公开(公告)号：CN101292520B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200680038501.2

申请日：2006-08-24

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 李久滔

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627

Abstract: 用抗反射膜涂布成像装置中的传导线以降低由从所述传导线反射的光造成的串扰。界面在所述抗反射膜与所述传导线表面的表面之间产生。第二界面存在于所述抗反射膜与上覆绝缘层之间。所述抗反射膜是由具有复折射率的材料形成的，使得反射率在所述两个界面中的每一者处降低。所述抗反射膜还可具有光吸收性，以提供光反射和由此引起的串扰的进一步降低。

公开(公告)号：CN101410982B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200780010694.5

申请日：2007-03-16

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 约翰·拉德

IPC: H01L27/146 ,  H04N3/15 ,  H04N5/217

CPC classification number: H04N5/3651 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明涉及一种操作成像器以在从像素输出或列输出线进行的多数重设信号和像素信号取样操作期间在所述线上具有增加的电容的方法。所述增加的电容通过在所述取样操作期间接入多个取样和保持电容器而实现。

公开(公告)号：CN101258599B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680032870.0

申请日：2006-07-07

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 杰弗里·A·麦基

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种像素及成像器装置及形成所述像素及成像器装置的方法，其中所述像素具有与光电转换装置相关联的转移晶体管栅极且在衬底中通过浅沟槽隔离而隔离。所述转移晶体管栅极不重叠所述浅沟槽隔离区域。

公开(公告)号：CN101715644A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200880020389.9

申请日：2008-06-11

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 斯科特·史密斯 ,  理查德·L·贝尔 ,  劳拉·萨维奇

IPC: H04N3/15

CPC classification number: H04N5/3532 ,  H04N5/235 ,  H04N5/347 ,  H04N5/3742 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明揭示一种具有位于相同芯片中的图像传感器及帧存储器的数字帧转移成像器。所述图像传感器具有用于控制所述传感器与存储器阵列之间的数据转移的集成式存储器控制器。所述成像器利用滚动快门以及与多个帧存储器装置及多个数字处理电路相关联的多个模/数处理电路群组以从所述传感器平行读出多个列群组并输出大致无图像拖尾、kT/C噪声及其它不需要的图像假象的数字图像。

公开(公告)号：CN101689555A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880006388.9

申请日：2008-02-29

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 弗雷德里克·布雷迪

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种用于制作从晶片的背侧检测光的成像器的结构及方法。所述结构可具有较不复杂的聚焦、减小的串扰、较紧密的像素组装密度、提高的量子效率及晶片级封装。所述成像器的制作包括在硅晶片上形成成像装置，将互连晶片粘附到所述装置晶片、在所述互连晶片上形成互连件，蚀刻掉所述装置晶片的衬底及图案化所述装置晶片的背侧上的例如氮化物、色彩过滤器阵列及透镜等额外层。

公开(公告)号：CN106791504B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201611139599.2

申请日：2012-04-27

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  蒂姆·贝尔斯

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/345 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  G06T5/006 ,  H01L27/14634 ,  H04N5/345 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378 ,  H04N5/379

Abstract: 本申请涉及堆叠芯片成像系统。成像系统可具备堆叠芯片图像传感器。一种堆叠芯片图像传感器可包括垂直芯片堆叠，垂直芯片堆叠包括图像像素阵列、模拟控制电路及存储与处理电路。所述图像像素阵列、所述模拟控制电路及所述存储与处理电路可形成于单独的堆叠半导体衬底上或可以垂直堆叠形成于共用半导体衬底上。可使用垂直金属互连件将所述图像像素阵列耦合到所述控制电路。所述控制电路可经由所述垂直金属互连件路由像素控制信号及读出图像数据信号。所述控制电路可经由耦合于所述控制电路与所述存储与处理电路之间的额外垂直导电互连件将数字图像数据提供到所述存储与处理电路。所述存储与处理电路可经配置以存储及/或处理所述数字图像数据。

公开(公告)号：CN103327342B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201310088517.6

申请日：2013-03-19

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 马尔科·姆利纳尔 ,  布赖恩·基兰

IPC: H04N9/04 ,  H04N9/73 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N9/045 ,  G06K9/46 ,  G06T3/4015 ,  G06T5/10 ,  G06T11/60 ,  G06T2207/10024 ,  H04N5/63 ,  H04N9/67 ,  H04N9/735 ,  H04N2209/041

Abstract: 本发明涉及具有透明滤波器像素的成像系统。一种图像传感器可具有布置在彩色滤波器单位单元中的图像传感器像素的阵列，每一单元具有产生红图像信号的一个红图像像素、产生蓝图像信号的一个蓝图像像素，以及产生白图像信号的两个透明图像传感器像素。所述图像传感器可耦合到处理电路，所述处理电路对所述红、蓝和白图像信号执行滤波操作以增加所述图像信号中的噪声相关，这减少当将彩色校正矩阵应用于所述图像信号时的噪声放大。所述处理电路可从所述白图像信号提取绿图像信号。所述处理电路可计算包含所述红、蓝、白和绿图像信号的线性组合的定标值。所述定标值可应用于所述红、蓝和绿图像信号以产生具有改进的图像质量的经校正的图像信号。

公开(公告)号：CN103907133A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280043783.0

申请日：2012-04-27

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  蒂姆·贝尔斯

IPC: G06T5/00 ,  H04N5/345 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  G06T5/006 ,  H01L27/14634 ,  H04N5/345 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378

Abstract: 成像系统可具备堆叠芯片图像传感器。一种堆叠芯片图像传感器可包括垂直芯片堆叠，所述垂直芯片堆叠包括图像像素阵列、模拟控制电路及存储与处理电路。所述图像像素阵列、所述模拟控制电路及所述存储与处理电路可形成于单独的堆叠半导体衬底上或可以垂直堆叠形成于共用半导体衬底上。可使用垂直金属互连件将所述图像像素阵列耦合到所述控制电路。所述控制电路可经由所述垂直金属互连件路由像素控制信号及读出图像数据信号。所述控制电路可经由耦合于所述控制电路与所述存储与处理电路之间的额外垂直导电互连件将数字图像数据提供到所述存储与处理电路。所述存储与处理电路可经配置以存储及/或处理所述数字图像数据。

公开(公告)号：CN103165631A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210264628.3

申请日：2012-07-27

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 希内切克·雅罗斯拉夫

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14679

Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器像素及其操作方法，及一种图像传感器。本发明提供一种适合在背侧照明或前侧照明传感器布置中使用的图像传感器像素。所述图像传感器像素可为小尺寸像素，其包含使用垂直结型场效应JFET晶体管实施的源极跟随器。所述垂直JFET源极跟随器可直接集成到浮动扩散节点之内，从而消除在常规像素配置中通常为源极跟随器分配的过量金属路由及像素面积。可改为分配像素面积用于增加光电二极管的电荷存储容量，或可使用像素面积在维持像素性能的同时减小像素尺寸。以此方式使用垂直结型场效应晶体管简化了像素寻址操作且使与小尺寸金属氧化物半导体MOS晶体管相关联的随机电报信号RTS噪声最小化。

公开(公告)号：CN103037176A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210370743.9

申请日：2012-09-28

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： 索拉博·雅格麦

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/374

CPC classification number: H04N5/3532 ,  H04N5/355

Abstract: 本发明揭示用于改善图像传感器中的动态范围的方法和装置。图像感测装置包括具有多行像素的图像传感器和用于控制每一行像素的曝光的控制器。所述控制器经编程以对所述多行像素中的一行像素执行快门操作，且在执行快门操作之后的预定持续时间之后对所述多行中的所述一行进行取样。所述预定持续时间不同于所述图像感测装置的行时间周期的倍数。