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公开(公告)号：CN111434106A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880073775.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Inventor： 樋口真浩
Abstract: 通过将驱动固体摄像装置的列并列单斜率型ADC的参照斜坡信号的超源跟随器的输出缓冲器设为AB级反馈结构，从而使放大晶体管的漏极电压的上限不被反馈可变电流源的栅极源极间电压限制，所述AB级反馈结构以放大器放大流过放大晶体管的电流变动的信号来控制反馈可变电流源。
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公开(公告)号：CN106576146B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201580044815.2
申请日：2015-08-17
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Inventor： 松尾纯一
IPC: H04N5/225 , H04N5/372 , H04N5/3728 , H04N5/347 , H04N5/361 , H04N5/33 , H04N5/235 , H01L27/148
Abstract: 在基板上配置为矩阵状的像素具备：将入射光转换为信号电荷的光电转换部、从该光电转换部读出信号电荷的读出电极、构成垂直转送部的垂直转送电极。多个第一像素与邻接于该第一像素的多个第二像素按每行交替配置，且按每列交替配置，从而配置为棋盘格状。读出电极被配置为，从同一光电转换部读出的多个信号电荷包含：在共通的读出电极下产生的暗电流。
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公开(公告)号：CN107886985B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201711272694.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置。存储器阵列(10)除了分别包含单元晶体管(TC)和与该单元晶体管(TC)的一端连接的变阻元件(RR)的多个存储器单元(11)呈矩阵状配置之外，还具备具有MOS晶体管(MTC)的单元晶体管能力测定单元(12)。利用单元晶体管能力测定单元(12)，使变阻元件(RR)的低电阻状态以及高电阻状态的电阻值与单元晶体管(TC)的偏差无关地稳定化，从而非易失性半导体存储装置的读出特性以及可靠性特性得以提升。
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公开(公告)号：CN106257860B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201610299502.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Inventor： 加藤佳一
Abstract: 本发明的一实施方式涉及一种随机数处理装置，其使用从多个存储单元读出的数据而生成随机数数据；其中，所述多个存储单元各自在可变状态下，具有通过施加不同的多个电信号而使所述多个存储单元各自的电阻值在多个电阻值范围之间可逆地转变的性质，且在所述电阻值处于所述多个电阻值范围中的至少1个电阻值范围的情况下，具有所述电阻值随着时间的经过而发生变动的性质；所述随机数处理装置具有随机数处理电路，该随机数处理电路用于由第1电阻值信息和第2电阻值信息的组合而生成第1随机数数据，其中所述第1电阻值信息与所述多个存储单元中处在所述至少1个电阻值范围的第1存储单元的所述电阻值有关，所述第2电阻值信息与所述多个存储单元中不同于所述第1存储单元的、且处在所述至少1个电阻值范围的第2存储单元的所述电阻值有关。
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公开(公告)号：CN109643957B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201780051572.4
申请日：2017-08-23
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 开关电源装置具备导通定时调制功能和关断定时调制功能这两方，在PFM控制区域执行关断定时调制并在PWM控制区域执行导通定时调制，并且在PFM控制和PWM控制切换后也连续地执行至少一方的调制单元，从而避免频率抖动控制的调制效果的显著降低，能够实现控制切换边界的稳定动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111937261A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980020756.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H01S5/343
Abstract: 半导体发光元件(100)具备：GaN衬底(11)；被配置在GaN衬底(11)的上方且包括第1导电型的氮化物系半导体的第1半导体层(12)；被配置在第1半导体层(12)的上方且包括含有Ga或In的氮化物系半导体的活性层(15)；被配置在活性层(15)的上方且包括至少含有Al的氮化物系半导体的电子阻挡层(18)；以及被配置在电子阻挡层(18)的上方且包括与第1导电型不同的第2导电型的氮化物系半导体的第2半导体层(19)，电子阻挡层(18)具有：Al组成比以第1变化率来变化的第1区域；以及被配置在第1区域和第2半导体层(19)之间，Al组成比以第2变化率来变化的第2区域，在第1区域以及第2区域中，Al组成比针对从活性层(15)朝向第2半导体层(19)的方向为单调增加，第2变化率比第1变化率大。
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公开(公告)号：CN107534043B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680026965.5
申请日：2016-04-12
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 半导体存储装置(1000)具备第一选择线(108)以及第二选择线(109)，多个存储元件之中的第一存储元件(100)具有第一上部电极(101)以及第一下部电极(103)，第一上部电极(101)与第一选择线(108)连接，第一下部电极(103)与第二选择线(109)连接，多个存储元件之中被配置为与第一存储元件(100)邻接的第二存储元件(104)具有第二上部电极(105)以及第二下部电极(107)，第二上部电极(105)与第一选择线(108)连接，第二下部电极(107)，不经由第二存储元件(104)以外的存储元件的第二电阻体(106)而与第一选择线(108)连接。
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公开(公告)号：CN111640742A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010498393.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 半导体装置，在将半导体装置分割出的第一及第二区域中分别形成立式第一及第二金属氧化物半导体晶体管，第一金属氧化物半导体晶体管具有1个以上第一栅极衬垫和4个以上第一源极衬垫，第一栅极衬垫在俯视时由4个以上第一源极衬垫包围，第一栅极衬垫与第一源极衬垫的最接近点在俯视时位于第一直线，第二金属氧化物半导体晶体管具有1个以上第二栅极衬垫和4个以上第二源极衬垫，第二栅极衬垫在俯视时由4个以上第二源极衬垫包围，第二栅极衬垫与第二源极衬垫的最接近点在俯视时位于第二直线，将第一及第二金属氧化物半导体晶体管的漏极连接的导体设置在半导体装置的另一主面，第一及第二栅极衬垫、第一及第二源极衬垫露出到半导体装置的外观。
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公开(公告)号：CN107534383B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201680026466.6
申请日：2016-03-25
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H02M1/08 , H03K17/04 , H03K17/687
Abstract: 按照输入信号Vin驱动开关元件的驱动电路(20)，具备：被提供正电压Vcc的正电源端子(21)；被输入输入信号Vin的输入端子(22)；与开关元件(2)的源极连接的接地端子(23)；能够按照输入信号Vin输出正电压Vcc的第一输出端子(25)；电流源电路(10)；以及与电流源电路(10)连接的第二输出端子(26)，驱动电路(20)，将从第一输出端子(25)输出的正电压Vcc由第一阻抗电路(90)转换后的电流Ig2以及从电流源电路(10)经由第二输出端子(26)输出的电流Ig1提供到栅极，从而驱动开关元件(2)。
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公开(公告)号：CN111418203A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880073975.3
申请日：2018-11-06
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Abstract: 固体摄像装置(1000)具备：第一转换部，将表示像素值的模拟信号转换为数字信号的高位比特；以及第二转换部，将模拟信号转换为数字信号的低位比特，第二转换部具备：第一锁存电路，在第一转换部中的向高位比特的转换定时，将相互具有相位差的多个时钟信号作为相位信息进行锁存；转换电路，将相位信息转换为二进制值，由此生成数字信号的低位比特；加法器(330)；以及第二锁存电路(340)，对加法器的相加结果进行锁存，加法器(330)将由转换电路(320)转换的二进制值和被第二锁存电路锁存的值相加。
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