除第一光刻胶。