公开(公告)号：CN113270483A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202011545324.5

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宇哲 ,  许盛祺 ,  白尚沅 ,  李正韩

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括沟道、栅极结构和源极/漏极层。沟道在垂直方向上堆叠。每个沟道在第一方向上延伸。栅极结构在第二方向上延伸。栅极结构覆盖沟道。源极/漏极层在衬底上连接到沟道的在第一方向上的相反侧壁中的每个，并包括掺杂的半导体材料。源极/漏极层包括分别具有第一杂质浓度和第二杂质浓度的第一外延层和第二外延层。第一外延层覆盖第二外延层的下表面和在第一方向上的相反侧壁。栅极结构的在第一方向上的相反侧壁中的每个的一部分在第一方向上从沟道的在第一方向上的相反侧壁突出，以部分地贯穿第一外延层但不接触第二外延层。

公开(公告)号：CN117650143A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202310532925.X

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚沅 ,  朴范琎 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  庾烋旻 ,  赵南奎

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源图案；有源图案上的沟道图案，该沟道图案包括彼此间隔开的多个半导体图案；源/漏图案，连接到多个半导体图案；栅电极，包括：在多个半导体图案中的第一半导体图案和多个半导体图案中的第二半导体图案之间的内电极，第一半导体图案和第二半导体图案彼此相邻；以及多个半导体图案中的最上面的半导体图案上的外电极。