-
公开(公告)号：CN101728422B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910253830.4
申请日：2002-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置。有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的围堰层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。
-
公开(公告)号：CN101728422A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910253830.4
申请日：2002-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置。有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的围堰层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。
-
公开(公告)号：CN1652353A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510054415.8
申请日：1997-06-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供一种具有可减少Vgs－Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19)，栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外，在源区(17)、漏区(18)中，通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部，在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。
-
公开(公告)号：CN1143394C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN97191134.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明是一种将基板上的薄膜器件转移到转移体上的方法，包括：在所述基板上形成分离层的工序；在所述分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的工序；通过中间层将包含薄膜器件的被转移层接合到所述转移体上的工序；将光照射到所述分离层上，在所述分离层的层内和/或界面处产生剥离的工序；以及使所述基板从所述分离层脱离的工序。
-
公开(公告)号：CN1448987A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108294.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1259 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3255 , H01L27/3293 , H01L51/56 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2227/326 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于采用薄膜电路的基板间转印技术制造大型半导体装置。通过将多个第2基板(21)拼贴配置进行大型化。作为第2基板(21)，采用两面布线和多层布线的印刷基板和可挠性电路。多个第2基板(21)分别独立驱动，第2基板(21)一部分相互重合，在重合部分上配置驱动电路(23)。又，使多个第2基板(21)的一部分相互重合，在重合部分上连接相互的电路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1444288A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03107749.8
申请日：1997-06-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供一种具有可减少Vgs－Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19)，栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外，在源区(17)、漏区(18)中，通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部，在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。
-
公开(公告)号：CN1345026A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01141011.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
CPC classification number: G09G3/344 , G02F1/167 , G09G2300/08 , G09G2310/0245 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/04 , G09G2310/061 , G09G2310/063 , G09G2330/021
Abstract: 使用电泳墨水的电泳显示器由透明基片(112)、公共电极(113)、像素电极(114)和薄膜晶体管(116)组成。电泳墨水层布置在公共电极和像素电极之间,且由大量线性排列的微囊来实现,微囊中包含了散布在特定颜色液体(214)中的带负电的白色微粒(215)。所有像素电极同时被设定为低电势,而公共电极被设定为高电势,以便可以立即在显示表面的全部区域删除显示内容,然后使像素电极响应于显示数据被分别驱动,同时公共电极被设定为低电势,以便使显示内容响应于显示数据被重写成新的内容。
-
公开(公告)号：CN100580946C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN02811117.6
申请日：2002-12-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3253 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 有效制造有机EL显示体。将形成由薄膜晶体管11构成的驱动电路的驱动电路基板(100)和层压透明电极层31、由绝缘物质构成的围堰层32、空穴注入层33、有机EL层34和阴极层36的发光基板(300)贴合，制造发光装置(1000)。
-
公开(公告)号：CN100403490C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410033468.7
申请日：2004-04-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L27/1266 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L2221/68368
Abstract: 一种半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器，所述半导体器件制造方法包括：在第一基板(10)上形成剥离层(12)的剥离层形成工序；在剥离层上形成绝缘膜(14)的绝缘膜形成工序；在绝缘膜(14)上形成多个微孔(16)的微孔形成工序；在绝缘膜上和微孔(16)内形成半导体膜(18)的成膜工序；通过热处理，熔融结晶化半导体膜，形成包含以所述各微孔大致作为中心的大致单晶的晶粒而构成的结晶性半导体膜(20)的结晶化工序；使用各结晶性半导体膜形成半导体元件(T)的元件形成工序；在剥离层(12)的层内和/或界面上产生剥离，将半导体元件转移到第二基板上的转移工序。根据本发明，可在大面积基板上容易形成细微且高性能的薄膜半导体元件。
-
公开(公告)号：CN100339939C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03108294.7
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1259 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3255 , H01L27/3293 , H01L51/56 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2227/326 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于采用薄膜电路的基板间转印技术制造大型半导体装置。通过将多个第2基板(21)拼贴配置进行大型化。作为第2基板(21)，采用两面布线和多层布线的印刷基板和可挠性电路。多个第2基板(21)分别独立驱动，第2基板(21)一部分相互重合，在重合部分上配置驱动电路(23)。又，使多个第2基板(21)的一部分相互重合，在重合部分上连接相互的电路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.038 seconds)
