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公开(公告)号:CN1760743A
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN200510112849.9
申请日:2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物,特别涉及含有硝酸、醋酸、氟盐、磷酸盐以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物通过单一工序即可以以下部膜Al-Nd不产生底切现象的方式对薄膜晶体管液晶显示器中构成像素电极的ITO及构成TFT的栅极配线材料Mo/Al-Nd双重膜进行湿式蚀刻,并可以获得优异的锥形,同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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公开(公告)号:CN112853357A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202011254004.4
申请日:2020-11-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明公开一种在有机发光二极管(OLED)像素制造中使用的不包含磷酸的蚀刻液组合物以及利用上述蚀刻液组合物的金属布线形成方法。具体来讲,涉及一种通过在金属布线的制造工程中将金属膜蚀刻成特定图案而形成金属布线的蚀刻液组合物。上述蚀刻液组合物包含:羧基化合物40至60重量%、磺酸化合物1至4.9重量%、硝酸盐化合物10至20重量%、唑类化合物0.1至1重量%、以及余量的水。
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公开(公告)号:CN108456885A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201810149885.X
申请日:2018-02-13
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/18 , H01L21/306
CPC classification number: C23F1/18 , H01L21/30604
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法,更详细而言,涉及在金属布线的制备工艺中通过以预定图案蚀刻金属膜而用于金属布线形成的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含过硫酸盐、含氟化合物、4氮杂环化合物、2氯化物以及水,其中所述4氮杂环化合物与2氯化物的含量比为1:1.4至1:2。
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公开(公告)号:CN101886266A
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN201010183534.4
申请日:2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1%至按重量计大约30%的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1%至按重量计大约10%的无机酸、按重量计大约0.1%至按重量计大约10%的乙酸盐、按重量计大约0.01%至按重量计大约5%的含氟化合物、按重量计大约0.01%至按重量计大约5%的磺酸化合物、按重量计大约0.01%至按重量计大约2%的唑化合物、以及余量的水。这样,蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此,可以提高制造裕度,使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号:CN1873054A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200610084694.7
申请日:2006-05-29
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/16
Abstract: 本发明提供蚀刻组合物,采用所述组合物可以以下部膜Al-Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT的栅极配线材料Al-Nd/Mo双层膜或Mo/Al-Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻,并可以获得优异的锥度,同时源极/漏极配线材料Mo单层膜也可以形成优异的轮廓。本发明的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐阴离子表面活性剂和水。
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