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公开(公告)号：CN109521951A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811085087.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0653 , G06F3/0619 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/028 , G06F3/0604 , G06F3/0638
Abstract: 一种特征数据预处理系统包括：数据获取设备，其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据；数据预处理装置，据根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数来生成训练数据，其中剪裁范围是根据第一默认电平和第二默认电平来定义的；以及数据库，其存储从数据预处理装置通信的训练数据。
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公开(公告)号：CN107957851A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710892707.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C16/349 , G06N99/005 , G11C7/14 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/04 , G11C29/42 , G11C29/52 , G06F3/0614 , G06F3/0653
Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置，所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
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公开(公告)号：CN101071641B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710128277.2
申请日：2007-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5642
Abstract: 在一个实施例中，非易失存储装置包括多个常规存储单元，以及至少一个与多个常规存储单元中的一个相关联的标记存储单元。常规页缓冲器被配置为存储从多个常规存储单元中的一个读取的数据。常规页缓冲器包括存储读取数据的主锁存器。控制电路被配置为在读取操作期间基于标记存储单元的状态选择性地改变存储在主锁存器中的数据。
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公开(公告)号：CN117672311A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310548292.1
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储装置和操作其的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；基于第一请求，提供第一字线读取数据，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；基于第一请求，提供第二字线读取数据，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；基于第一字线读取数据和第二字线读取数据计算第一字线间隙值；以及基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。
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公开(公告)号：CN108108810B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201711191140.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115938440A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210858214.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令，其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值；以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。
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公开(公告)号：CN115904218A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210706541.0
申请日：2022-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供包括主机和存储装置的存储系统以及存储系统的操作方法。存储装置包括存储器控制器和存储器装置，其中，存储器控制器的操作方法包括：从主机接收对文件夹的第一模式改变请求，文件夹是用于管理至少一个文件和所述至少一个文件的逻辑地址的单位；以及响应于第一模式改变请求，在第二操作模式下将与逻辑地址对应的第一数据重新写入存储器装置，并使第一数据无效，第一数据是已经在第一操作模式下写入的与逻辑地址和第一数据对应的现有数据，其中，第一模式改变请求将针对包括在文件夹中的所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式。
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公开(公告)号：CN114582401A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111228000.3
申请日：2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了在非易失性存储器件中写入数据的方法、执行写入数据的方法的非易失性存储器件以及使用写入数据的方法操作存储系统的方法。在非易失性存储器件中写入数据的方法中，接收写入命令、写入地址和要被编程的写入数据。在表示验证电平的偏移信息被提供时，接收偏移信息。当通过检查写入数据的输入/输出(I/O)模式而确定写入数据对应于分布劣化模式时，提供偏移信息。当接收到偏移信息时，基于偏移信息对写入数据进行编程，使得存储了写入数据的存储单元的阈值电压分布中包括的多个状态当中的至少一个状态改变。
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公开(公告)号：CN112650443A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011007655.3
申请日：2020-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。
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公开(公告)号：CN112486405A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010945601.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：特征信息数据库，被配置为存储关于存储器设备的特征信息；以及机器学习模块，被配置为基于该特征信息从与存储器设备的操作相对应的多个机器学习模型中选择机器学习模型，其中该存储器设备被配置为根据所选择的机器学习模型来进行操作。
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