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公开(公告)号：CN103594384B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310343947.8
申请日：2013-08-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 镰仓知之
CPC classification number: H05K1/183 , C04B37/005 , C04B37/045 , C04B2237/10 , H01L2224/16225 , H03H9/1021 , H05K1/0284 , H05K2201/10075
Abstract: 本发明提供电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备。本发明的封装的制造方法包括以下的工序：准备设置低熔点玻璃（270）的底座基板（210）和盖（259）；在减压环境下将低熔点玻璃（270）加热到流动点以上，使低熔点玻璃（270）消泡；在利用低熔点玻璃（270）使底座基板（210）以及盖（250）重合之后，在减压环境下将低熔点玻璃（270）加热到流动点以上，接合底座基板（210）以及盖（250）。
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公开(公告)号：CN103531705B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310247006.4
申请日：2013-06-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/053 , H01L41/09
CPC classification number: H05K7/06 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H05K3/243 , H05K3/244 , H05K2201/10075 , H05K2201/10371 , Y10T428/12618 , Y10T428/265 , H01L2924/00
Abstract: 基底基板、电子器件和电子设备。本发明提供具有接合强度优良的金属层的基底基板、具有该基底基板的高可靠性的电子器件、具有该电子器件的高可靠性的电子设备。基底基板（210）具有基板（220）以及设于基板（220）上的金属层（金属化层（240）、电极层（230）），金属层至少具有材料中含有镍的含镍膜和材料中含有钯的含钯膜，所述含钯膜相对于含镍膜位于基板（220）的相反侧，含镍膜和含钯膜中的至少一方的磷的含量小于1%质量百分比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103524149B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310246968.8
申请日：2013-06-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 镰仓知之
CPC classification number: H05K7/00 , H01L2224/16225 , H03H9/0509 , H03H9/1021 , H05K1/0306 , H05K1/18 , H05K3/246 , H05K3/30 , H05K3/321 , H05K2201/0347 , H05K2201/10083 , H05K2201/10371 , H05K2203/1131 , H05K2203/1147 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913
Abstract: 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备。本发明的基底基板的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。
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公开(公告)号：CN103524149A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310246968.8
申请日：2013-06-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 镰仓知之
IPC: C04B41/90
CPC classification number: H05K7/00 , H01L2224/16225 , H03H9/0509 , H03H9/1021 , H05K1/0306 , H05K1/18 , H05K3/246 , H05K3/30 , H05K3/321 , H05K2201/0347 , H05K2201/10083 , H05K2201/10371 , H05K2203/1131 , H05K2203/1147 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913
Abstract: 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备。本发明的基底基板的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。
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公开(公告)号：CN102170757A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110029566.3
申请日：2011-01-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 镰仓知之
CPC classification number: H05K3/107 , C23C18/1608 , C23C18/1653 , H05K3/0032 , H05K3/181 , H05K2203/0723 , H05K2203/0733
Abstract: 本发明提供可形成构成电路布线的电路布线膜的线宽微细且膜厚均匀的电路布线的电路布线形成方法、具备该电路布线的电路基板以及线宽微细且膜厚均匀的布线膜的膜厚大于布线膜的宽度的电路布线膜。形成电路基板中的电路布线的电路布线形成方法，其特征在于，具备：沟槽形成步骤，其在形成电路布线的布线基体材料上形成与电路布线的形状对应的沟槽；疏液处理步骤，其至少将布线基体材料的基体材料面和沟槽的侧壁面处理为对包含导电层形成用催化剂的液状体具有疏液性；催化剂配设步骤，其在沟槽配设包含导电层形成用催化剂的液状体；以及膜形成步骤，其通过在包含沟槽的范围配设镀敷液，利用导电层形成用催化剂将导电性材料从镀敷液析出，形成构成电路布线的导电性电路布线膜。
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公开(公告)号：CN102137548A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110023899.5
申请日：2011-01-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 镰仓知之
Abstract: 本发明提供能够形成构成电路布线的电路布线膜的线宽微细且膜厚度均匀的电路布线的电路布线形成方法、具备该电路布线的电路基板及线宽微细且膜厚度均匀的布线膜的膜厚度比布线膜宽度大的电路布线膜。电路布线形成方法，形成电路基板中的电路布线，包括沟槽形成工序、催化剂配设工序和膜形成工序，所述沟槽形成工序中，在要形成电路布线的布线基材形成对应于电路布线形状的沟槽；所述催化剂配设工序中，在沟槽配设导电层形成用催化剂；所述膜形成工序中，通过将镀敷液配设于包括沟槽的范围、并通过导电层形成用催化剂而使导电性材料从镀敷液析出，来形成构成电路布线的导电性电路布线膜。
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公开(公告)号：CN1575049A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045314.X
申请日：2004-05-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种更薄的片状有机EL显示装置。有机EL显示装置包括：基板(51)，兼作阻止水分或氧等向内部透过的保护层与成膜的支撑层；层叠体，具有成膜于底层(13)之上且担负电路责任的薄膜电路层(20)、和担负有机EL发光体责任的有机EL发光层(30)；及粘接层(41)，粘接上述层叠体与上述基板，上述有机EL发光体向上述底层(13)侧发射发光光。由此，可以得到薄的有机EL显示装置。
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