一种用于高速模数转换器的栅压自举开关电路

    公开(公告)号:CN117767931A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311693652.3

    申请日:2023-12-06

    Abstract: 本发明适用于集成电路技术领域,提供了一种用于高速模数转换器的栅压自举开关电路,包括:开关管、P型栅压自举电路,以及N型栅压自举电路;其中开关管包括相互并联的NMOS管和PMOS管,其中开关管的一端连接至输入端Vin,开关管的另一端连接至输出端Vout;NMOS管与N型栅压自举电路连接;PMOS管与P型栅压自举电路连接;P型栅压自举电路和N型栅压自举电路之间相互连接;开关管用于消除沟道电荷注入效应、时钟馈通效应、体效应;N型栅压自举电路用于保持NMOS管的导通电阻恒定;P型栅压自举电路用于保持PMOS管的导通电阻恒定。本发明能够有效改善开关管的非线性失真,提高开关管的响应速度。

    一种基于液态衬底的柔性可控热阻射频器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN119786438A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411801358.4

    申请日:2024-12-09

    Abstract: 本发明涉及一种基于液态衬底的柔性可控热阻射频器件及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1:制备辅助剥离结构;S2:将辅助剥离结构转移至刚性衬底的上表面;S3:在辅助剥离结构的上表面制备AlGaN/GaN HEMT结构,得到刚性射频器件;S4:制备改性液态衬底溶液;S5:利用快速梯度降温法破坏刚性射频器件的辅助剥离结构,得到自剥离状态的刚性射频器件;S6:将自剥离状态的刚性射频器件放置在改性液态衬底溶液中,分离AlGaN/GaN HEMT结构和辅助剥离结构;S7:凝固改性液态衬底溶液,在AlGaN/GaN HEMT结构的下表面形成柔性衬底,得到基于液态衬底的柔性可控热阻射频器件。

    一种FBAR谐振器制备方法及谐振器
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118117985A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410215069.X

    申请日:2024-02-27

    Abstract: 本发明涉及一种FBAR谐振器制备方法及谐振器,包括:制备外延基片,外延基片从下至上依次包括蓝宝石衬底、GaN层和AlN外延层,AlN外延层通过MOCVD外延制备;依次制备Si衬底和SiO2牺牲层;在SiO2牺牲层上通过磁控溅射制备底电极金属层,在底电极金属层上制备Al2O3键合层,得到键合基底;将外延基片倒置放置于键合基底上,在AlN外延层与A12O3键合层键合后,剥离蓝宝石衬底;图案化刻蚀GaN层、AlN外延层、A12O3键合层和底电极金属层,并通过磁控溅射制备顶电极金属层;刻蚀释放通孔,湿法刻蚀,得到FBAR谐振器。本发明使底电极金属层的制备与AlN外延层的制备工艺分离,得到的AlN外延层致密度高,单晶性好,解决了由AlN外延层与底电极金属钼的生长工艺不兼容的问题。

    一种电容阵列版图结构及逐次逼近模数转换器版图结构

    公开(公告)号:CN117614451A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311742829.4

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种电容阵列版图结构及逐次逼近模数转换器版图结构,其中的电容阵列版图结构包括:第一版图区,包括若干呈矩阵排列的单位电容;第一版图区为电容阵列中的主电容阵列所在的版图区,主电容阵列中容值为一个或者两个单位电容的逼近电容均设置于第一版图区的矩形中心,其他逼近电容呈中心对称设置于第一版图区内;第二版图区,为电容阵列中的子电容阵列和桥接电容所在的版图区,子电容阵列通过桥接电容与主电容阵列相连接;桥接电容以及子电容阵列中容值为一个或者两个单位电容的逼近电容均设置于第二版图区的矩形中心,其他逼近电容呈中心对称设置于第二版图区内。本发明中的结构,能够降低电容阵列中的失配,减少寄生。

    一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN116845111A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310822885.2

    申请日:2023-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法,其中的器件包括:衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层;P‑GaN双终端层,设置于势垒层上除阴极位置区域和阳极位置区域以外区域;P‑GaN双终端层包括分别设置于第一区域和第二区域的第一终端和第二终端,第一区域为P‑GaN双终端层靠近阳极位置区域的端部中的部分区域,第二区域为除第一区域以外的区域;第二终端为对第二区域的P‑GaN材料进行等离子体处理后得到;阴电极,设置于势垒层上的阴极位置区域;阳电极,设置于势垒层上的阳极位置区域,并与第一终端和第二终端均电接触。本发明中的器件,正向工作时电流密度较高、开启电压较低,反向工作时漏电电流较小、击穿电压较高。

    一种流水线模数转换器版图结构
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116760413A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310727140.8

    申请日:2023-06-19

    Abstract: 本发明公开了一种流水线模数转换器版图结构,其包括功能电路版图区和围绕功能电路版图区设置的输入输出接口版图区;功能电路版图区包括电源电路版图区、数字信号电路版图区和混合信号电路版图区;数字信号电路版图区与电源电路版图区相邻,混合信号电路版图区呈U型环结构环绕电源电路版图区和数字信号电路版图区,且电源电路版图区位于U型环结构环设空间的底部,数字信号电路版图区位于U型环结构环设空间的开口处;电源电路版图区用于提供参考电流,混合信号电路版图区用于对输入信号进行量化,数字信号电路版图区用于产生时钟信号,并对混合信号电路版图区产生的量化结果进行校准。本发明中的结构,能够提高流水线模数转换器的性能和可靠性。

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