公开(公告)号：CN118155671A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311655759.9

申请日：2023-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  姜南旭 ,  任秀埈

IPC: G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储装置包括非易失性存储器和存储控制器。非易失性存储器包括经由多个裸片彼此耦接的多个物理块。多个裸片中的每个裸片经由对应通道耦接到对应存储体。存储控制器被配置为从多个主机接收多条物理功能(PF)数据。存储控制器还被配置为测量多条PF数据和多个裸片的度量。存储控制器还被配置为根据裸片分配策略并且至少基于测量的度量将多条PF数据分配给多个裸片中的一个或多个裸片。多个裸片中的每个裸片被分配给多个主机中的对应主机。

公开(公告)号：CN111009280B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910832232.6

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李觥祐 ,  金灿河 ,  李允井 ,  金志守 ,  卢承京 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC: G11C29/12

Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中，控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。

公开(公告)号：CN116028382A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211327688.5

申请日：2022-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南庚旻 ,  金灿河 ,  张昇龙

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0882 ,  G06F3/06

Abstract: 本申请公开了控制器、存储设备和操作存储设备的方法。一种操作存储设备的方法，该存储设备包括具有最低位密度的第一存储区域、具有中等位密度的第二存储区域和具有最高位密度的第三存储区域，该方法包括：确定与写入命令和要写入的数据一起从主机接收的逻辑地址的热度；基于所确定的热度大于第一热度阈值，确定该第一存储区域的损耗程度是否大于损耗阈值；以及基于该第一存储区域的损耗程度大于该损耗阈值，增大该第一热度阈值并将该数据存储在该第二存储区域中。

公开(公告)号：CN116401185A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211725365.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  李汉奎 ,  南庚旻 ,  张昇龙

IPC: G06F13/16 ,  G06F13/18

Abstract: 提供一种存储控制器和存储装置。所述存储控制器包括：处理器，被配置为执行多个任务；以及调度模块，被配置为通过强化学习调度所述多个任务，并且将调度结果提供给处理器，其中，调度模块包括：资源分析模块，被配置为分析资源的使用历史和使用状态；访问模式分析模块，被配置为分析访问模式；队列分析模块，被配置为分析包括在队列中的信息；以及性能分析模块，被配置为分析任务执行结果，其中，调度模块还被配置为使用状态信息和奖励信息执行强化学习，并且其中，状态信息和奖励信息基于执行所述多个任务的执行而被确定。

公开(公告)号：CN116027971A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211320092.2

申请日：2022-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  南庚旻 ,  张昇龙

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供存储设备及其操作方法。该存储设备，包括：存储器件，其包括具有最低位密度的第一存储区域、具有中等位密度的第二存储区域和具有最高位密度的第三存储区域；以及控制器，被配置为控制该存储器件。该控制器被配置为将来自主机的数据确定为热数据、暖数据和冷数据中的任一者，被配置为将该热数据存储在该第一存储区域中，被配置为将该暖数据存储在该第二存储区域中，被配置为将该冷数据存储在该第三存储区域中，被配置为在包括在该第一存储区域中的第一存储块中选择源块，被配置为选择该第二存储区域和该第三存储区域中的每一者中的目标块，并且被配置为根据存储在该源块中的每项单位数据的热度将该每项单位数据迁移到该目标块中的一个目标块。

公开(公告)号：CN112420109A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010748789.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李熙元

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个单元串，单元串中的至少一个包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元，存储器单元中的至少一个是存储至少三个比特的多层级单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取存储器单元的快速读取页以及存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

公开(公告)号：CN109671462B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN116028380A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211313356.1

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  南庚旻 ,  张昇龙

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0882

Abstract: 提供了一种控制器、存储设备和操作存储设备的方法。所述控制器包括：中央处理器(CPU)，被配置为将与写入命令和数据一起从主机接收到的最新接收到的逻辑地址插入到逻辑地址列表中；热度确定电路，被配置为给所述最新接收到的逻辑地址分配最大权重，按衰减因子减小包括在所述逻辑地址列表中的接收到的逻辑地址的权重，并且对其值与所述最新接收到的逻辑地址的值相等的接收到的逻辑地址的权重求和，以确定所述最新接收到的逻辑地址的热度；参数调整电路，基于包括在所述逻辑地址列表中的所述接收到的逻辑地址的重复性指标来减小所述衰减因子的大小，其中，所述CPU被配置为基于所述热度来控制所述存储器件将所述数据存储在多个存储区域中的一者中。

公开(公告)号：CN116009766A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211301301.9

申请日：2022-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南庚旻 ,  金灿河 ,  张升龙

IPC: G06F3/06 ,  G06N20/00

Abstract: 提供一种存储装置及其操作方法。存储装置包括：存储器装置，其包括第一至第三存储器区域，第一存储器区域相对于第二和第三存储器区域具有最低比特密度，第二存储器区域相对于第一和第三存储器区域具有中等比特密度，并且第三存储器区域相对于第一和第二存储器区域具有最高比特密度；以及控制器，其被配置为控制存储器装置。控制器被配置为基于从主机接收的数据的属性将数据分配给第一至第三存储器区域，基于对第一至第三存储器区域中的每一个的数据分配量和第一至第三存储器区域中的每一个的相应大小来确定当前状态，并且基于用于缓解第三存储器区域的寿命缩短的强化学习结果在当前状态下执行增大或减小第二存储器区域的大小的动作。

公开(公告)号：CN115686351A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210684338.8

申请日：2022-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  南庚旻 ,  张昇龙

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/02

Abstract: 提供了一种存储设备、存储控制器和存储控制器的操作方法。根据本发明构思的存储设备包括非易失性存储器和存储控制器。非易失性存储器包括多个存储器块，每个存储器块包括由于工艺变化而具有不同保持强度的物理单元，并且保持强度分别对应于在物理单元的相应回收操作之前物理单元保持数据的时间。存储控制器从主机接收写入请求和数据，基于数据的热度和保持强度选择第一物理单元，并控制非易失性存储器将数据写入第一物理单元。