公开(公告)号：CN111312745B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN111261771B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910733076.8

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金晥均 ,  李俊明 ,  郑峻昊 ,  皮雄焕

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/00 ,  H10N52/01 ,  H10B61/00

Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。

公开(公告)号：CN109713122B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。

公开(公告)号：CN115207209A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210324734.X

申请日：2022-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  李俊明 ,  郑峻昊 ,  卢恩仙 ,  朴正宪 ,  赵泳俊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一磁图案和第二磁图案；第一磁图案与第二磁图案之间的隧道势垒图案；衬底与第一磁图案之间的底部电极；底部电极与第一磁图案之间的种子图案；以及底部电极与种子图案之间的至少一个扩散势垒图案，其中：至少一个扩散势垒图案的底表面接触底部电极的顶表面，并且至少一个扩散势垒图案的顶表面接触种子图案的底表面，至少一个扩散势垒图案包括非磁金属、或者非磁金属和非金属元素的合金，并且非磁金属包括Ta、W、Nb、Ti、Cr、Zr、Hf、Mo、Al、Mg或V。

公开(公告)号：CN107017337B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201611122010.8

申请日：2016-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金柱显 ,  朴容星 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。

公开(公告)号：CN112501563A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010861459.6

申请日：2020-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙 ,  朴正宪 ,  郑峻昊

IPC: C23C14/34 ,  H01L43/12

Abstract: 可以提供一种溅射装置以及制造磁存储器件的方法，该溅射装置包括：腔室；气体供应源，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；卡盘，在腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，卡盘配置为在其上容纳衬底；以及冷却单元，连接到卡盘的下部，该冷却单元配置为将卡盘冷却至低于第一蒸发点且高于第二蒸发点的温度。

公开(公告)号：CN107681046A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710650619.0

申请日：2017-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/22 ,  H01L27/222 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

Abstract: 本公开涉及磁存储器件。一种磁存储器件可以包括第一电极以及与第一电极间隔开的第一磁结构，其中第一磁结构可以在其中包括磁图案。氧化非磁图案可以被安置在第一磁结构与第一电极之间，其中氧化非磁图案可以包括非金属元素，所述非金属元素具有比约Fe的氧化物形成标准自由能更小的氧化物形成标准自由能。

公开(公告)号：CN106953003A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610849477.6

申请日：2016-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张荣万 ,  李俊明 ,  金起园 ,  朴容星

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了磁性存储器件，该磁性存储器件包括磁隧道结图案，该磁隧道结图案包括第一自由层、被钉扎层以及在第一自由层和被钉扎层之间的隧道势垒层。第一自由层包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，该第一自由磁性图案具有与隧道势垒层直接接触的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第二自由磁性图案与第二表面接触。第二自由磁性图案包括铁‑镍(FeNi)，且第二自由磁性图案的镍含量在从大约10at％到大约30at％的范围内。