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公开(公告)号：CN117192846A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311313731.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种液晶透镜及其控制方法，其中，液晶透镜包括：第一基板；第一基板上设置有第一电极组，第一电极组包括M个电极区域，每个电极区包括N个第一电极，每一电极区域中相同次序的第一电极连接在同一个第一驱动电压源；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极和与各个电极区域位置相对应的引线组，每个引线组包括N+1个导电电极，相邻的导电电阻之间连接有高阻引线，引线组两端的导电电极分别与第二驱动电压源和公共面电极进行电连接；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明可以在补偿液晶透镜不均区域的成像效果的基础上，减少驱动电压源的设置。
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公开(公告)号：CN111834420B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN115295541A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210163320.3
申请日：2022-02-22
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , G09F9/33 , G09F9/302
Abstract: 本发明涉及一种相反极性并联的LED叠层组成的发光单元及显示器件，所述发光单元包括多层无机发光二极管LED层和具有多组电极的驱动基板，所述多层LED层在驱动基板垂直方向上堆叠放置且与驱动基板上的多组电极电性连接；所述多层LED层中包括至少两层相反极性并联的LED层，并通过驱动基板上的一组电极控制相反极性并联LED层发出至少两种不同颜色的光；所述显示器件包括阵列设置的多个像素，每个像素对应设有一个所述发光单元，所有发光单元的驱动基板为单独设置，或组合为若干个区域驱动基板，或组合为一个整体驱动基板。该发光单元及显示器件结构简单，工作效率高，像素密度高，工作寿命长。
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公开(公告)号：CN114411124A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210104274.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。
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公开(公告)号：CN113299227A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118841360B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种具备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
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公开(公告)号：CN117587511A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311598904.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
IPC: C30B25/18 , C30B29/40 , C23C28/04 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C14/08 , C23C14/35 , C30B29/02 , C30B29/46 , C30B29/20 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开一种用于III族氮化物高质量外延生长的二维材料缓冲层。所述二维材料缓冲层包括石墨烯、二硫化钼等。所述二维材料缓冲层的生长可以直接在高温难熔金属衬底上进行，也可以在预溅射催化层，如铜（Cu）、镍（Ni）等的金属衬底上进行。进一步地可以在二维材料层上生长AlN缓冲层以提高与氮化物外延的晶格匹配率。层间弱键合二维缓冲层的引入保留了金属衬底与氮化物外延的热匹配并提高衬底晶格匹配率，从而降低氮化物外延层中的应力，有利于改善生长于该缓冲层上III族氮化物材料的热失配和晶格失配问题，提高晶体质量和性能。另外金属衬底尺寸不受限制，可极大提高晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN111834388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN116344719A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310296474.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种小出光角的Micro‑LED结构。所述Micro‑LED结构，包括Micro‑LED台面、光转向层、光聚集层；Micro‑LED台面结构主要包括N掺杂区、多量子阱层、P掺杂区等；光转向层结构包括：金属反射层、高折射率透明介质层、低折射率透明介质层；光聚集层结构包括：一维光子晶体、二维光子晶体。该结构主要优势在于，可减小Micro‑LED出光角度并增大出光面法向的光强，同时可抑制侧壁出光，使Micro‑LED更好地应用于近眼显示等领域。
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公开(公告)号：CN113299227B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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