公开(公告)号：CN105331950A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510627135.5

申请日：2015-09-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  薛运周 ,  李绍娟 ,  袁建

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核-长大-成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。

公开(公告)号：CN204538089U

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201520254260.1

申请日：2015-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  王玉生 ,  李绍娟

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本实用新型构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。

公开(公告)号：CN203849456U

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201420228387.1

申请日：2014-05-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  李鹏飞 ,  李绍娟 ,  甘胜 ,  孙甜

IPC: G02B6/293

Abstract: 本实用新型公开了基于二维层状材料的SOI(Silicon-On-Insulator)基微环滤波器，包括一个由埋氧层和顶层硅组成的SOI衬底，顶层硅上设有一组SOI微环谐振腔、输入直波导和输出直波导，输入直波导和输出直波导位于SOI微环谐振腔的上下两侧，构成SOI波导结构；SOI波导结构上覆盖有一个二维层状材料，输入直波导的两端分别设有输入端光栅和直通端光栅，输出直波导的一端设有输出端光栅；SOI微环谐振腔与输入直波导和输出直波导最接近的区域分别形成第一、第二耦合区域。本实用新型利用二维层状材料的可饱和吸收效应对SOI基滤波器进一步过滤，与传统技术相比，具有更窄的3dB带宽、更高的消光比、更少的噪声、CMOS工艺兼容等优点，可以在未来的片上光互连网络中获得广泛的应用。

公开(公告)号：CN204989674U

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201520355318.1

申请日：2015-05-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  甘胜 ,  李绍娟 ,  李鹏飞

IPC: G02F1/01

Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯微环结构的热光调制器，包括作为基底的绝缘衬底上硅，所述绝缘衬底上硅上相邻设置有直波导和环形谐振腔，所述直波导和环形谐振腔上方设置有一层方块状的石墨烯导电层，所述石墨烯导电层另一端上方无交叠的设置有第一电极层和第二电极层。本实用新型中，石墨烯直接与硅微环波导接触，通过调控石墨烯上加载的电压来改变其产生的热量，最终实现硅微环中光的调制。这样的一种结构，制备较为简单，而且微环谐振腔非常敏感，加之硅较大的热光系数，最终可实现很强的光学调制。另外石墨烯超快的热导率，对于该器件的动态响应也会有较大的提升。