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公开(公告)号：CN1959954B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200610143913.4
申请日：2006-11-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/00 , H01L23/52 , H05K1/02 , H05K1/16 , H05K3/10 , H05B33/10 , H05B33/12 , B41J2/01 , B41M3/00
CPC classification number: H05K3/1258 , G02F2001/136295 , H05K3/125 , H05K2201/09272 , H05K2201/09727 , H05K2203/013 , H05K2203/0568
Abstract: 本发明的膜图案形成方法能够确保规定功能并且稳定地形成图案。形成有：将功能液配置在基板上而形成线状的第一膜图案(40)和比该第一膜图案(40)宽度窄且以基端部与第一膜图案(40)连接的第二膜图案(41)。具有：形成间壁(34)的工序，间壁(34)具有与第一膜图案(40)对应的第一开口部分(55)和与第二膜图案(41)对应的第二开口部分(56)；和在第一开口部分(55)配置功能液的液滴，通过功能液的自流动将功能液配置在第二开口部分(56)的工序。第二膜图案(41)的前端部具有欠缺部分(41a)，欠缺部分(41a)具有欠缺了矩形轮廓的形状。
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公开(公告)号：CN101114121B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710136934.8
申请日：2007-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03F7/00 , H05K3/12 , G02F1/1333
CPC classification number: G03F7/0007 , G02F2001/136295 , H05K3/0023 , H05K3/1241 , H05K3/1258 , H05K2201/09727 , H05K2201/09909 , H05K2203/1173
Abstract: 本发明提供一种可以稳定形成具有高可靠性的图案的图案形成方法、以及液晶显示装置的制造方法。是通过在基板(P)上配置功能液形成图案的方法。在基板(P)上形成围堰膜(B0)，对围堰膜(B0)的表面实施疏液处理(F)。然后，使已实施了疏液处理(F)的围堰膜(B0)形成图案，形成围堰。实施将由该围堰划分的图案形成区域的表面的羟基烷基化的表面改性处理。在进行了表面改性处理之后，在图案形成区域配置功能液，并烧成功能液，形成图案。
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公开(公告)号：CN100439986C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610009045.0
申请日：2006-02-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供：可以高精度、均匀形成微细化或细线化的膜图案的膜图案的形成方法。所述方法包括：在基板(P)上形成表面已疏液化的第一贮格围堰(B1)的工序；在由第一贮格围堰(B1)所划分的区域内配置第一功能液(L1)的工序；干燥第一功能液(L1)的工序；在第一贮格围堰(B1)上形成第二贮格围堰(B2)的工序；在第二贮格围堰(B2)所划分的区域，配置第二功能液(L2)的工序。在本发明中，配置第一功能液(L1)的工序与配置第二功能液(L2)的工序之间，设了使第一贮格围堰(B1)表面亲液处理的工序。由此，提高了第二功能液(L2)与作为基底的第一贮格围堰(B1)之间的湿润性，可以形成良好的第二膜图案(F2)。
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公开(公告)号：CN1959954A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143913.4
申请日：2006-11-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/00 , H01L23/52 , H05K1/02 , H05K1/16 , H05K3/10 , H05B33/10 , H05B33/12 , B41J2/01 , B41M3/00
CPC classification number: H05K3/1258 , G02F2001/136295 , H05K3/125 , H05K2201/09272 , H05K2201/09727 , H05K2203/013 , H05K2203/0568
Abstract: 本发明的膜图案形成方法能够确保规定功能并且稳定地形成图案。形成有：将功能液配置在基板上而形成线状的第一膜图案(40)和比该第一膜图案(40)宽度窄且以基端部与第一膜图案(40)连接的第二膜图案(41)。具有：形成间壁(34)的工序，间壁(34)具有与第一膜图案(40)对应的第一开口部分(55)和与第二膜图案(41)对应的第二开口部分(56)；和在第一开口部分(55)配置功能液的液滴，通过功能液的自流动将功能液配置在第二开口部分(56)的工序。第二膜图案(41)的前端部具有欠缺部分(41a)，欠缺部分(41a)具有欠缺了矩形轮廓的形状。
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公开(公告)号：CN1870250A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610084866.0
申请日：2006-05-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3295
Abstract: 在基板P上形成划分具有第1图案形成区域(52、53)和由交叉部(56)分开的第2图案形成区域(55)的图案形成区域的围堰(51)。而且，在第1图案形成区域(52、53)内形成第1膜图案、在第2图案形成区域内形成第2膜图案后，对基板的全面实施疏液处理。其后，选择地保持第2膜图案的各规定位置的疏液性的情况下、降低基板上的疏液性。在第1膜图案和第2膜图案上层叠盖层，除去第2膜图案的各规定位置的疏液性，使各规定位置之间由导电膜连接。在分开的图案形成区域内形成具有盖层的膜图案时，通过使其形成工序简单化，提供可以提高膜图案的生产率的膜图案的形成方法、有源矩阵基板、电光学装置和电子仪器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1870226A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610084872.6
申请日：2006-05-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/288 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/00 , H01L23/485 , H01L23/522 , G02F1/1343
CPC classification number: C23C18/06 , C23C18/04 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , G02F1/13439 , H01L27/1292 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供对于透明导电膜微细的图案形成可能而且防止由气体或水分的影响造成的透光率降低的透明导电膜和其形成方法及具备这样的透明导电膜的电光学装置、电子仪器。其透明导电膜的形成方法具备：用以聚硅氧烷作为骨架的材质在基板(P)上形成与像素电极(透明导电膜)(19)的形成区域相对应的围堰(B4)的工序；用液滴喷出法在由围堰(B4)划分的区域内配置含有透明导电性微粒子的第1功能液的工序；干燥处理第1功能液而作成第1层膜(19c)的工序；用液滴喷出法在第1层膜(19c)上配置含有金属化合物的第2功能液的工序；和一起烧成第1层膜(19c)和第2功能液形成由第1层膜(19c)和埋住该膜中的空隙的金属氧化物构成的透明导电层(19a)的工序。
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公开(公告)号：CN1862767A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610077881.2
申请日：2006-05-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3295
Abstract: 本发明提供在围堰上不残留弹落的功能液的残渣、使该功能液确实地流入图案形成区域内、得到可靠性高的膜图案的膜图案形成方法，用该形成方法得到的膜图案、具备该膜图案的器件、电光学装置和电子仪器。本发明是将功能液(X1)配置在基板(P)上形成膜图案的方法，首先，在基板(P)上形成与膜图案的形成区域(34)相对应的围堰(B)。而且，将功能液(X1)配置在由围堰(B)区分的图案形成区域(34)内。而且，使功能液(X1)进行固化处理，形成膜图案。此时，在相对于围堰(B)的上面的功能液(X1)的前进接触角和后退接触角之差成为10°以上而且后退接触角成为13°以上的条件下进行功能液X1的配置。
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公开(公告)号：CN1816255A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610006988.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 具有在基板(P)上形成贮格围堰(B)的工序、在由贮格围堰(B)划分的区域中配置功能液(L)的工序、使基板(P)上配置的功能液(L)干燥形成膜图案(F)的工序。在基板(P)上形成由贮格围堰的形成材料构成的薄膜(B0)，对其表面进行疏液处理后，通过图案化形成贮格围堰(B)。据此，成为只有贮格围堰(B)的上表面疏液，贮格围堰(B)的侧面未疏液的状态(对功能液(L)湿润性良好的状态)，所以在配置功能液(L)时，能顺利湿润扩展到贮格围堰间。提供能以高精度稳定形成实现微细化或细线化的膜图案的薄膜图案的形成方法。
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公开(公告)号：CN1816253A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610006950.0
申请日：2006-01-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供可以精度良好地稳定地形成谋求微细化或细线化的膜图案的薄膜图案的形成方法。具有：在基板(P)上形成贮格围堰(B)的工序；将功能液(L)配置到由贮格围堰(B)划分的区域内的工序；和干燥配置在基板(P)上的功能液L而形成膜图案F的工序。贮格围堰的形成材料由烧结以聚硅氮烷作为主成分的感光性贮格围堰形成材料的无机质材料构成。
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公开(公告)号：CN1764352A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510113607.1
申请日：2005-10-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05K3/1258 , H01L27/1292 , H05K3/125 , H05K2201/09909 , H05K2203/013 , H05K2203/0568 , H05K2203/1173
Abstract: 薄膜图案形成方法包括：在形成对于包含构成第一薄膜的薄膜材料的功能液具有亲液性的第二薄膜的步骤；在第二薄膜的表面进行付与对功能液的疏液性的处理的步骤；除去第二薄膜的一部分，形成规定第一薄膜图案形状的凹部的步骤；向凹部喷出功能液的步骤；使向凹部喷出的功能液干燥，形成第一薄膜的步骤。半导体器件的电路配线，用所述薄膜图案形成方法形成，电光学装置具备该半导体器件，电子仪器具备所述电光学装置。
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