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公开(公告)号：CN102545882B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210001142.0
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种由纳米器件组成的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元。其由一个四输入的SET/MOS混合电路和第一、二反相器构成，所述的第一、二反相器的输出端各自与所述SET/MOS混合电路的一输入端连接；其通过对输入端的偏置，该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非逻辑功能，而不需要改变电路的器件参数。该可重构阈值逻辑单元结构简单、功耗低、集成度高，同时具有较高的可重构特性，能够有效地实现同一单元的不同逻辑功能。这些特点使得该可重构阈值逻辑单元能够应用于FPGA、人工神经网络等低功耗、高集成度超大规模集成电路中。
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公开(公告)号：CN103281063B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310233016.2
申请日：2013-06-13
Applicant: 福州大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种SET/MOS混合电路构成的选通逻辑电路，包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管，所述PMOS管的源极连接电源Vdd，栅极连接一基准电压Vpg，漏极作为所述选通逻辑电路的输出端并连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vng，源极连接所述单电子晶体管的漏极，所述单电子晶体管的源极接地，背栅连接一背栅电压Vctrl，所述单电子晶体管包括三个输入端，且C1=2*C2=2*C3，其中，C1、C2和C3分别为所述第一输入端、第二输入端和第三输入端的电容。本发明具有极低的功耗、超小的器件尺寸、较强的驱动能力和较大的输出摆幅。
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公开(公告)号：CN104795094A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510189871.7
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1693
Abstract: 本发明涉及一种基于两级放大器的STT-RAM读取电路及其控制方法。所述读取电路包括一开环放大器及与该开环放大器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和第一反相器，所述第一反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器，所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至第一时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端，所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据，所述控制逻辑电路还连接有一用于提供参考电压的外部电压输出电路。本发明提供的读取电路可以有效的提高读取速度，节省了功耗，增大了输出摆幅和增益，提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN102571076B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210001122.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的7-3计数器，包括一个七输入阈值逻辑门、一个八输入阈值逻辑门和一个九输入阈值逻辑门；该电路仅由3个阈值逻辑门和2个反相器构成,共消耗5个PMOS管，5个NMOS管和3个SET。而基于布尔逻辑的CMOS7-3计数器则要消耗194个晶体管。整个电路的平均功耗仅为6.92nW。相比而言，本发明提出的7-3计数器管子数目大大减少，电路功耗显著降低，电路结构得到了进一步的简化，有望应用于乘法器、多输入加法器以及数字信号处理器中。
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公开(公告)号：CN102545879B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210048040.4
申请日：2012-02-29
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器，其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接，本发明在具有较低功耗的同时，能够实现输出电压全摆幅以及较低的传输延迟，可以在数字电路设计中得到更好的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102571071B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210001147.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元，包括第一、二、三、四信号源、四输入阈值逻辑门、五输入阈值逻辑门以及一反相器；其共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和2个SET。HSPICE的仿真结果表明该电路能够有效地实现乘法器单元的逻辑功能,整个电路的平均功耗仅为12nW。与基于布尔逻辑的CMOS乘法器单元相比,管子数目大大减少,功耗显著降低,电路结构得到了进一步的简化,有利于节省芯片的面积,提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN102568564B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210048006.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/417
Abstract: 本发明涉及一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元，其特征在于：包括一NMOS管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS电路；该NDR电路和该SET-MOS电路串联，所述的NMOS管的漏极连接至该NDR电路和该SET-MOS电路之间。该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现存储的功能。本发明采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。
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公开(公告)号：CN102457266B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201210001150.5
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的2:1复用器，该复用器电路仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成，共消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET，其输入输出电压间具有较好的兼容性，输出电压具有较大的摆幅。与基于布尔逻辑的CMOS2:1复用器相比，电路功耗明显下降，管子数目得到了一定的减少，电路结构得到了进一步的简化。该复用器能够在信号传输、数据传递、数据总线控制等领域中得到应用，有利于降低电路功耗，节省芯片面积，提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN102571071A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210001147.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元，包括第一、二、三、四信号源、四输入阈值逻辑门、五输入阈值逻辑门以及一反相器；其共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和2个SET。HSPICE的仿真结果表明该电路能够有效地实现乘法器单元的逻辑功能,整个电路的平均功耗仅为12nW。与基于布尔逻辑的CMOS乘法器单元相比,管子数目大大减少,功耗显著降低,电路结构得到了进一步的简化,有利于节省芯片的面积,提高电路的集成度。
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