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公开(公告)号：CN115732491A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211578241.5
申请日：2022-12-05
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/538 , H10N30/87
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，特别涉及一种压电缓冲吸收电路及MOSFET功率模块。压电缓冲吸收电路包括PZT压电陶瓷相互连通的可键合电阻，所述可键合电阻设置于所述PZT压电陶瓷表面。MOSFET功率模块，包括MOSFET芯片，以及前述的压电缓冲吸收电路；所述压电缓冲吸收电路连接在MOSFET芯片的漏极与源极间。解决了现有技术中的缓冲吸收电路自身通流路径的寄生参数对MOSFET功率模块的性能影响较大，并且限制了电路和DBC的最优布局设计的技术问题。
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公开(公告)号：CN115397187A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210363997.1
申请日：2022-04-07
Applicant: 安世半导体科技(上海)有限公司 , 重庆大学 , 安世有限公司
IPC: H05K7/20 , G06F30/15 , G06F30/17 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 本公开提供一种用于车辆功率模块的散热器的设计方法。该设计方法包括：从第一距离D1、第二距离D2和半径R的可能取值范围中分别选取多个待定值进行不同组合，对所述不同组合进行仿真计算，获得各个组合对应的温升ΔTj和压降ΔPf，以形成多个样本；通过响应面方法，根据所述多个样本拟合所述温升ΔTj和所述压降ΔPf的以所述第一距离D1、所述第二距离D2和所述半径R作为因变量的显示显式函数；以所述温升ΔTj和所述压降ΔPf同时最小为优化目标，通过多目标优化，确定所述第一距离D1、所述第二距离D2和所述半径R。
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公开(公告)号：CN113960357A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111254906.2
申请日：2021-10-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明涉及一种多级微带传输线的高带宽差分电压探头，属于电子器件领域。本发明建立了宽频范围适用的分压电路模型，分析了分压器尺寸对探头带宽的影响规律，并给出了一种最大化探头带宽的回路补偿方法。实验结果表明：多层陶瓷电容的等效串联电感，以及PCB平面耦合的传输线效应，是制约差分电压探头带宽的瓶颈问题，采用基于平行板传输线的高带宽分压结构、优化承压臂长度、高频回路补偿等新结构和新方法，可以突破差分探头的带宽极限到500MHz，为一种多级微带传输线的高带宽差分电压探头和宽禁带器件的设计研发、测试表征、标准制定，提供有益的参考。
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公开(公告)号：CN106783991B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710088554.5
申请日：2017-02-20
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管采用阳极自驱动辅助栅的设计结构，在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；并且，所述阳极辅助栅结构采用自驱动设计，能够消除常规辅助栅极阳极结构对额外驱动电路的要求。
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公开(公告)号：CN108682664B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810537959.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种基于相变材料的功率模块及其制作方法，属于功率模块技术领域，包含基板(1)，陶瓷覆铜板(2)，相变模块和功率端子(7)；基板(1)上表面呈长方形，多块陶瓷覆铜板(2)分别设置在基板(1)上，陶瓷覆铜板(2)之间通过铜排连接；相变模块设置在陶瓷覆铜板(2)上，多块功率端子(7)设置在功率端子安装端上；相变模块包含传热增强框架(3)和密封盖(4)，传热增强框架(3)里面填充有相变材料；密封盖(4)的外表面还焊接有功率半导体芯片(5)。本发明提供一种结温短时可控的功率模块，可对功率模块的暂态温升作出响应，并适用于电网故障期间主动提供短路电流支撑电网电压的场合及电磁弹射、超级电容充电等冲击功率场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105720601B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610037114.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 重庆大学 , 国家电网有限公司 , 国网重庆市电力公司江北供电分公司
Abstract: 本发明提供的一种用于电网同步的基于隐式PI的数字锁相环系统，包括鉴相器、环路滤波器以及压控振荡器，其中：所述鉴相器为：(1)；所述环路滤波器为：(2)；所述压控振荡器为：θ＝∫ωdt(3)；其中，kp和ki为控制系数，和Δω分别为估计的和真实的角频率偏差，不仅能够适用于信号的小扰动后的静态稳定分析，而且能够适用于信号的大扰动后的暂态稳定分析，能有效应对电网电压相角、频率的扰动，能够精确控制并网逆变器以及并网逆变器的灵活运行，确保电力系统的安全与稳定。
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公开(公告)号：CN108682664A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810537959.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种基于相变材料的功率模块及其制作方法，属于功率模块技术领域，包含基板(1)，陶瓷覆铜板(2)，相变模块和功率端子(7)；基板(1)上表面呈长方形，多块陶瓷覆铜板(2)分别设置在基板(1)上，陶瓷覆铜板(2)之间通过铜排连接；相变模块设置在陶瓷覆铜板(2)上，多块功率端子(7)设置在功率端子安装端上；相变模块包含传热增强框架(3)和密封盖(4)，传热增强框架(3)里面填充有相变材料；密封盖(4)的外表面还焊接有功率半导体芯片(5)。本发明提供一种结温短时可控的功率模块，可对功率模块的暂态温升作出响应，并适用于电网故障期间主动提供短路电流支撑电网电压的场合及电磁弹射、超级电容充电等冲击功率场合。
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公开(公告)号：CN106941115A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710091494.2
申请日：2017-02-20
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/45 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底，采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构，在保证器件较小关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件可以采用现有常规集成电路制造工艺步骤实现，并且这种器件设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。
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公开(公告)号：CN118866885A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410898482.0
申请日：2024-07-05
Applicant: 深圳陕煤高新技术研究院有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种混合碳化硅三电平功率模块，属于功率半导体器件技术领域。该功率模块包括DBC、碳化硅MOSFET芯片、硅IGBT芯片、硅二极管芯片、碳化硅二极管芯片、测温铂电阻、散热基板、铜框架及封装壳体，其中DBC包括氮化硅陶瓷层及上覆金属层、下覆金属层；该功率模块还包括功率端子、碳化硅MOSFET芯片端子、硅IGBT芯片端子和二极管芯片端子等。功率模块为半桥结构，上下桥臂各由一个硅IGBT芯片开关单元和一个碳化硅MOSFET芯片开关单元构成。本发明利用P‑cell/N‑cell概念重构NPC型三电平模块芯片布局并使用铜框架进行芯片互连，降低了功率模块换流回路的寄生电感和芯片的结温与温差。
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公开(公告)号：CN117936493A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410098926.2
申请日：2024-01-24
Applicant: 重庆大学 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/473 , H02M7/00 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种车用多芯片并联碳化硅功率模块，属于半导体器件技术领域。该碳化硅功率模块包括外壳、集成散热器基板、设置在所述集成散热器基板上的覆铜板以及焊接在所述覆铜板上的碳化硅开关单元、功率端子和信号端子。该碳化硅功率模块为三相半桥结构，每一相的半桥电路集成在一块覆铜板上，三相的覆铜板之间不存在电气连接。在单相覆铜板中，采用一体式铜框架实现碳化硅芯片之间的互联，将多个导电区连接形成半桥结构；其中，一体式铜框架通过焊接固定在覆铜板上。本发明通过一体式铜框架实现碳化硅芯片间的并联，提高了碳化硅芯片的通流能力、可靠性，并降低了寄生电感；同时，一体式铜框架做了开槽处理，可释放部分应力提高结合面的可靠性。
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