-
公开(公告)号：CN117545157A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410030701.3
申请日：2024-01-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供了一种用于测量等离子体电势和电场的诊断方法及系统，涉及中性束探针测量技术领域，包括根据获取的磁约束聚变装置的运行参数及候选粒子元素的相关参数数据，计算信噪比；基于信噪比选定中性束粒子元素，迭代计算不同入射能量、入射角度和采样区的束流轨迹，得到能够通过分析仪入口狭缝的预设参数；将满足预设参数要求的中性束注入等离子体中；利用分析仪测量其在采样区碰撞电离产生的一次离子束能量，根据能量守恒定律得到采样区电势；探测不同采样区，得到等离子体电势的空间分布以及径向电场，进而诊断结束。本发明的有益效果为对深入研究磁约束聚变等离子体中径向电场及 流剪切抑制湍流和改善约束的物理机制具有极其重要的意义。
-
公开(公告)号：CN115600334A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211221891.4
申请日：2022-10-08
Applicant: 西南交通大学(CN)
Inventor： 张欣 , 朱怡亲 , 许宇鸿 , 王先驱 , 刘海峰 , 黄捷 , 刘海 , 程钧 , 胡军 , 沈军峰 , 唐昌建 , 罗杨 , 熊国臻 , 李恒 , 苏祥 , 崔子麟 , 李晓龍
IPC: G06F30/17 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的一种用于准环对称仿星器的第一壁及其设计方法，是针对准环对称仿星器设计的特殊三维曲面闭合屏蔽结构，第一壁位于真空室内，且第一壁靠近真空室的一侧与真空室的内壁连接，第一壁为闭合层面，第一壁结构能够与三维曲面结构的真空室和仿星器最外闭合磁面相匹配，将等离子体完全包裹在其内部，在聚变堆运行过程中，第一壁把高温等离子体与其他部件隔离，保护其免受来自等离子体的热流和电磁辐射等的损害，其设计和制造能够帮助建造完成世界上第一个准环对称磁约束仿星器装置，为国内三维等离子体物理以及相关学科的科学研究提供实验平台，对磁约束核聚变的发展和研究具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN113244641B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110510965.5
申请日：2021-05-11
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及物理实验技术领域，具体涉及一种稀有金属的蒸发注射装置及蒸发注射方法，包括依次连接的蒸发炉、注射准备管、阀门、注射输出管和喷头，所述蒸发炉用于对稀有金属进行加热蒸发，所述注射准备管外壁上设置有第一螺纹加热单元，所述第一螺纹加热单元与第一螺纹凹槽相匹配，所述阀门上设置有阀体加热单元，所述注射输出管的外壁上设置有第二螺纹加热单元。本发明通过CF法兰对各部件接口进行连接，保证管路的密封性，同时分别设置第一螺纹加热单元、第二螺纹加热单元和阀体加热单元对管路进行均匀加热，杜绝管路上出现温度冷点，保证金属蒸汽能够安全、稳定地注入到稀有金属实验装置内，对促进稀有金属的实验研究具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN113256723A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110727807.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 西南交通大学 , 成自铁路有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种受电弓升降弓时间及弓头位移曲线自动检测方法，包括：S1、在受电弓上进行标记点标注；S2、通过数据采集设备对受电弓上的标记点进行实时监测；S3、通过对监测的数据进行分析，获取受电弓升降弓时间及弓头位移曲线信息，实现自动检测。本发明提供的受电弓升降弓时间及弓头位移曲线自动检测方法，通过在现有的受电弓上增加标记点，并通过机器视觉算法对标记点的进行实时监测，获得受电弓升降弓的时间和弓头位移曲线信息，达到实时检测受电弓升降弓状态的目的，进而防止由于受电弓结构故障而造成巨大损失。
-
公开(公告)号：CN113244641A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110510965.5
申请日：2021-05-11
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及物理实验技术领域，具体涉及一种稀有金属的蒸发注射装置及蒸发注射方法，包括依次连接的蒸发炉、注射准备管、阀门、注射输出管和喷头，所述蒸发炉用于对稀有金属进行加热蒸发，所述注射准备管外壁上设置有第一螺纹加热单元，所述第一螺纹加热单元与第一螺纹凹槽相匹配，所述阀门上设置有阀体加热单元，所述注射输出管的外壁上设置有第二螺纹加热单元。本发明通过CF法兰对各部件接口进行连接，保证管路的密封性，同时分别设置第一螺纹加热单元、第二螺纹加热单元和阀体加热单元对管路进行均匀加热，杜绝管路上出现温度冷点，保证金属蒸汽能够安全、稳定地注入到稀有金属实验装置内，对促进稀有金属的实验研究具有重要意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992385A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110487394.8
申请日：2021-05-06
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及物理实验设备技术领域，具体涉及一种准环对称仿星器磁场位形的设计方法，利用STELLOPT代码扫描非轴对称磁场分量（Bm,n为磁场强度谱）的径向位置，采用改进的Levenberg‑Marquardt算法改变等离子体边界形状，得到多组迭代后的准环对称仿星器磁场位形参数，从中再筛选出最佳的准环对称仿星器磁场位形。本发明设计得到的准环对称仿星器磁场位形，能够兼顾托卡马克和传统仿星器的长处，具有低新经典输运，长时间稳态运行，高β（等离子体热压与磁压之比）极限等优点，达到既有良好的等离子体约束性能，又可实现长时间稳态运行的技术效果，同时填补了国内仿星器实验物理研究的空白，对促进未来稳态、高约束运行的商用聚变堆的建设发展具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN106953009A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710291749.X
申请日：2017-04-28
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: H01L45/00 , G11C13/0002 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的制备方法，涉及存储器制造技术领域。它能有效地解决半导体材料的负面影响的问题。包括步骤一、收集足够的干枯树叶；步骤二、将步骤一收集到的树叶通过分离法获取超细的树叶粉末，备用；步骤三、将步骤二得到的超细树叶粉末溶解在乙基纤维素溶液中，制备成胶体；步骤四、用掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤三得到的胶体在基片导电的一面旋涂成薄膜作为介电层；步骤五、将步骤四中得到的带介电层的基片，在60℃的干澡箱里干燥12小时以上；步骤六、将步骤五中干燥之后的基片放入真空沉积设备；步骤七、通过真空沉积法将基片上介电层的表面沉积金属银做上电极，得到具有银/树叶/FTO结构的忆阻器件。
-
公开(公告)号：CN102912332B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210318962.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法，其具体作法是：a、M2Zr2O7薄膜的制备：将M(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度M+3：Zr+4为1：1溶于羟乙基甲基醚，加入氧化聚乙烯20000合成胶体；将胶体涂覆于Ni基合金基带上，干燥后放入H2/Ar还原气氛保护的热处理炉内分解成相；b、RexCe1-xOy薄膜的制备：按稀土离子（Re）与铈离子（Ce）比x：1－x，0≤x≤0.5配制稀土硝酸盐混合物，将混合物溶解于高分子有机溶剂合成胶体，将胶体涂覆于M2Zr2O7基底上，干燥后放入气氛烧结炉中,在H2/Ar还原气氛保护下分解成相。本发明采用全硝酸盐体系化学溶液沉积法，来制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层，该制备方法与物理法相比简单易行、成本低、无污染、可大规模工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102701728B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210149549.8
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备方法，对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Gd1-xPbxBiO3，其中0.1≤x≤0.2。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。公开了Gd1-xPbxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积等优点。
-
公开(公告)号：CN102412015A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110341295.5
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/06
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的结构，包括有NiW合金基带，NiO和SmBiO3构成的符合缓冲层以及YBCO超导层。本发明的结构SmBiO3缓冲层为西南交通大学自己开发的具有潜在重大应用价值的REBiO3系列缓冲层材料的进一步实用化进步之一，本发明的高温超导涂层导体结构，其NiO缓冲层可采用成本低，工艺简单，易得良好品质的自氧化外延制备的方法制备；在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备中可采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，适合大规模沉积等优点。另一方面Ni基合金/NiO/SmBiO3/YBCO为打破国外其他涂层导体结构的工艺制备的保护与封锁起到重要的积极作用，并为我国的第二代高温超导涂层导体的研究与应用化进程起到积极的推动作用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
79
records
(took 0.034 seconds)
