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公开(公告)号：CN113589650A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110438835.5
申请日：2021-04-22
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 涂层组合物包含：可固化化合物，所述可固化化合物包含：核；以及三个或更多个具有式(1)的取代基；聚合物；以及一种或多种溶剂，其中总溶剂含量是基于所述涂层组合物的50至99wt％。还提供了用所述涂层组合物形成的经涂覆的基底以及使用所述组合物形成电子装置的方法。所述组合物、经涂覆的基底及方法特别适用于制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN111856878A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010267952.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 抗蚀剂底层组合物，其包含聚亚芳基醚、不同于所述聚亚芳基醚的添加剂聚合物和溶剂，其中所述添加剂聚合物包括具有选自羟基、巯基和/或氨基的至少一个受保护或游离官能团的芳族或杂芳族基团。
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公开(公告)号：CN109385205A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810844231.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D183/04 , C09D133/10 , C09D5/20 , G03F7/16 , G03F7/20
Abstract: 提供了采用湿式可剥离底层组合物制造电子装置的方法，所述湿式可剥离底层组合物包含一种或多种具有有机聚合物链的缩合聚合物，所述有机聚合物链具有含有酸性质子并且在水中的pKa为-5到13的侧位结合部分并且具有侧位结合的硅氧烷部分。
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公开(公告)号：CN113589646B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110462902.7
申请日：2021-04-22
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 一种涂覆组合物和形成电子装置的方法。涂覆组合物包含：一种或多种化合物的B阶段反应产物，所述化合物包含选自C6‑50碳环芳香族、C2‑50杂环芳香族、C1‑20脂肪族、C1‑20杂脂肪族、C3‑20脂环族和C2‑20杂脂环族的核；附接到核的两个或更多个式(1)取代基，其中Ar1是独立选自C6‑50碳环芳香族和C2‑50杂芳香族的芳香族基团；Z独立选自OR1、受保护羟基、羧基、受保护羧基、SR1、受保护巯基、‑O‑C(＝O)‑C1‑6烷基、卤素和NHR2；每个R1独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基和C5‑30芳基；每个R2独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基、C5‑30芳基、C(＝O)‑R1和S(＝O)2‑R1；x是1至Ar1中可用芳香族环原子总数的整数；*指示与核的附接点；以及一种或多种溶剂。所述方法包括提供电子装置基底，涂覆所述涂覆组合物，固化。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111856878B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010267952.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 抗蚀剂底层组合物，其包含聚亚芳基醚、不同于所述聚亚芳基醚的添加剂聚合物和溶剂，其中所述添加剂聚合物包括具有选自羟基、巯基和/或氨基的至少一个受保护或游离官能团的芳族或杂芳族基团。
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公开(公告)号：CN117447900A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311164777.7
申请日：2021-08-13
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D165/00 , C08G61/12
Abstract: 用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物。提供了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物和交联剂，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：
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公开(公告)号：CN114196293A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110934022.5
申请日：2021-08-13
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D165/00 , C08G61/12
Abstract: 一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：其中Ar是单环或多环C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；R1是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基；并且R2是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基，其中R1和R2可以任选地一起形成环。
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公开(公告)号：CN113589646A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110462902.7
申请日：2021-04-22
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 一种涂覆组合物和形成电子装置的方法。涂覆组合物包含：一种或多种化合物的B阶段反应产物，所述化合物包含选自C6‑50碳环芳香族、C2‑50杂环芳香族、C1‑20脂肪族、C1‑20杂脂肪族、C3‑20脂环族和C2‑20杂脂环族的核；附接到核的两个或更多个式(1)取代基，其中Ar1是独立选自C6‑50碳环芳香族和C2‑50杂芳香族的芳香族基团；Z独立选自OR1、受保护羟基、羧基、受保护羧基、SR1、受保护巯基、‑O‑C(＝O)‑C1‑6烷基、卤素和NHR2；每个R1独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基和C5‑30芳基；每个R2独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基、C5‑30芳基、C(＝O)‑R1和S(＝O)2‑R1；x是1至Ar1中可用芳香族环原子总数的整数；*指示与核的附接点；以及一种或多种溶剂。所述方法包括提供电子装置基底，涂覆所述涂覆组合物，固化。
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