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公开(公告)号：CN114235700A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111570140.9
申请日：2021-12-21
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种多组分气体浓度检测装置及方法。本发明提供的痕量气体浓度检测装置由宽谱调谐激光光源、光纤准直器、分束取样板、激光波长监测模块、调制信号发生器、激光器控制电路模块、透镜组、可对腔镜精确控制温度的衰荡腔、衰荡腔温度控制模块、聚焦透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用电流或温度控制实现半导体激光器的宽谱调谐，覆盖待测多组分气体的特征吸收谱线。同时，对控制衰荡腔镜温度调节腔镜的折射率，实现激光波长与衰荡腔的模式匹配，解决现有激光吸收光谱气体检测技术不能对多组分气体进行检测的问题。
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公开(公告)号：CN109560163B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811405317.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点修饰的GaAs纳米线探测器及这种探测器的制备方法，该方法是用Sb2S3量子点修饰采用(NH4)2S钝化液钝化处理后的GaAs纳米线，然后用这种硫钝化处理且包覆有Sb2S3量子点的GaAs纳米线进行探测器器件的制备。对GaAs纳米线进行表面硫钝化处理，降低了GaAs纳米线的表面态密度，提高探测器中载流子寿命，进而提高GaAs纳米线探测器的响应度，用量子点对GaAs纳米线包覆这使量子点与GaAs纳米线材料间构成Ⅱ型能带结构，光照下量子点的光载流子注入到GaAs纳米线中，提高GaAs纳米线探测器器件响应度，同时防止了钝化层被再次氧化，进而提高GaAs纳米线探测器的探测性能，解决现有GaAs纳米线探测器器件响应度较差的问题。
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公开(公告)号：CN109534279B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811411998.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米线阵列器件的制备方法，该方法通过在生长纳米线的衬底上制备AlxGa1‑xAs薄膜作为牺牲层，纳米线生长在AlxGa1‑xAs上，用溶于丙酮溶液中的PMMA材料旋涂在纳米线样品表面完成PMMA对纳米线的固定。将被PMMA固定的纳米线样品放入HF酸腐蚀液中，利用HF酸对AlxGa1‑xAs具有腐蚀作用，而HF酸对GaAs或InAs、PMMA没有腐蚀作用，从而使衬底表面的AlxGa1‑xAs被腐蚀掉，GaAs纳米线及PMMA材料不与HF酸反应被完整的保留而得到可迁移的GaAs或InAs纳米线阵列。随后，在可迁移的纳米线阵列材料上表面制备p型金属电极，下表面制备n型金属电极，完成电极制备后将样品放进丙酮或甲苯溶液中浸泡除去PMMA并清洗干净后自然风干，获得GaAs或InAs纳米线阵列器件，解决现有技术中获得纳米阵列器件存在工艺困难的难题。
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公开(公告)号：CN111009496A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911411742.2
申请日：2019-12-31
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法。本发明提供的衬底背面具有周期孔洞结构，周期孔洞结构中制备了表面和衬底背面齐平的金刚石薄膜，增加了衬底材料与金刚石的接触面积，提高了衬底的热导率，利用本发明提供的衬底制备光电子器件，器件背面周期孔洞结构中的的金刚石薄膜可以将器件芯片产生的废热快速的传递到热沉中，提高器件的散热效率，提高器件的工作性能。
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