公开(公告)号：CN109075530B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201780028564.8

申请日：2017-04-04

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 高山彻 ,  中谷东吾 ,  狩野隆司 ,  左文字克哉

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/343

Abstract: 一种氮化物类发光元件，在GaN衬底(11)上依次具备第一导电侧第一半导体层(12)、活性层(15)、第二导电侧第一半导体层(19)，在活性层(15)与第二导电侧第一半导体层(19)之间具备包括氮化物类半导体的第二导电型的电子阻挡层(18)，该氮化物类半导体至少含有Al，电子阻挡层(18)具有Al成分变化的第1区域(18a)，在第1区域(18a)，针对从活性层(15)向第二导电侧第一半导体层(19)的方向，Al成分单调增加，第二导电侧第一半导体层(19)中的离电子阻挡层(18)近的一侧的区域(19a)的杂质浓度，与离电子阻挡层(18)远的一侧的区域(19b)的杂质浓度相比，相对较低。

公开(公告)号：CN111937261A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980020756.3

申请日：2019-01-28

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 高山彻 ,  吉田真治 ,  高桥邦方

IPC: H01S5/343

Abstract: 半导体发光元件(100)具备：GaN衬底(11)；被配置在GaN衬底(11)的上方且包括第1导电型的氮化物系半导体的第1半导体层(12)；被配置在第1半导体层(12)的上方且包括含有Ga或In的氮化物系半导体的活性层(15)；被配置在活性层(15)的上方且包括至少含有Al的氮化物系半导体的电子阻挡层(18)；以及被配置在电子阻挡层(18)的上方且包括与第1导电型不同的第2导电型的氮化物系半导体的第2半导体层(19)，电子阻挡层(18)具有：Al组成比以第1变化率来变化的第1区域；以及被配置在第1区域和第2半导体层(19)之间，Al组成比以第2变化率来变化的第2区域，在第1区域以及第2区域中，Al组成比针对从活性层(15)朝向第2半导体层(19)的方向为单调增加，第2变化率比第1变化率大。