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公开(公告)号：CN108650497B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810843965.5
申请日：2013-03-19
Applicant: 普廷数码影像控股公司
IPC: H04N9/04
Abstract: 本发明涉及具有透明滤波器像素的成像系统。一种图像传感器可具有布置在彩色滤波器单位单元中的图像传感器像素的阵列，每一单元具有产生红图像信号的一个红图像像素、产生蓝图像信号的一个蓝图像像素，以及产生白图像信号的两个透明图像传感器像素。所述图像传感器可耦合到处理电路，所述处理电路对所述红、蓝和白图像信号执行滤波操作以增加所述图像信号中的噪声相关，这减少当将彩色校正矩阵应用于所述图像信号时的噪声放大。所述处理电路可从所述白图像信号提取绿图像信号。所述处理电路可计算包含所述红、蓝、白和绿图像信号的线性组合的定标值。所述定标值可应用于所述红、蓝和绿图像信号以产生具有改进的图像质量的经校正的图像信号。
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公开(公告)号：CN105847772B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610353124.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 普廷数码影像控股公司
IPC: H04N9/04
CPC classification number: H04N9/045 , G06K9/46 , G06T3/4015 , G06T5/10 , G06T11/60 , G06T2207/10024 , H04N5/63 , H04N9/67 , H04N9/735 , H04N2209/041
Abstract: 本发明涉及具有透明滤波器像素的成像系统。种图像传感器可具有布置在彩色滤波器单位单元中的图像传感器像素的阵列,每单元具有产生红图像信号的个红图像像素、产生蓝图像信号的个蓝图像像素,以及产生白图像信号的两个透明图像传感器像素。所述图像传感器可耦合到处理电路,所述处理电路对所述红、蓝和白图像信号执行滤波操作以增加所述图像信号中的噪声相关,这减少当将彩色校正矩阵应用于所述图像信号时的噪声放大。所述处理电路可从所述白图像信号提取绿图像信号。所述处理电路可计算包含所述红、蓝、白和绿图像信号的线性组合的定标值。所述定标值可应用于所述红、蓝和绿图像信号以产生具有改进的图像质量的经校正的图像信号。
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公开(公告)号：CN106791504A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611139599.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 蒂姆·贝尔斯
IPC: H04N5/369 , H04N5/345 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , G06T5/006 , H01L27/14634 , H04N5/345 , H04N5/369 , H04N5/378 , H04N5/379
Abstract: 本申请涉及堆叠芯片成像系统。成像系统可具备堆叠芯片图像传感器。一种堆叠芯片图像传感器可包括垂直芯片堆叠，垂直芯片堆叠包括图像像素阵列、模拟控制电路及存储与处理电路。所述图像像素阵列、所述模拟控制电路及所述存储与处理电路可形成于单独的堆叠半导体衬底上或可以垂直堆叠形成于共用半导体衬底上。可使用垂直金属互连件将所述图像像素阵列耦合到所述控制电路。所述控制电路可经由所述垂直金属互连件路由像素控制信号及读出图像数据信号。所述控制电路可经由耦合于所述控制电路与所述存储与处理电路之间的额外垂直导电互连件将数字图像数据提供到所述存储与处理电路。所述存储与处理电路可经配置以存储及/或处理所述数字图像数据。
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公开(公告)号：CN103165631B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210264628.3
申请日：2012-07-27
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： 希内切克·雅罗斯拉夫
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14679
Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器像素及其操作方法，及一种图像传感器。本发明提供一种适合在背侧照明或前侧照明传感器布置中使用的图像传感器像素。所述图像传感器像素可为小尺寸像素，其包含使用垂直结型场效应JFET晶体管实施的源极跟随器。所述垂直JFET源极跟随器可直接集成到浮动扩散节点之内，从而消除在常规像素配置中通常为源极跟随器分配的过量金属路由及像素面积。可改为分配像素面积用于增加光电二极管的电荷存储容量，或可使用像素面积在维持像素性能的同时减小像素尺寸。以此方式使用垂直结型场效应晶体管简化了像素寻址操作且使与小尺寸金属氧化物半导体MOS晶体管相关联的随机电报信号RTS噪声最小化。
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公开(公告)号：CN101292353B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680038612.3
申请日：2006-08-16
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： 李久滔
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种具有减少的暗电流的CMOS成像器和形成所述CMOS成像器的方法。在CMOS成像器的光传感器区上方提供厚度约为典型氮化栅极氧化物的厚度的两倍的氮化栅极氧化层。所述栅极氧化层提供改进的污染物障壁以保护光传感器，在所述光传感器的p+钉扎区的表面中包含p+植入物分布，并减少所述光传感器表面处的光子反射，借此减少暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101268682B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680034149.5
申请日：2006-07-20
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： 铃木俊树
CPC classification number: H04N5/361 , H04N5/3658 , H04N5/374
Abstract: 在校准程序期间，通过计算像素偏移值和平均像素输出值来产生噪声校正值。对于每个读取校准行，确定多个像素输出值的平均像素输出值。通过找出所述多个像素输出中的每一者与所述计算出的平均像素输出值之间的差异来产生所述多个像素输出中的每一者的偏移值。还可通过找出成像器行中多个光学黑色像素的平均像素输出值来计算整行像素输出的偏移值。可通过丢弃位于阈值窗之外的像素值并代入所述平均像素输出值且计算新的平均像素值来改进所述光学黑色像素值的平均像素输出值。
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公开(公告)号：CN1843026B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200480024614.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： H·E·罗德斯
IPC: H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/1462 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H04N5/3535 , H04N5/37457
Abstract: 本发明实施例提供了允许自动照明控制和相关二重抽样操作的像素单元。像素单元包括可被独立读出的第一和第二光电转换器件。例如，第二光电转换器件可以是像素单元的浮动扩散区，带有适用于光电转换的区域和掺杂分布图。图像传感器可包括像素单元阵列，其中的一些或所有的像素单元带有两个光电转换器件；并且可包括用于从像素单元读出信号的外围电路。图像传感器的读出电路可监控由第二光电转换器件生成的电荷，以此确定什么时候读出来自第一光电转换器件的信号。
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公开(公告)号：CN1833429B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200480022583.2
申请日：2004-06-10
Applicant: 普廷数码影像控股公司
IPC: H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14603 , H04N5/35572 , H04N5/3559 , H04N5/37452
Abstract: 本发明公开了一种具有双转换增益浮动扩散区域的成像器。双转换增益区域产生(1)高转换增益和敏感度以实现极佳微光性能以及(2)高全阱容量和转换增益以实现高动态范围。双转换增益元件耦合在每个浮动扩散节点与相应的电容器之间。双转换增益元件接入电容器的电容以将浮动扩散节点的转换增益从第一转换增益改为第二转换增益。成像器可以是CMOS或CCD型成像器。
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公开(公告)号：CN101268552B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680034837.1
申请日：2006-07-27
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： 根纳季亚·A·阿格拉诺夫 , 伊戈尔·卡拉肖夫
IPC: H01L27/146 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14685 , H01L31/0232
Abstract: 本发明揭示具有减少的图像伪影的成像装置。通过使穿过所述成像装置的IR辐射改变方向、吸收所述IR辐射或使所述IR辐射散射以避免光在衬底的背面上反射并累积在暗像素中，来减少所述成像装置中的所述图像伪影。
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公开(公告)号：CN101290945B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810096766.9
申请日：2004-07-30
Applicant: 普廷数码影像控股公司
Inventor： B·A·麦克卢尔
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H04N5/3559 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/148 , H04N5/37452
Abstract: 本发明提供一种具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构。像素单元具有两个串联电容器，其中每个电容器的电容接近外围电容器的电容，以使串联电容器的有效电容小于每个外围电容器的电容。串联电容器连接到浮动扩散(FD)区，用于在饱和状态期间接收来自FD区的“剩余”电荷。
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