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公开(公告)号：CN107730715B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710862088.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 杭州电子科技大学信息工程学院
Abstract: 本发明公开了一种智能纸箱回收装置及其工作方法。该装置包括箱体，箱体前侧设有投递仓，投递仓前侧设有电动仓门，投递仓左右两侧设有电动挡板，投递仓下方并排设有大盒回收腔和小盒回收腔，投递仓底面设有与大盒回收腔连通的第一通孔以及与小盒回收腔连通的第二通孔，第一通孔上设有第一电动门，第二通孔上设有第二电动门，投递仓顶部设有摄像头，大盒回收腔底部设有第一电动伸缩杆，第一电动伸缩杆顶部设有第一托板，小盒回收腔底部设有第二电动伸缩杆，第二电动伸缩杆顶部设有第二托板，大盒回收腔内壁上部设有第一红外线传感器，小盒回收腔内壁上部设有第二红外线传感器。本发明能够自动回收不同尺寸且经过用户拆分放平后再投入的纸箱。
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公开(公告)号：CN108897337A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810628745.0
申请日：2018-06-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05D1/10
Abstract: 本发明涉及一种非可视环境下舰载机虚拟甲板着舰方法，使得舰载机操作员能够在非可视环境下，如严重沙尘暴、浓雾或暴雨情况下的黑夜场景下，更加直观的了解到舰艇的位置、航行情况与着陆区域信息，提高了舰载机返航着舰的安全性和高效性。采用图形化和符号化的虚拟甲板着舰方法，形象地凸显了舰载机的飞行状态信息和舰艇的航行状态信息以及舰艇的轮廓与着舰地标信息，该方法在返航着舰第一阶段使用辅助着舰仪表指示信息和虚拟舰艇指示信息指引舰载机返航飞行，凸显了舰艇的信息；在返航着舰第二阶段提供辅助着舰仪表指示信息，虚拟甲板指示信息和虚拟着舰地标指示信息为安全着舰提供了着舰位置、方位等全方位的参考信息。
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公开(公告)号：CN105375901B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510881021.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明属于射频通信及微机电系统中的元器件技术领域，涉及一种抑制杂散模态及馈通的MEMS压电谐振器，包括差分输入结构、差分输出结构和偶数阶侧向伸缩振动模态MEMS压电谐振器，所述偶数阶侧向伸缩振动模态MEMS压电谐振器包括基底、支撑台、支撑梁、振动块，振动块的振动模态阶数为2N，压电薄膜上设置2N个电极，均分为两组，每组电极中将同相电极互连、形成一对驱动电极及感应电极，两对驱动电极及感应电极对应连接外部互连金属区，形成谐振器两个输入端及输出端，将输入信号经过差分输入结构产生两路差分信号，分别输入谐振器上两个输入端，两个输出端产生两路输出信号，经差分输出结构进行差分处理后输出，能够有效抑制杂散模态及馈通，提升谐振器性能。
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公开(公告)号：CN107730715A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710862088.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 杭州电子科技大学信息工程学院
Abstract: 本发明公开了一种智能纸箱回收装置及其工作方法。该装置包括箱体，箱体前侧设有投递仓，投递仓前侧设有电动仓门，投递仓左右两侧设有电动挡板，投递仓下方并排设有大盒回收腔和小盒回收腔，投递仓底面设有与大盒回收腔连通的第一通孔以及与小盒回收腔连通的第二通孔，第一通孔上设有第一电动门，第二通孔上设有第二电动门，投递仓顶部设有摄像头，大盒回收腔底部设有第一电动伸缩杆，第一电动伸缩杆顶部设有第一托板，小盒回收腔底部设有第二电动伸缩杆，第二电动伸缩杆顶部设有第二托板，大盒回收腔内壁上部设有第一红外线传感器，小盒回收腔内壁上部设有第二红外线传感器。本发明能够自动回收不同尺寸且经过用户拆分放平后再投入的纸箱。
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公开(公告)号：CN106202657A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610504930.X
申请日：2016-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及冲击波载荷作用下平面阵列天线的电性能预测方法，其包括(1)根据平面阵列天线的结构参数、材料属性建立有限元模型；(2)提取天线辐射阵面上每个天线单元的节点坐标rn；(3)定义平面阵列天线材料的弹塑性特性；击的超压Δp，并定义载荷时程曲线；(6)将载荷时程曲线转化为冲击载荷F(t)施加到有限元模型中，得到在冲击载荷影响下的结构动力学方程；(7)求解动力学方程，获得平面阵列天线在冲击波载荷作用下天线辐射阵面的塑性变形，并从中提取出阵面天线单元的节点位置偏移量Δrn；(8)获得冲击波载荷作用下天线塑性变形对远场方向图影响的关系式。(4)给有限元模型加载位置约束；(5)计算爆炸冲
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105680160A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610017861.X
申请日：2016-01-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二单元宽带介质谐振器天线，属于天线领域。本发明天线包括介质基板、设于基板正面的覆铜面及两个圆柱形介质谐振器、设于基板背面的馈电网络。其特点是设置两个介质谐振器，并且对两个谐振器采用不同的馈电结构，使其实现宽带特性，该天线具有宽频带、低剖面、易于加工、工作频带内方向图稳定性高等优点。
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公开(公告)号：CN102169892B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110056140.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。
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公开(公告)号：CN102194864A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110118632.4
申请日：2011-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/41 , H01L29/06
Abstract: 一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管中引入沟槽型多晶硅体电极，通过优化体电极上的电压，可以改善传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管电场在沟槽栅下集中的缺点，有效的降低了沟槽栅底部的峰值电场，提高了器件的击穿电压；并且，在器件正向导通时，体电极上的电压可以在体电极厚氧化层外侧形成多子积累层，降低导通电阻，从而降低正向导通时的通态损耗。
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公开(公告)号：CN102169892A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110056140.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。
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公开(公告)号：CN102157363A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110054844.0
申请日：2011-03-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐蚀或研磨的方法将衬底背面减薄至杂质注入层之后再淀积金属铝层，这样能够减小后续淀积的金属铝与衬底之间的接触电阻，消除不必要的寄生多层结构，使功率器件的漏电流、通态压降和开关时间降低。本发明适用于体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料制作的功率半导体器件。
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