公开(公告)号：CN102442822A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110269273.2

申请日：2011-09-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 王文涛 ,  赵勇 ,  杨新福 ,  蒲明华 ,  张勇

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/622

Abstract: 一种制备高临界电流密度钆钡铜氧超导薄膜的方法，其具体作法是：a、无氟前驱溶液制备：将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸锌，按钆∶钡∶铜∶锌的化学计量比1∶2∶3-X∶X，0.0002≤X≤0.006的比例溶解于丙酸中，得前驱溶液；b、在a步的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG)，得到无氟涂层胶体；c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜；d、将c步的制得的带薄膜基片进行分解热处理后再进行成相热处理，即得。该方法制得的锌掺杂的GdBCO超导薄膜具有双轴织构，表面平整，在磁场下的临界电流密度高。且其成本低廉、工艺简单，适合于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN102424575A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110269278.5

申请日：2011-09-13

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 王文涛 ,  赵勇 ,  杨新福 ,  蒲明华 ,  张勇

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/622

Abstract: 一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其具体作法是：a、无氟前驱溶液制备：将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸钴，按钆∶钡∶铜∶钴的化学计量比1∶2∶3-X∶X，0.0003≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中，得前驱溶液；b、在a步的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，得到无氟涂层胶体；c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜；d、将c步的制得的带薄膜基片进行分解热处理后再进行成相热处理，即得。该方法成本低廉、工艺简单，对环境无污染，适合于大规模工业化生产；该方法制得的Co掺杂的GdBCO超导薄膜具有高度双轴织构，表面平整、致密，在磁场下的临界电流密度高。

公开(公告)号：CN101456726B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910058055.7

申请日：2009-01-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 王文涛 ,  赵勇 ,  蒲明华 ,  师晓燕 ,  王伟

IPC: H01L39/24 ,  C04B35/45 ,  C04B35/622 ,  H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法，其具体作法是：a、前驱溶液制备：将乙酸钇、乙酸钡、乙酸铜及杂质元素的乙酸盐，按钇∶钡∶铜∶杂质元素的化学计量比1∶2∶3-X∶X，0.0002≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中，得前驱溶液，所述的杂质元素为钴(Co)、铁(Fe)、锌(Zn)、镍(Ni)、锂(Li)中的一种；b、在a步的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，得到涂层胶体；c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜；d、将C步的制得的带薄膜基片进行热分解处理后再进行成相热处理，即得。该方法制得的YBCO超导薄膜具有高度双轴织构，表面平整、致密，在磁场下的临界电流密度高。且其成本低廉、工艺简单，适合于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN101857429A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010213810.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 王文涛 ,  赵勇 ,  蒲明华

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种无氟化学溶液沉积制备高温超导涂层导体超导层的方法，其作法是：a、前驱溶液制备；b、涂层胶体制备；c、涂敷与干燥；d、湿式分解热处理：将带薄膜的基片置于管式炉中，在氩气气氛保护下，以1-5℃/min的速度从室温升至100-150℃；然后向炉中通入露点为10-20℃的水汽、氩气的混合气，形成潮湿的氩气保护气氛，以0.25-1.5℃/min的速度升温至450-500℃，保温0.5-2小时；随后再在氩气气氛中，冷却至室温；e、成相热处理后即得。该法制备的高温超导涂层导体超导层的临界电流密度达到与含氟法制备的超导层的相同的数量级；超导层具有高度双轴织构、表面平整致密；该方法还易于制备较厚的超导层，其成本低廉、工艺简单，适用于大规模的工业化生产。

公开(公告)号：CN101456726A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200910058055.7

申请日：2009-01-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 王文涛 ,  赵勇 ,  蒲明华 ,  师晓燕 ,  王伟

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/622 ,  H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法，其具体作法是：a.前驱溶液制备：将乙酸钇、乙酸钡、乙酸铜及杂质元素的乙酸盐，按钇∶钡∶铜∶杂质元素的化学计量比1∶2∶3－X∶X，0.0002≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中，得前驱溶液，所述的杂质元素为钴(Co)、铁(Fe)、锌(Zn)、镍(Ni)、锂(Li)中的一种；b.在a步的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，得到涂层胶体；c.涂敷及干燥在基片上形成薄膜；d.将C步的制得的带薄膜基片进行热分解处理后再进行成相热处理，即得。该方法制得的YBCO超导薄膜具有高度双轴织构，表面平整、致密，在磁场下的临界电流密度高。且其成本低廉、工艺简单，适合于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN102912332A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210318962.2

申请日：2012-09-03

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 雷鸣 ,  赵勇 ,  武伟 ,  蒲明华 ,  张勇 ,  张欣

IPC: C23C20/08 ,  C04B35/48 ,  C04B35/50

Abstract: 本发明公开了一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法，其具体作法是：a、M2Zr2O7薄膜的制备：将M(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度M+3：Zr+4为1：1溶于羟乙基甲基醚，加入氧化聚乙烯20000合成胶体；将胶体涂覆于Ni基合金基带上，干燥后放入H2/Ar还原气氛保护的热处理炉内分解成相；b、RexCe1-xOy薄膜的制备：按稀土离子（Re）与铈离子（Ce）比x：1－x，0≤x≤0.5配制稀土硝酸盐混合物，将混合物溶解于高分子有机溶剂合成胶体，将胶体涂覆于M2Zr2O7基底上，干燥后放入气氛烧结炉中,在H2/Ar还原气氛保护下分解成相。本发明采用全硝酸盐体系化学溶液沉积法，来制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层，该制备方法与物理法相比简单易行、成本低、无污染、可大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN102135377A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110049671.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 王文涛 ,  赵勇 ,  雷鸣 ,  蒲明华 ,  张勇

IPC: F27B9/28 ,  H01B12/06

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明公开了一种无氟化学溶液沉积法动态连续制备高温超导带材热处理炉，所述的连续热处理炉（9）构造是：炉膛（12）由带热电偶的碳化硅管构成；耐高温不锈钢炉管（13）安装在炉膛中，其上设置有进气口（16）、（17）、（18）、（19）和排气口（15）、（20）；炉管（13）内安装有等间距的支架（14）；支架（21）安装在炉体下方；滑轮（22）安装在支架（21）下方。本发明可同时实现多种气氛分区控制的不同热处理工艺过程，生产效率高。本发明设备基于无氟化学溶液沉积方法制备带材，在非真空条件下制备且无需配套排氟设施，成本低廉、工艺简单，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN101250705B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200810044501.4

申请日：2008-04-01

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 郑果 ,  蒲明华 ,  刘见芬 ,  赵勇 ,  王贺龙

IPC: C23F17/00 ,  C22F1/08 ,  C25F3/22 ,  C25D3/12 ,  B08B3/12

Abstract: 一种强取向双轴织构的镍-铜金属基带层的制备方法，其具体作法是：a、退火：将铜片放入管式炉中，通入氢氩混合气体，升温至590-610℃，保温2小时左右，自然冷却；b、抛光：按三氧化铬18-23g/L，85％磷酸940-960ml/L，95-98％硫酸40-60ml/L混合成抛光液；在抛光液中以退火后的铜片为阳极，铝片为阴极，以200-400mA的电流进行2-5分钟的抛光；c、电镀：按硫酸镍95-110g/L，氯化镍8-15g/L，硼酸25-30g/L配制去离子水溶液的电镀液；将抛光后的铜片作阴极，镍片作阳极电镀5-15分钟，电流10-50mA。该方法制作工艺简单，设备简单，成本低；操作控制容易，且极易控制镀层的厚度和物相取向；易于大规模制备生产；环保，不产生有害环境的污染物，节能。

公开(公告)号：CN101281806B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200810044629.0

申请日：2008-06-04

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 赵勇 ,  蒲明华 ,  张红 ,  李果 ,  雷鸣 ,  程翠华

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x，0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈，溶解于有机溶剂中形成无水溶液；b、胶体制备：在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体；c、胶体涂敷与干燥：将胶体涂覆在基片上并干燥；d、烧结成相：再将基片放入烧结炉，以5-100℃/min升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，以1-2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。

公开(公告)号：CN101281805B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200810044628.6

申请日：2008-06-04

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 赵勇 ,  张红 ,  雷鸣 ,  李果 ,  蒲明华 ,  程翠华

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在N，N-二甲基甲酰胺中，形成无水溶液。b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。