基于磷酸二氘钾调制的线偏振分析器及其偏振测量方法

    公开(公告)号:CN107024277A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710230860.8

    申请日:2017-04-10

    Inventor: 侯俊峰

    CPC classification number: G01J4/04 G01J4/00 G01J2004/001

    Abstract: 本发明公开了一种基于磷酸二氘钾调制的线偏振分析器及基于此线偏振分析器实施的偏振测量方法。线偏振分析器包括沿同一光轴依次排列的第一、第二KD*P调制器、1/4波片、检偏器、成像透镜和探测器;探测器将光强值送给计算机;信号发生器控制交流高压调制器,通过交流高压调制器对第一、第二KD*P调制器的频率相位实现调制;计算机控制同步控制器,同步控制器对信号发生器和探测器进行同步控制。本发明使用两个固定的KD*P调制器替代了传统的旋转加KD*P调制方式,入射光束射入便开始测量,测量速度快、灵敏度高,充分利用了KD*P晶体的高调制频率。

    基于表面等离子体直接测量纵向偏振光偏振态的方法

    公开(公告)号:CN106768345A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611036724.7

    申请日:2016-11-23

    CPC classification number: G01J4/00

    Abstract: 本发明涉及一种基于表面等离子体直接测量纵向偏振光偏振态的方法,金属纳米颗粒受到光激发时,其产生的表面等离子体的分布由激发光的偏振态决定。基于这个现象,设计了探测基片,通过观察曝光后探测基片记录层上的图案来判断激发光的偏振态。实现了对纵向偏振光的纵向偏振态的直接测量,这是目前其他偏振测量方法无法实现的;测量方法简单有效,容易实施。

    电磁波偏振方向检测方法及检测装置

    公开(公告)号:CN101893659B

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN200910107490.4

    申请日:2009-05-19

    CPC classification number: G01J4/00

    Abstract: 本发明提供一种电磁波偏振方向的检测方法,包括以下步骤:将一碳纳米管结构置于一真空环境中,该碳纳米管结构包括多个沿同一方向排列的碳纳米管;提供一电磁波发射源,发射一偏振的电磁波,并使其基本垂直地入射至所述碳纳米管结构表面,该碳纳米管结构吸收该电磁波并发光;在基本垂直于电磁波入射方向的平面内旋转所述碳纳米管结构,根据所述碳纳米管结构发出可见光的变化判断所述电磁波的偏振方向。该方法简单直观。本发明也提供一种电磁波偏振方向的检测装置。

    可嵌入的偏振光纤传感器及监测结构的方法

    公开(公告)号:CN101087989B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200580039773.X

    申请日:2005-10-17

    Abstract: 本发明提供了通过快速且简单的测量来确定经历可能导致降低结构寿命、强度或可靠性的损害的结构上的位置的能力。传感元件是偏振维持(“PM”)光纤的连接部分,其中PM光纤的长度表示完全分布的传感器阵列。应力引起的传感器的变化通过白光偏振干涉测量法来测量。测量的输出是表示沿传感器的长度的位置的阵列处的应力集中大小的数组。在一种应用中,已知结构上的光纤位置加上沿光纤长度的应力位置的测量允许用户确定结构上具有大的应力集中的位置。这些位置可表示结构损坏。该知识允许用户采用更加复杂的系统,尽管较大且较慢,以充分地表征和评价可能的损坏区域并采取适当的行动。

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