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公开(公告)号：CN103730575B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410007030.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN101942075B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201010222301.0
申请日：2010-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/146 , C08G2261/1644 , C08G2261/18 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供有机半导体聚合物、包括该聚合物的晶体管及其制造方法，所述有机半导体聚合物包含芳族或杂芳族主链以及处于聚合物末端的氟或全氟烷基中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101942075A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010222301.0
申请日：2010-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/146 , C08G2261/1644 , C08G2261/18 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供有机半导体聚合物、包括该聚合物的晶体管及其制造方法，所述有机半导体聚合物包含芳族或杂芳族主链以及处于聚合物末端的氟或全氟烷基中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101225820A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710153504.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F04C18/356
CPC classification number: F01C21/0854 , F04C18/3562 , F04C23/001 , F04C23/008 , F04C2270/13
Abstract: 本发明提供了一种能够降低叶片与辊子的碰撞噪声的可变容量旋转压缩机。该可变容量旋转压缩机包括控制叶片的操作以改变压缩容量的叶片控制器。该叶片控制器包括：控制阀，对流体通道进行切换以选择性地将排气压力和进气压力施加到叶片导向槽；连接通道，连接控制阀与叶片导向槽；高压通道，连接控制阀与压缩机的排放侧；低压通道，连接控制阀与压缩机的进气侧；节流部分，减小高压通道和连接通道中的至少一个的流体通道，以降低施加到叶片导向槽上的初始排气压力。
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公开(公告)号：CN118852161A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410515423.0
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 化合物以及包括所述化合物的光电器件、图像传感器和电子设备，所述化合物由化学式1表示，并且X1和X2的至少一个为具有范围约900玻尔3至约3000玻尔3(V/分子)的体积的取代基。在化学式1中，各取代基与详细说明中所定义的相同。[化学式1]#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110556428B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910025963.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K10/46 , H01L27/12 , H10K85/60 , H10K71/00
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
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公开(公告)号：CN117586269A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311055962.2
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D487/06 , C07D493/06 , H10K30/60 , H10K59/13 , H10K59/35 , G01N21/31
Abstract: 本发明涉及有机化合物、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备。有机化合物由化学式1A或1B表示。在化学式1A和1B中，Ar1、Ar2、R1、R2、n、和m各自与详细的说明书中相同。[化学式1A] [化学式1B]
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公开(公告)号：CN108428795B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810126979.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。
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公开(公告)号：CN115872990A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211209999.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/04 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D471/14 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D513/04 , C07D517/04 , C07D517/16 , C07D517/22 , C07F7/08 , C07F7/30 , H10K85/40 , H10K85/60 , H10K30/60
Abstract: 公开有机化合物、传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述有机化合物由化学式1表示。在化学式1中，X1、X2、Ar1、n、R1、R2、A1和A2各自与说明书中相同。[化学式1]
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