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发明授权
半导体存储装置有权转让

公开(公告)号：CN107534043B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201680026965.5

申请日：2016-04-12

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 中尾良昭 , 河野和幸

IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00

Abstract: 半导体存储装置(1000)具备第一选择线(108)以及第二选择线(109)，多个存储元件之中的第一存储元件(100)具有第一上部电极(101)以及第一下部电极(103)，第一上部电极(101)与第一选择线(108)连接，第一下部电极(103)与第二选择线(109)连接，多个存储元件之中被配置为与第一存储元件(100)邻接的第二存储元件(104)具有第二上部电极(105)以及第二下部电极(107)，第二上部电极(105)与第一选择线(108)连接，第二下部电极(107)，不经由第二存储元件(104)以外的存储元件的第二电阻体(106)而与第一选择线(108)连接。

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