-
公开(公告)号：CN118940700A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410847235.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 该发明公开了一种十字型电流霍尔元件模型建立方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。本发明采用COMSOL仿真平台来构建并分析通电低阻导线的行为级模型。通过COMSOL，测定霍尔元件在800μm距离处，当导线通过在一定范围内变化的电流时产生的磁场强度。这一步骤对于确立导线中电流与生成磁场强度之间的定量关系至关重要。为了优化模型仿真度本模型添加十字型实体霍尔器件测试结果作为修正。在测量出实体霍尔器件的等效电阻，电流相关灵敏度以及失调电压分别为1180.33Ω，36.2927V/AT，20.1mV并且作为参数输入模型后，模型的等效电阻，电流相关灵敏度以及失调电压分别为1180.33Ω，36.2833V/AT，20.125mV。表明此模型能很好地模拟真实器件性能，使得模型更加准确。
Search Results
1
records
(took 0.019 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
