公开(公告)号：CN108630709A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710185314.7

申请日：2017-03-26

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明公开了一种多埋层大功率高压器件结构，器件结构如图1所示，该结构的埋层包含三层氧化层，两个窗不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上，第一层与第三层通过二氧化硅相连。第一层第二层埋氧层与第三层埋氧层之间填充多晶硅。该方法通过增强第三层埋氧层的电场，同时第一第二埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场来提高纵向击穿电压。

公开(公告)号：CN109977440A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711456525.6

申请日：2017-12-28

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 ,  上海芯哲微电子科技股份有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院

Inventor： 沈立 ,  陆宇 ,  周润宝 ,  沈金龙 ,  程玉华

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了大尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的大尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以随时调整它的栅面积，根据实际版图允许面积，优化匹配精确度。所述模块单元，采用完全的共质心版图结构，提高版图紧凑性。

公开(公告)号：CN109150189A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710490919.7

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: H03M3/00

CPC classification number: H03M3/344 ,  H03M3/496

Abstract: 本发明公开了一种新型基于开关电容的采样技术，与传统的采样技术相比，该发明通过额外增加一个采样阶段的电容，大幅度降低采样过程中由于开关电阻引入的热噪声，该热噪声往往是电路精度的瓶颈，另一方面，该额外引入的采样电容并不会对开关电容的积分阶段产生影响。

公开(公告)号：CN109145333A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710500677.5

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线方法，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。

公开(公告)号：CN109145329A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710499529.6

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出了一种生成精确的互连线电阻（R）电容（C）工艺角解析模型的方法。该方法改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量（skew）值，通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，建立与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型。该方法将给定金属层的互连几何参数（W、T、H）设为独立的正太分布变量，并采用统一的偏移量（skew值）作为全局参数。与现有技术相比，本发明的有益效果是，生成了合理的工艺角模型，避免过于悲观的预测结果而浪费了设计空间。

公开(公告)号：CN109142879A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710498677.6

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: G01R27/26

CPC classification number: G01R27/2605

Abstract: 本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法，以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括：测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容，测量金属结构combmeander的层内电容，测量平行金属板结构和金属结构comb之间的层间电容，测量平行金属板结构和金属结构meander之间的层间电容；combmeander的层内电容乘二再加上平行金属板结构各与结构comb、meander之间的层间电容，再减去平行金属板结构和combmeander结构之间的总电容，便分离出金属结构combmeander的层内电容。这种金属层间层内电容的分离方法能够更加精确有效的分离出层内电容。

公开(公告)号：CN109116112A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201710492072.6

申请日：2017-06-26

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: G01R27/02

CPC classification number: G01R27/02

Abstract: 本发明提出了通孔电阻测试结构及方法，以提高通孔电阻的测试精确度。该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，包含有多个通孔单元及连接通孔单元的互连线，相邻两个通孔单元由互连线相连，所述同一个子测试结构中的通孔单元包含的通孔数相同，所述互连线由分别位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构在通孔单元的通孔数彼此不相同，所述各子测试结构的互连线部分完全相同。

公开(公告)号：CN109103148A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201710467557.X

申请日：2017-06-20

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明以覆晶封装结构为出发点，提出一种双晶片覆晶封装结构。其特点是：基板为具有两个晶片插槽的基板，基板具有中央隔板，基板插槽具有一定坡度，插槽斜坡与芯片导电凸块接触处有复数个半球形凹槽；芯片具有复数个圆柱形导电凸块，导电凸块顶部为半球形；上层散热片与基板顶部相扣。这种双晶片覆晶封装结构的优点在于：芯片焊接自对准，实现双晶片一体化封装，集成度高，减小芯片封装面积，增强散热功能。

公开(公告)号：CN109980007A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711454894.1

申请日：2017-12-28

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院 ,  上海芯哲微电子科技股份有限公司

Inventor： 陆宇 ,  沈立 ,  周润宝 ,  沈金龙 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。

公开(公告)号：CN109979897A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711452899.0

申请日：2017-12-28

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院 ,  上海芯哲微电子科技股份有限公司

Inventor： 陆宇 ,  沈立 ,  程玉华 ,  周润宝 ,  沈金龙

IPC: H01L23/373 ,  H01L29/06

Abstract: 一种中间层含有PN结的大埋层结构的SOI高压器件。本发明设计并公开了该种器件的结构。该结构针对目前SOI器件普遍存在的两个问题——低击穿电压以及自加热效应，以现有的传统SOI器件为基础，设计了一种全新的SOI器件。该器件采用与传统SOI器件不同的结构方式，在理论上可以有效地提高器件的击穿电压，对自加热效应也有一定的改善。该专利包括这种新器件结构的组成结构和材料。