声表面波器件、电子设备及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403980B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201110264421.1

    申请日:2011-08-31

    CPC classification number: H03H9/02834 H03H9/02551 H03H9/02661 H03H9/14538

    Abstract: 本发明提供一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置。在具有于工作温度范围内具有极大值和极小值、和两者之间的拐点的、曲线的频率温度特性的SAW器件中,抑制由于制造误差而可能在个体之间产生的频率温度特性的偏差及劣化。SAW器件(1)在欧拉角(-1.5°≤Φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,|ψ|≠90°×n(但是,n=0,1,2,3))的水晶基板(2)的主面上,具有:IDT(3),其激振阻带上限模式的瑞利波(波长:λ);电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指之间,其中,通过使电极指间槽的深度G为0.01λ≤G≤0.07λ,并使电极指膜厚H和IDT线占有率η满足预定的关系,从而频率温度特性常时在工作温度范围内,于极大值和极小值之间具有拐点,并且抑制由于IDT线占有率η的制造误差而导致的拐点温度的变动。

    振荡器、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN108631731B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN201810190783.2

    申请日:2018-03-08

    Inventor: 小幡直久

    Abstract: 本发明提供振荡器、电子设备以及移动体,具有较高的频率稳定性。一种振荡器,该振荡器包含:振动元件;振荡用电路,其使所述振动元件振荡并输出振荡信号;温度传感器,其对温度进行检测;温度补偿电路,其根据所述温度传感器的输出信号对所述振动元件的频率温度特性进行补偿;第一容器,其内部为第一环境,收纳所述振动元件;以及第二容器,其内部为第二环境,收纳所述第一容器、所述振荡用电路、所述温度传感器以及所述温度补偿电路,所述第一环境的热传导率比所述第二环境的热传导率高。

    声表面波器件、电子设备以及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403974B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201110261726.7

    申请日:2011-08-29

    CPC classification number: H03H9/14594 H03H9/02551 H03H9/0542

    Abstract: 一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置,其能够在维持工作温度范围内的SAW器件的优秀的频率温度特性的同时,抑制由于回流焊接安装时的高温、和使用时或环境的温度变化而导致的频率变化,从而使可靠性提高。SAW器件(1)具有:IDT(3),其在欧拉角为(-1.5°≤φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,ψ)的水晶基板(2)的主面上,对阻带上限模式的SAW进行激振;电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指(6a,6b)之间。当欧拉角ψ为42.79°≤|ψ|≤49.57°时,IDT电极指膜厚H设定在0.055μm≤H≤0.335μm的范围内,优选设定在0.080μm≤H≤0.335μm的范围内。当欧拉角为|ψ|≠90°×n,且n=0、1、2、3时,电极指膜厚H设定在0.05μm≤H≤0.20μm范围内。

    声表面波器件、电子设备及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403979A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110264418.X

    申请日:2011-08-31

    Inventor: 小幡直久

    CPC classification number: H03H9/02551 H01L41/04 H03H9/0542 H03H9/14594

    Abstract: 本发明提供一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置。在具有如下曲线的频率温度特性的声表面波器件中,对应于工作温度范围而将频率温度特性调节至最佳,所述曲线具有极大值、极小值以及两者之间的拐点。声表面波器件(1)在欧拉角(-1.5°≤Φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,|ψ|≠90°×n(但是,n=0,1,2,3))的水晶基板(2)的主面上具有:IDT(3),其激振阻带上限模式的瑞利波(波长:λ);电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指之间,其中,通过IDT线占有率η和电极指间槽深度G与波长λ相关而满足预定的关系,从而具有在工作温度范围内具有极大值、极小值以及两者之间的拐点的三次曲线的频率温度特性,并且可以通过IDT线占有率η而在工作温度范围内将拐点调节在所希望的温度或温度区域内。

    声表面波器件、电子设备以及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403974A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110261726.7

    申请日:2011-08-29

    CPC classification number: H03H9/14594 H03H9/02551 H03H9/0542

    Abstract: 一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置,其能够在维持工作温度范围内的SAW器件的优秀的频率温度特性的同时,抑制由于回流焊接安装时的高温、和使用时或环境的温度变化而导致的频率变化,从而使可靠性提高。SAW器件(1)具有:IDT(3),其在欧拉角为(-1.5°≤φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,ψ)的水晶基板(2)的主面上,对阻带上限模式的SAW进行激振;电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指(6a,6b)之间。当欧拉角ψ为42.79°≤|ψ|≤49.57°时,IDT电极指膜厚H设定在0.055μm≤H≤0.335μm的范围内,优选设定在0.080μm≤H≤0.335μm的范围内。当欧拉角为|ψ|≠90°×n,且n=0、1、2、3时,电极指膜厚H设定在0.05μm≤H≤0.20μm范围内。

    温度补偿型振荡器及电子设备

    公开(公告)号:CN208316684U

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201820398822.3

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 本实用新型提供温度补偿型振荡器及电子设备。提供还能够用于在苛刻的温度环境下也要求较高的频率稳定性的电子设备以及移动体的振荡器。温度补偿型振荡器包含振动片、振荡用电路以及温度补偿型电路,设观测时间为τ,0.1s<τ≤1s的MTIE值为1.3ns以下,1s<τ≤10s的MTIE值为1.3ns以下,10s<τ≤100s的MTIE值为1.8ns以下,100s<τ≤1000s的MTIE值为2.9ns以下,0.1s<τ≤10s的TDEV值为47ps以下,10s<τ≤100s的TDEV值为65ps以下,100s<τ≤1000s的TDEV值为94ps以下。

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