-
公开(公告)号：CN110137137A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910103231.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L29/78
Abstract: 一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。
-
公开(公告)号：CN112349716B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010267941.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。
-
公开(公告)号：CN117650143A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202310532925.X
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源图案；有源图案上的沟道图案，该沟道图案包括彼此间隔开的多个半导体图案；源/漏图案，连接到多个半导体图案；栅电极，包括：在多个半导体图案中的第一半导体图案和多个半导体图案中的第二半导体图案之间的内电极，第一半导体图案和第二半导体图案彼此相邻；以及多个半导体图案中的最上面的半导体图案上的外电极。
-
公开(公告)号：CN108695377B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201711321445.X
申请日：2017-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117199071A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310660218.9
申请日：2023-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/167
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：鳍型有源区；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区；源极/漏极区，在鳍型有源区上与栅极线相邻并具有面对沟道区的侧壁，其中源极/漏极区包括第一缓冲层、第二缓冲层和主体层，第一缓冲层、第二缓冲层和主体层在远离鳍型有源区的方向上依次堆叠，每个包括掺有p型掺杂剂的Si1‑xGex层(x大于0)，并具有不同的Ge浓度，第二缓冲层共形地覆盖第一缓冲层的面对主体层的表面。第二缓冲层的侧缓冲部分与底缓冲部分的厚度比率在约0.9至约1.1的范围内。
-
公开(公告)号：CN109427783B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810253757.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
-
公开(公告)号：CN116093107A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211241779.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。
-
公开(公告)号：CN107923397B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201680047067.8
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种压缩机包括排放引导件和中压腔室，排放引导件被提供为将排放口和旁路口连通到排放盖，使得从排放口和旁路口排出的制冷剂被引导至排放盖，中压腔室通过固定涡旋盘、背压盖和排放引导件形成。根据实施方式的压缩机通过安装于固定涡旋盘的排放部的排放引导件而保证其中能安装旁路阀的空间，同时形成中压腔室，从而导致压缩机的效率提高。根据实施方式的压缩机通过排放引导件减少了从固定涡旋盘的排放部产生的噪声和振动。
-
公开(公告)号：CN108695377A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201711321445.X
申请日：2017-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0607 , B82Y10/00 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/41725 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7831 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L2029/7858 , B82Y40/00 , H01L29/0684 , H01L29/1033
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.039 seconds)
