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公开(公告)号：CN118940700A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410847235.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 该发明公开了一种十字型电流霍尔元件模型建立方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。本发明采用COMSOL仿真平台来构建并分析通电低阻导线的行为级模型。通过COMSOL，测定霍尔元件在800μm距离处，当导线通过在一定范围内变化的电流时产生的磁场强度。这一步骤对于确立导线中电流与生成磁场强度之间的定量关系至关重要。为了优化模型仿真度本模型添加十字型实体霍尔器件测试结果作为修正。在测量出实体霍尔器件的等效电阻，电流相关灵敏度以及失调电压分别为1180.33Ω，36.2927V/AT，20.1mV并且作为参数输入模型后，模型的等效电阻，电流相关灵敏度以及失调电压分别为1180.33Ω，36.2833V/AT，20.125mV。表明此模型能很好地模拟真实器件性能，使得模型更加准确。
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公开(公告)号：CN118353393A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410369596.6
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具备共模反馈的运算放大器电路，及微电子学与固体电子学领域。该运算放大器电路为二级运放，主要包括偏置电路，第一级运放和第二级运放，开关电容共模反馈，反馈次级电路，合适的共模反馈节点等。通过结合开关电容共模反馈和源跟随器结构，实现了环路增益94.45dB，运放增益86.84dB，单位增益带宽70.5MHz，共模增益148.41dB，环路和运放的相位裕度均大于60°，满足稳定性要求。与传统结构相比，本发明实现了高环路增益，高运放增益，更大的运放带宽，更高的共模抑制比。与近年来结构相比，本发明的带宽优势明显，能应用的范围更加广泛。
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公开(公告)号：CN115035350B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210758755.2
申请日：2022-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于边缘检测增强的对空地、地面背景小目标检测方法，属于红外弱小目标检测领域。首先对原始图像中的边缘进行检测，然后与红外弱小目标图像相叠加，增强目标点的同时削弱背景角点对目标检测造成的影响，然后对周围区域进行有效的划分方案，以捕捉目标的导数特性，构建一个新的局部对比度图，以同时增强目标和抑制背景杂波，再将所有导数子带构建的强对比图整合以提高检测的稳定性，最后通过自适应阈值分割方法提取小目标，真正的目标从复杂的背景中较为明显地分割出来。从而有效提高对空地、地面背景小目标检测精度。
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公开(公告)号：CN117908621A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410074951.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 该发明公开了一种可调的低温漂基准电压源电路，涉及集成电路领域。本发明将生成正温度系数电压ΔVBE的模块设计为可重复的单元，用于与负温度系数电压叠加，生成大小可调的基准电压；利用电流镜，使得正温度系数电压重复单元中的三极管的集电极电流精确可调，便于精确调整其温度系数。在正温度系数电压生成部分，引入自适应基极电流，不影响三极管集电极电流的大小。本发明的输出电压平均值为2.10286V，标准差为3.40040mV，这表明输出电压的误差不超过±10.2mV，精度达到99.5％。
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公开(公告)号：CN116301163B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310333871.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 该发明公开了一种低压差线性稳压器电路，属于低压差线性稳压器(LDO)领域。LDO工作时，误差放大器其中一个输入端连接在稳定的参考电压上，反馈电阻采集输出电压，将输出电压分压后的电压连接到误差放大器的另一个输入端，误差放大器放大参考电压和反馈电压之间的误差信号，调整PMOS输出功率管的栅电压，控制功率管上的压降，从而稳定输出电压。本发明采用单级折叠式共源共栅结构作为误差放大器，保证了较高环路增益的同时也易于补偿。与传统低压差线性稳压器相比较，本发明提出的电路提高了电源抑制性能，并且在不同负载电流条件下，都能达到较高的电源抑制比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116301163A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310333871.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 该发明公开了一种低压差线性稳压器电路，属于低压差线性稳压器(LDO)领域。LDO工作时，误差放大器其中一个输入端连接在稳定的参考电压上，反馈电阻采集输出电压，将输出电压分压后的电压连接到误差放大器的另一个输入端，误差放大器放大参考电压和反馈电压之间的误差信号，调整PMOS输出功率管的栅电压，控制功率管上的压降，从而稳定输出电压。本发明采用单级折叠式共源共栅结构作为误差放大器，保证了较高环路增益的同时也易于补偿。与传统低压差线性稳压器相比较，本发明提出的电路提高了电源抑制性能，并且在不同负载电流条件下，都能达到较高的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN114609559B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210160921.9
申请日：2022-02-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明公开了一种三轴霍尔角度传感器，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明三接触四霍尔结构具有旋转对称性，将同一方向垂直霍尔器件正交耦合连接能有效消除失调，并且能增大测量水平方向磁场的绝对灵敏度。放置在中间的四个完全一样的霍尔器件通过正交耦合连接在一起，该方式可以很好的消除器件几何误差、有源区掺杂不均匀、以及接触电阻等工艺误差等引起失调。因此采用四个垂直霍尔器件测量水平方向的磁场，测量同一水平方向磁场时使用两个互补的垂直型结构消除误差。该三轴霍尔角度传感器面积仅为142×142μm2，实现了测量磁场方向与xy平面夹角误差小于0.2°，磁场方向在xy平面投影与x轴夹角误差小于0.05°的性能。
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公开(公告)号：CN114826263B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210555656.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于分段式逐次逼近模数转换器的浮空节点校准方法，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明在MSB电容阵列上极板依次连接一个开关Sev、一个基准电容Cev、单刀双掷开关，单刀双掷开关连接正端参考电压VREFP或负端参考电压VREFN；在LSB电容阵列上极板通过可调整电容CA与地连接，可调整电容CA中单位电容CD的值比SAR ADC电容阵列中单位电容C的值小两个数量级；通过控制开关的闭合来控制校准电容下极板是否与地相连，从而控制可调整电容CA的值。只需要在MSB电容阵列上极板连接一个基准电容Cev以及在LSB电容阵列上极板连接一个可调整电容CA，方法简单便于电路设计；在SAR ADC上电后就进行浮空节点校准，不会影响其逐次逼近过程。
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公开(公告)号：CN114995573B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210750939.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种由反馈网络修调的低压差线性稳压器，涉及具有温度补偿功能的高精度低压差线性稳压器LDO(Low drop‑out linear regulator)，特别涉及使用反馈网络的电压稳定输出电压的低压差线性稳压器LDO。从电路的实际应用层进行考虑，在低功耗设计中选取全MOS管的电压基准结构，利用其在亚阈值下的温度特性进行电路设计，即分别利用电路结构产生正负温度系数的电压，最终将两者进行叠加，实现所需要的电压基准源。
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公开(公告)号：CN115016580B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210526864.1
申请日：2022-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 该发明公开了一种宽输入范围电流除法器，涉及集成电路领域。该除法器电路结构简单，仅需要三个MOS器件，减小了芯片设计面积，此外，电路可以在较低的电源电压下工作，整个除法器电路功耗较小；并且通过利用MOS管体电压与漏源电流的线性关系，将输入电流等效转化的电压输入到MOS管的体端，该MOS管产生的电流用于除法运算，从而将输入电流范围按比例缩小，可以在较宽的输入电流范围实现两个输入电流相除的功能。
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